网站首页
教育杂志
CSSCI期刊 北大期刊 CSCD期刊 统计源期刊 知网收录期刊 维普收录期刊 万方收录期刊 SCI期刊(美)
医学杂志
CSSCI期刊 北大期刊 CSCD期刊 统计源期刊 知网收录期刊 维普收录期刊 万方收录期刊 SCI期刊(美)
经济杂志
CSSCI期刊 北大期刊 CSCD期刊 统计源期刊 知网收录期刊 维普收录期刊 万方收录期刊 SCI期刊(美)
金融杂志
CSSCI期刊 北大期刊 CSCD期刊 统计源期刊 知网收录期刊 维普收录期刊 万方收录期刊 SCI期刊(美)
管理杂志
CSSCI期刊 北大期刊 CSCD期刊 统计源期刊 知网收录期刊 维普收录期刊 万方收录期刊 SCI期刊(美)
科技杂志
CSSCI期刊 北大期刊 CSCD期刊 统计源期刊 知网收录期刊 维普收录期刊 万方收录期刊 SCI期刊(美)
工业杂志
CSSCI期刊 北大期刊 CSCD期刊 统计源期刊 知网收录期刊 维普收录期刊 万方收录期刊 SCI期刊(美)
SCI杂志
中科院1区 中科院2区 中科院3区 中科院4区
全部期刊
您现在的位置:公务员期刊网 电子杂志 北大期刊(中国人文社会科学期刊) 重庆地区 杂志介绍(非官网)
半导体光电杂志

全年订价:¥280.00/年

半导体光电杂志北大期刊统计源期刊

Semiconductor Optoelectronics

同学科期刊级别分类 CSSCI南大期刊 北大期刊 CSCD期刊 统计源期刊 部级期刊 省级期刊

  • 双月刊 出版周期
  • 50-1092/TN CN
  • 1001-5868 ISSN
主管单位:中国电子科技集团有限公司
主办单位:重庆光电技术研究所
创刊时间:1976
开本:A4
出版地:重庆
语种:中文
审稿周期:1-3个月
影响因子:0.87
被引次数:167
数据库收录:

北大期刊(中国人文社会科学期刊)统计源期刊(中国科技论文优秀期刊)知网收录(中)维普收录(中)万方收录(中)CA 化学文摘(美)JST 日本科学技术振兴机构数据库(日)国家图书馆馆藏上海图书馆馆藏

半导体光电杂志简介

《半导体光电》杂志是专业技术性刊物。刊载半导体光电器件、光通信系统和光传输、光存贮、光计算、处理技术,以及摄像、传感、遥感等方面的研究成果、学术论文、学位论文和工作报告,介绍光学、光子学、量子电子学、光电子学领域的新材料、新结构、新工艺、新器件,报道国内外该领域的研究和发展方向。读者对象为半导体光电专业的科技人员和大专院校师生。

半导体光电杂志栏目设置

本刊动态综述、光电器件、材料、结构及工艺、光通信、光电技术应用。

半导体光电杂志荣誉信息

半导体光电杂志订阅方式

地址:重庆市南岸区南坪花园路14号,邮编:400060。

半导体光电杂志社投稿须知

1.来稿要求论点明确、数据可靠、逻辑严密、文字精炼,每篇论文必须包括题目、作者姓名、作者单位、单位所在地及邮政编码、摘要和关键词、正文、参考文献和第一作者及通讯作者(一般为导师)简介(包括姓名、性别、职称、出生年月、所获学位、目前主要从事的工作和研究方向),在文稿的首页地脚处注明论文属何项目、何基金(编号)资助,没有的不注明。

2.论文摘要尽量写成报道性文摘,包括目的、方法、结果、结论4方面内容(100字左右),应具有独立性与自含性,关键词选择贴近文义的规范性单词或组合词(3~5个)。

3.文稿篇幅(含图表)一般不超过5000字,一个版面2500字内。文中量和单位的使用请参照中华人民共和国法定计量单位最新标准。外文字符必须分清大、小写,正、斜体,黑、白体,上下角标应区别明显。

4.文中的图、表应有自明性。图片不超过2幅,图像要清晰,层次要分明。

5.参考文献的著录格式采用顺序编码制,请按文中出现的先后顺序编号。所引文献必须是作者直接阅读参考过的、最主要的、公开出版文献。未公开发表的、且很有必要引用的,请采用脚注方式标明,参考文献不少于3条。

6.来稿勿一稿多投。收到稿件之后,5个工作日内审稿,电子邮件回复作者。重点稿件将送同行专家审阅。如果10日内没有收到拟用稿通知(特别需要者可寄送纸质录用通知),则请与本部联系确认。

7.来稿文责自负。所有作者应对稿件内容和署名无异议,稿件内容不得抄袭或重复发表。对来稿有权作技术性和文字性修改,杂志一个版面2500字,二个版面5000字左右。作者需要安排版面数,出刊日期,是否加急等情况,请在邮件投稿时作特别说明。

8.请作者自留备份稿,本部不退稿。

9.论文一经发表,赠送当期样刊1-2册,需快递的联系本部。

10.请在文稿后面注明稿件联系人的姓名、工作单位、详细联系地址、电话(包括手机)、邮编等信息,以便联系有关事宜。

半导体光电杂志范例

GaN基MSM结构紫外探测器光响应特性

两基色白光LED的光视效能的研究

1.55μmDFBLD光栅结构的优化设计

用于红外探测的非晶硅薄膜晶体管

Er3+/Yb3+共掺磷酸盐光纤放大器增益分析新模型

光伏型光电探测器漂移-扩散模型的改进

集成光波导微应力传感器研究

数字光电耦合器隔离性能及动态特性测试仪

MEMS封装用局部激光键合法及其实现

InGaAs/InAlAs盖帽层对InAs自组装量子点发光性质的影响

超晶格量子阱的沟道效应与光学双稳态效应

掺锑二氧化锡薄膜的喷雾热解法制备与热处理

铟对GaN基激光器晶体质量的影响

Ag/S/C共掺杂纳米TiO2的制备与光催化活性

可溶性PMOTOPV的合成及其光致发光性能

二次退火对p型GaN的应变影响

圆片直接键合界面表面能测试研究

半导体光电杂志数据信息

影响因子和被引次数

Created with Highcharts 4.2.6影响因子被引次数影响因子被引次数2012年2013年2014年2015年2016年2017年2018年2019年2020年2021年2022年00.20.40.60.8102004006008001000

杂志发文量

Created with Highcharts 4.2.6发文量220253264227196190185179167166176发文量2012年2013年2014年2015年2016年2017年2018年2019年2020年2021年2022年150175200225250275

半导体光电杂志发文分析

主要资助课题分析

资助课题 涉及文献
重庆市自然科学基金(2010BB2409) 16
国家自然科学基金(90104003) 12
重庆市教委科研基金(KJ110519) 10
国家重点基础研究发展计划(2006CB604902) 10
国家自然科学基金(61377088) 10
国家自然科学基金(90304004) 10
国家重点基础研究发展计划(2003CB314905) 9
国家自然科学基金(60506012) 9
国家自然科学基金(60678018) 9
教育部“新世纪优秀人才支持计划”(NCET-10-0583) 9

主要资助项目分析

资助项目 涉及文献
国家自然科学基金 1550
国家高技术研究发展计划 315
国家重点基础研究发展计划 213
重庆市自然科学基金 71
国家教育部博士点基金 70
中央高校基本科研业务费专项资金 63
教育部“新世纪优秀人才支持计划” 52
重庆市教委科研基金 48
重庆市教育委员会科学技术研究项目 47
广东省自然科学基金 45
半导体光电杂志

半导体光电杂志

订阅价格:¥280.00/1年 发行周期:双月刊 纸张开本:A4

过刊购买 单期购买

免责声明

本站合法持有《出版物经营许可证》,仅销售经国家新闻出版署批准的合法期刊,不是任何杂志官网,不涉及出版事务。本站仅提供有限咨询服务,需要用户自己向出版商投稿且没有绿色通道,是否录用一切以出版商通知为准。提及的第三方名称或商标,其知识产权均属于相应的出版商或期刊,本站与上述机构无从属关系,所有引用均出于解释服务内容的考量,符合商标法规范。本页信息均由法务团队进行把关,若期刊信息有任何问题,请联系在线客服,我们会认真核实处理。 地址:重庆市南岸区南坪花园路14号,邮编:400060。

投稿咨询 投稿辅导 文秘咨询 订阅咨询