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集成电路布图设计精选(九篇)

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集成电路布图设计

第1篇:集成电路布图设计范文

第一条为了保护集成电路布图设计专有权,鼓励集成电路技术的创新,促进科学技术的发展,制定本条例。

第二条本条例下列用语的含义:

(一)集成电路,是指半导体集成电路,即以半导体材料为基片,将至少有一个是有源元件的两个以上元件和部分或者全部互连线路集成在基片之中或者基片之上,以执行某种电子功能的中间产品或者最终产品;

(二)集成电路布图设计(以下简称布图设计),是指集成电路中至少有一个是有源元件的两个以上元件和部分或者全部互连线路的三维配置,或者为制造集成电路而准备的上述三维配置;

(三)布图设计权利人,是指依照本条例的规定,对布图设计享有专有权的自然人、法人或者其他组织;

(四)复制,是指重复制作布图设计或者含有该布图设计的集成电路的行为;

(五)商业利用,是指为商业目的进口、销售或者以其他方式提供受保护的布图设计、含有该布图设计的集成电路或者含有该集成电路的物品的行为。

第三条中国自然人、法人或者其他组织创作的布图设计,依照本条例享有布图设计专有权。

外国人创作的布图设计首先在中国境内投入商业利用的,依照本条例享有布图设计专有权。

外国人创作的布图设计,其创作者所属国同中国签订有关布图设计保护协议或者与中国共同参加有关布图设计保护国际条约的,依照本条例享有布图设计专有权。

第四条受保护的布图设计应当具有独创性,即该布图设计是创作者自己的智力劳动成果,并且在其创作时该布图设计在布图设计创作者和集成电路制造者中不是公认的常规设计。

受保护的由常规设计组成的布图设计,其组合作为整体应当符合前款规定的条件。

第五条本条例对布图设计的保护,不延及思想、处理过程、操作方法或者数学概念等。

第六条国务院知识产权行政部门依照本条例的规定,负责布图设计专有权的有关管理工作。

第二章布图设计专有权

第七条布图设计权利人享有下列专有权:

(一)对受保护的布图设计的全部或者其中任何具有独创性的部分进行复制;

(二)将受保护的布图设计、含有该布图设计的集成电路或者含有该集成电路的物品投入商业利用。

第八条布图设计专有权经国务院知识产权行政部门登记产生。

未经登记的布图设计不受本条例保护。

第九条布图设计专有权属于布图设计创作者,本条例另有规定的除外。

由法人或者其他组织主持,依据法人或者其他组织的意志而创作,并由法人或者其他组织承担责任的布图设计,该法人或者其他组织是创作者。

由自然人创作的布图设计,该自然人是创作者。

第十条两个以上自然人、法人或者其他组织合作创作的布图设计,其专有权的归属由合作者约定;未作约定或者约定不明的,其专有权由合作者共同享有。

第十一条受委托创作的布图设计,其专有权的归属由委托人和受托人双方约定;未作约定或者约定不明的,其专有权由受托人享有。

第十二条布图设计专有权的保护期为10年,自布图设计登记申请之日或者在世界任何地方首次投入商业利用之日起计算,以较前日期为准。但是,无论是否登记或者投入商业利用,布图设计自创作完成之日起15年后,不再受本条例保护。

第十三条布图设计专有权属于自然人的,该自然人死亡后,其专有权在本条例规定的保护期内依照继承法的规定转移。

布图设计专有权属于法人或者其他组织的,法人或者其他组织变更、终止后,其专有权在本条例规定的保护期内由承继其权利、义务的法人或者其他组织享有;没有承继其权利、义务的法人或者其他组织的,该布图设计进入公有领域。

第三章布图设计的登记

第十四条国务院知识产权行政部门负责布图设计登记工作,受理布图设计登记申请。

第十五条申请登记的布图设计涉及国家安全或者重大利益,需要保密的,按照国家有关规定办理。

第十六条申请布图设计登记,应当提交:

(一)布图设计登记申请表;

(二)布图设计的复制件或者图样;

(三)布图设计已投入商业利用的,提交含有该布图设计的集成电路样品;

(四)国务院知识产权行政部门规定的其他材料。

第十七条布图设计自其在世界任何地方首次商业利用之日起2年内,未向国务院知识产权行政部门提出登记申请的,国务院知识产权行政部门不再予以登记。

第十八条布图设计登记申请经初步审查,未发现驳回理由的,由国务院知识产权行政部门予以登记,发给登记证明文件,并予以公告。

第十九条布图设计登记申请人对国务院知识产权行政部门驳回其登记申请的决定不服的,可以自收到通知之日起3个月内,向国务院知识产权行政部门请求复审。国务院知识产权行政部门复审后,作出决定,并通知布图设计登记申请人。布图设计登记申请人对国务院知识产权行政部门的复审决定仍不服的,可以自收到通知之日起3个月内向人民法院。

第二十条布图设计获准登记后,国务院知识产权行政部门发现该登记不符合本条例规定的,应当予以撤销,通知布图设计权利人,并予以公告。布图设计权利人对国务院知识产权行政部门撤销布图设计登记的决定不服的,可以自收到通知之日起3个月内向人民法院。

第二十一条在布图设计登记公告前,国务院知识产权行政部门的工作人员对其内容负有保密义务。

第四章布图设计专有权的行使

第二十二条布图设计权利人可以将其专有权转让或者许可他人使用其布图设计。

转让布图设计专有权的,当事人应当订立书面合同,并向国务院知识产权行政部门登记,由国务院知识产权行政部门予以公告。布图设计专有权的转让自登记之日起生效。许可他人使用其布图设计的,当事人应当订立书面合同。

第二十三条下列行为可以不经布图设计权利人许可,不向其支付报酬:

(一)为个人目的或者单纯为评价、分析、研究、教学等目的而复制受保护的布图设计的;

(二)在依据前项评价、分析受保护的布图设计的基础上,创作出具有独创性的布图设计的;

(三)对自己独立创作的与他人相同的布图设计进行复制或者将其投入商业利用的。

第二十四条受保护的布图设计、含有该布图设计的集成电路或者含有该集成电路的物品,由布图设计权利人或者经其许可投放市场后,他人再次商业利用的,可以不经布图设计权利人许可,并不向其支付报酬。

第二十五条在国家出现紧急状态或者非常情况时,或者为了公共利益的目的,或者经人民法院、不正当竞争行为监督检查部门依法认定布图设计权利人有不正当竞争行为而需要给予补救时,国务院知识产权行政部门可以给予使用其布图设计的非自愿许可。

第二十六条国务院知识产权行政部门作出给予使用布图设计非自愿许可的决定,应当及时通知布图设计权利人给予使用布图设计非自愿许可的决定,应当根据非自愿许可的理由,规定使用的范围和时间,其范围应当限于为公共目的非商业性使用,或者限于经人民法院、不正当竞争行为监督检查部门依法认定布图设计权利人有不正当竞争行为而需要给予的补救。

非自愿许可的理由消除并不再发生时,国务院知识产权行政部门应当根据布图设计权利人的请求,经审查后作出终止使用布图设计非自愿许可的决定。

第二十七条取得使用布图设计非自愿许可的自然人、法人或者其他组织不享有独占的使用权,并且无权允许他人使用。

第二十八条取得使用布图设计非自愿许可的自然人、法人或者其他组织应当向布图设计权利人支付合理的报酬其数额由双方协商;双方不能达成协议的,由国务院知识产权行政部门裁决。

第二十九条布图设计权利人对国务院知识产权行政部门关于使用布图设计非自愿许可的决定不服的,布图设计权利人和取得非自愿许可的自然人、法人或者其他组织对国务院知识产权行政部门关于使用布图设计非自愿许可的报酬的裁决不服的,可以自收到通知之日起3个月内向人民法院。

第五章法律责任

第三十条除本条例另有规定的外,未经布图设计权利人许可,有下列行为之一的,行为人必须立即停止侵权行为,并承担赔偿责任:

(一)复制受保护的布图设计的全部或者其中任何具有独创性的部分的;

(二)为商业目的进口、销售或者以其他方式提供受保护的布图设计、含有该布图设计的集成电路或者含有该集成电路的物品的。

侵犯布图设计专有权的赔偿数额,为侵权人所获得的利益或者被侵权人所受到的损失,包括被侵权人为制止侵权行为所支付的合理开支。

第三十一条未经布图设计权利人许可,使用其布图设计,即侵犯其布图设计专有权,引起纠纷的,由当事人协商解决;不愿协商或者协商不成的,布图设计权利人或者利害关系人可以向人民法院,也可以请求国务院知识产权行政部门处理。国务院知识产权行政部门处理时,认定侵权行为成立的,可以责令侵权人立即停止侵权行为,没收、销毁侵权产品或者物品。当事人不服的,可以自收到处理通知之日起15日内依照《中华人民共和国行政诉讼法》向人民法院;侵权人期满不又不停止侵权行为的,国务院知识产权行政部门可以请求人民法院强制执行。应当事人的请求,国务院知识产权行政部门可以就侵犯布图设计专有权的赔偿数额进行调解;调解不成的,当事人可以依照《中华人民共和国民事诉讼法》向人民法院。

第三十二条布图设计权利人或者利害关系人有证据证明他人正在实施或者即将实施侵犯其专有权的行为,如不及时制止将会使其合法权益受到难以弥补的损害的,可以在前依法向人民法院申请采取责令停止有关行为和财产保全的措施。

第三十三条在获得含有受保护的布图设计的集成电路或者含有该集成电路的物品时,不知道也没有合理理由应当知道其中含有非法复制的布图设计,而将其投入商业利用的,不视为侵权。

第2篇:集成电路布图设计范文

集成电路布图设计纠纷也会越来越多,越来越复杂,专业人士如何既能充分研制创新集成电路,又不会轻易踩到侵犯知识产权的“红线”,是一个值得注意的问题。

本案中这近于1%的相似性能构成侵权么?二审法院将会如何判定?本律师根据二审判决就以下要点简单分析如下:

其一,鉴定机构的意见是否合理合法?

二审法院除明确鉴定机构和鉴定人员资质合法、鉴定程序合法外,重点说明了鉴定方法的合理性,即依据《集成电路布图设计保护条例》所确定的保护标准,比对是在双方集成电路布图设计的相似部分之间进行,而不是去比较两个完整的布图设计。

其二,双方的涉案芯片是否相同?

集成电路布图设计的创新空间有限,因此在“相同或实质性相似”的认定上应当采用较为严格标准。法院在明确“工艺不是布图”、“互联线路虽然是集成电路布图设计考量时的参考因素之一,但布图设计的侧重点更在于有源元件和元件与互连线路的三维配置”等原则后,依据本案证据认定,即使按 照严格的认定标准,双方芯片的集成电路布图设计仍有极小部分构成实质性相似。

其三,钜泉公司的“2个点”是否具有独创性?

钜泉公司已经对自己的“独创性”提供了权利登记证书,而且专利复审委经审查后也终止了撤销程序,鉴定机构的结论也表明其芯片中的“2个点”具有独创性。反之,锐能微公司提交的证据材料不足以证明其所称的“常规设计”之说,故法院认定钜泉公司“2个点”具有独创性。

其四,锐能微公司的行为是否侵犯钜泉公司的权利?

法院通过终审判决认定了即使是占整个集成电路布图设计比例很小的非核心部分布图设计,其独创性也应得到法律保护。

所以在本案中,锐能微公司未经许可直接复制了钜泉公司芯片布图设计中的“2个点”并进行商业销售,确实构成了侵权。

侵权方的代价是什么?法院该如何判断钜泉公司的损失呢?

因锐能微公司在法庭上拒绝提供相关财务资料,原审法院只能根据可查询到的信息来综合评判,比如其网站页面显示的销售数量,同时综合考虑了法院保全的锐能微公司部分发票、“2个点”所占布图面积及作用、锐能微公司钜泉公司受让了珠海炬力集成电路设计有限公司通过直接复制缩短了芯片研发时间而获得的市场竞争优势等情况,最终判决赔偿钜泉公司320万元。

一审法院关于赔偿数额的考虑是较为全面的,加之二审期间,两方上诉人亦未就损失赔偿事宜提供更多的证据,最终上海高院总体评价本案后作出了驳回上诉、维持原判的终审判决。

我国目前在保护集成电路布图设计方面的法律规定主要是《集成电路布图设计保护条例》和《集成电路布图设计保护条例实施细则》,其内容包括了布图设计权利专有权的界定、取得权利的流程、权利的确认与保护等方面。

下面本律师便就我国有关此权利的法律规定做一简单梳理:

布图设计专有权,是指通过申请注册后,依法获得的利用集成电路设计布图取得商业利益的权利。

(一)权利的主体

按照我国《集成电路布图设计保护条例》第3条的规定,中国自然人、法人或者其他组织创作的布图设计,依照本条例享有布图设计权;外国人创作的布图设计首先在中国境内投入商业利用的,依照本条例享有布图设计权;外国人创作的布图设计,其创作者所属国同中国签订有关布图设计保护协议或共同参加国际条约的,依照本条例享有布图设计权。

(二)客体条件

集成电路布图设计必须具备独创性。

布图设计应当是作者依靠自己的脑力劳动完成的,设计必须是突破常规的设计或者即使设计者使用常规设计但通过不同的组合方式体现出独创性时,均可以获得法律保护。

(三)权利人享有的权利

1.复制权,实际上是重新制作含有该布图设计的集成电路;

2.商业利用权,是指专有权人为商业目的而利用布图设计或含有布图设计的集成电路的权利。

(四)取得权利的方式和程序

目前,世界各国主要采取三种取得方式:自然取得,登记取得,使用与登记取得。大多数国家采取登记取得制。我国也采取登记制度,由国家知识产权行政部门负责受理权利人的申请文件;布图设计登记申请经初步审查,未发现驳回理由的,予以登记并公告。需要注意的是,未经登记的布图设计是不受法律保护的。

(五)权利的行使

1.布图设计权的转让

权利人将其全部权利转让给受让人所有,即本案中钜泉公司与原集成电路设计权人珠海炬力公司的权利转让行为。根据条例规定,转让布图设计权的,当事人应当订立书面合同,并向国务院知识产权部门登记并公告。

2.设计权的许可

权利人依据合同约定,在权利不转让的情况下,许可其他主体使用其布图设计权的行为,此类许可也应当订立书面合同,以避免今后权属出现争议。

(六)权利的保护

1.侵权行为

所谓布图设计的侵权,是指侵犯了布图设计人的权利,依法应当承担的法律责任。包括侵犯布图设计人的复制权和商业利用权。本案中,一审被告锐能微公司便是侵犯了钜泉公司的上述权利,被法院判决赔偿权利人公司损失的。

2.保护期限

第3篇:集成电路布图设计范文

关键词:可重构;模板提取;图同构;子图扩展;数据流图

中图分类号:TP391 文献标识码:A 文章编号:1009-3044(2011)01-0251-03

An Overview of Regularity Extraction Algorithms in Integrated Circuits

ZHANG Hou-jun, ZHOU Zhou

(Department of Computer Science and Technology, Tongji University, Shanghai 201804, China)

Abstract: Data-path dominated integrated circuits always have a good amount of regularity in them. Regularity of integrated circuits has the merits for predigesting design, shortening the period of design, reducing the design cost, and improving the performance of the system. This paper is a literature review. It introduces the recent study of graph-theory based regularity extraction algorithms in summary. Meanwhile the solving idea and time-complexity of some classical algorithms, such as TREE and SPOG, are introduced. The advantages and disadvantages are analyzed too. Moreover, some important properties are summarized and compared. Last, this paper provides a referenced direction for the study of regularity extraction.

Key words: reconfigurable; regularity extraction; graph isomorphism; sub-graph extension; data-flow graph

1 概述

随着集成电路制造技术的进步和应用需求的增长,整个系统现在已经可以集成在单个芯片之中,片上系统(system on a chip,SoC)已成为集成电路系统设计的重要形式和热点研究内容。然而,当前集成电路设计能力不足已成为制约集成电路工业进一步发展的重要因素。因此必须尽快改进设计方法,不断提高设计能力[12]。

传统的设计方法中忽略了系统描述本身所包含的结构特性。在以数据处理为主的应用描述中往往具有高度的规律性,存在着大量的相似结构,利用其规律性可以实现规则的布图以提高芯片的性能及可制造性。因此,如果能够将基于模板的技术用在集成电路的设计当中,分析和提取电路中相似结构以实现规则性的布图,那么芯片在性能和集成度方面将会有大大改善。

电路模板技术是指将电路中重复出现的子电路抽象出来作为模板,它在电路性能的提高、电路的验证、设计重用、电路划分等领域以及处理高层次综合领域中的调度和分配问题都具有重要的作用[12]。因此对集成电路的规则性提取问题的研究在VLSI 自动化设计领域具有深远的意义。

此外,嵌入式多媒体应用程序的一个显著特点也是规则运算很多,运算时间复杂度很高,因此也迫切需要提高性能,降低功耗。

从输入数据流图(data-flow graph, DFG)中提取出图中频繁运用的子图集合或相似子图集合,通过后续模板覆盖、任务划分和调度阶段对原始DFG进行模板覆盖,将相似子程序调度到相同的PE阵列上去,这使得程序的调度更有效,最大可能地复用模块单元实现系统的功能,提高重用性,减少系统的面积。因此,基于模板的技术也是可重构系统任务编译器前端设计中一种较有效的方法。如果能在可重构系统的编译器当中使用模板技术,那么对系统的并行处理及逻辑优化等将会有很大帮助。

无论是对数据通路型集成电路还是对嵌入式多媒体应用程序进行规律性提取时,通常都是将电路的门级网表或者程序转化为对应的DFG表示。因此,本文主要讨论基于图论的模板提取。

2 问题定义

对于一个DFG,结点表示一个简单的操作(比如ADD,SUB等),有向边表示数据流的方向。设G(V,E)表示一个DFG,V为其顶点集,E为其边集,有如下定义。

定义1 若图SG(SV,SE) 满足SV∈V 及SE∈E,则称SG是G 子图[16]。

定义2 对于G(V,E)中的两个子图G1(V1,E1),G2(V2,E2),如果V1和V2之间存在一一对应的映射关系f:V1V2,对于vi,vj∈V1,∈E1当且仅当∈E2,并且与的重数相同,那么称G(V,E)的两个子图G1(V1,E1),G2(V2,E2)是同构的[16]。

定义3 模板T就是DFG中频繁出现的子图结构,而与此模板结构相同的子图称为该模板的实例,这种子图的个数称为该模板的频数[13]。

定义4 若SG(SV,SE)是G(V,E)的一个子图,将SV记为有序的结点集,则SV的第一个结点称为SV或子图SG的起点[12]。

定义5 图G(V,E)的顶点平均度,记作

其中,deg(vi)为顶点vi的度,表示与vi相邻顶点的个数[11]。

3 现有模板提取算法分析

目前,国外有些学者提出了一些模板提取的算法,并取得了一定的研究成果,国内研究尚处于初级阶段。下面对一些典型的模板提取算法的思想作一下介绍。

3.1 模板提取算法

3.1.1 TREE和SPOG算法[8]

由Chowdhary等人提出的TREE算法能够提取出单输出和内部没有汇聚的模板。而且其通过两个假设(假设1:把图G的子图集S限制在只包括某些子图,这些子图满足不再是S中任一图的子图,且在S中其频数大于1。假设2:对于G中每一个有入边的结点v,假设其有f条入边,前驱结点分别为u1,u2…uf,每一条边都被赋予一个唯一的索引号,k[ui, v]=i, 1≤i≤f)将树形模板的数量减少到v(v-1)/2。算法的基本思想如下:

1)对G的所有结点进行拓扑排序v1,v2…vn。

2)对于任意两个编号的结点vi, vj(1≤i,j≤n),生成以这两个结点为根的功能上相同的最大子图作为一个模板Sm。

3)判断模板库中是否存在于Sm功能上等价的模板。如果不存在,将Sm加入到模板库当中;否则,舍弃Sm。

SPOG算法则是在TREE算法基础上的扩展和改进,将生成的模板扩展到多输出模板。此时SPOG子图的数量可以被限制在v(v-1)。

TREE算法和SPOG算法是典型的模板提取算法,它能够提取出基于两个假设以及各自限制条件之内的所有模板,这对于后续的模板覆盖有很大的帮助,覆盖率较高。但同时此算法也有着很大的不足之处,都适用于分散图,且生成的模板限制在tree形或spog形,算法的复杂度也很高,为O(v5),不适合实际工程的需要。

3.1.2 FAN算法[15]

潘伟涛等人提出的FAN算法通过边权值编码,先生成小规模模板,然后再逐级扩展生成较大规模模板,产生扇形频繁子电路。算法的基本思想如下:

1)统计电路中每种标准单元出现的频率。依据最小支持度确定为各标准单元作标记还是删除它,并计算所有顶点的有效输入权值。

2)搜索所有同构实例,对于每一个同构实例在最左顶点扩展一条边。

3)统计扩展后的扇形子电路的种类和频数。依据最小支持度确定将此子电路标记为模板并进行下一轮的扩展还是将它删除。

FAN算法采用最小支持度对每次扩展生成的子图进行限制,通过比较子电路的出现的频数,有效地避免了子图扩展时一些不必要的冗余扩展,并且此算法采用逐级扩大规模的方法,得到的模板层次化较强,可以对电路进行更好的覆盖实用性较强。

3.1.3 其他算法

Rao and Kurdahi [3]最早关注于数据通路型集成电路的模板提取,它将基于模板的聚类思想应用到数据通路的综合上,这里的模板提取过程也就是基于不同子图(它们可以被复制来覆盖整个DFG)的识别过程。文献[4]在解决模板提取问题时,假设子模块已经生成,主要解决子模块分类问题,但是一般情况下需要自动生成模块。文献[5-6]提出了一些模块生成算法,但均是先选择某一顶点作为一个模块,然后在此模块内不断加入其它的顶点形成新的模块。这几种算法对模块的形式没有限制,但也有其固有的缺点,就是所生成的模块形式依赖于起始模块的选择。文献[11]提出了一种基于顶点的辐射路特征的门级到功能模块级的快速子电路提取算法,解决了宏单元模板自动匹配,通过单个顶点的相似度特征,将子图同构问题转化为顶点之间的匹配问题,算法最差时间复杂度为■(其中,n和k为两图结点数,d为原始电路的直径)。文献[12]中算法对DFG的整体结构以及模块的结构没有要求,增强了算法的健壮性,而且生成的模板的层次化较强,模板覆盖率较高,但在同构判断时无针对性,需对所有模板进行一一判断,导致程序复杂性的提高。

3.2 模板提取算法的比较与分析

模板提取算法有以下一些重要性质:1)输入DFG的类型,如连通图、有向图和无环图等;2)遍历策略,如深度优先或者广度优先等;3)候选子图的产生策略,如逐级扩展还是其他;4)对重复图的消除策略,如主动地或被动地;5)生成模板的层次化,如较好或较差。表1详细列出了一些模板提取算法的重要性质,并进行了比较。

4 总结和展望

随着集成电路产业的发展,迫切地需要提高芯片的性能,而利用集成电路自身的规律性可以实现规则的布图。因此,基于模板的技术将会对提高芯片的性能及可制造性有很大的帮助。本文归纳了基于图论的模板提取的各种算法,目前在这方面的研究已经取得了很大成绩,并被应用到一些实际的系统中。本文重点介绍了TREE、SPOG和FAN等典型的模板提取算法,并对其他算法进行了简要介绍。归纳出模板提取算法的一些重要性质,并对现有各算法进行了比较。

虽然目前存在的算法较多,且执行效率较高,但我们觉得还可以在以下方面加以改进或做进一步的研究:

1)现实生活中有各种各样的图形:有向图,无向图,加权图,无连通图等,但目前的算法大部分都是针对连通图的提取,对加权图有环图等的提取算法很少,因此对加权图有环图等的提取算法的研究也是一个重要的研究方向。

2)现有方法优势还主要集中在对小规模集成电路的提取上,集成电路产业的发展要求我们能够对大规模甚至超大规模集成电路进行提取,因此需要研究大规模集成电路的提取方法。

3)模板提取评测方法的研究。目前主要是靠算法复杂度的评估以及模板覆盖率等,在模板覆盖阶段,现有最大模板优先和最频繁模板优先的方法,但这样不能达到对系统最好覆盖,因此我们应该考虑如何在模板的规模和频数之间进行权衡,以利用所提取的模板达到对系统的最完美覆盖,最大程度地减小系统面积开销。

参考文献:

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[9] Rosiello A P E,Ferrandi F,Pandini D,et al.A Hash-based Approach for Functional Regularity Extraction During Logic Synthesis[C]//IEEE Computer Society Annual Symposium on VLSI.New York:IEEE, 2007:92-97.

[10] Chowdhary A,Kale S.Extraction of Functional Regularity in Datapath Circuits[J].IEEE Trans on Computer Aided Design,1999,18(9):1279-1296.

[11] 李长青,汪雪林,彭思龙.辐射路匹配:从门级到功能模块级的子电路提取算法[J].计算机辅助设计与图形学学报,2006,18(9):1377-1382.

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第4篇:集成电路布图设计范文

对2015年形势的基本判断

宏观经济持续复苏,全球半导体市场保持增长

由于全球经济持续复苏,市场增速不断回升的影响,2014年世界半导体产业保持者稳定增长的趋势。移动智能终端、平板电脑、消费类电子、工业控制、新能源汽车、节能环保、信息安全等产业的不断发展,成为全球半导体市场发展的重要推动因素。根据美国半导体行业协会(SIA)统计,2014年前三季度,全球半导体产业销售额2444.7亿美元,与上年同期相比成长10%,其中第三季度以870亿美元销售额创下历史单季度最高纪录,同比增长9%,增速为5.7%。受惠于个人电脑、笔记本电脑的回稳,4G技术渗透率提升,预计2014年全球半导体销售规模将达3255亿美元,同比增长6.5%。

展望2015年,随着苹果公司新款移动智能终端iPhone6、iPadAir2以及可穿戴设备Applewatch等产品的陆续上市,将进一步增强对移动处理器、存储器、指纹识别等芯片市场的需求刺激。同时,芯片产业发展现阶段以呈现出逐步由移动智能终端向智能家居和汽车电子等领域深入发展的趋势,受物联网新应用对各种传感器及低功耗、小尺寸芯片的需求增长等因素的影响,全球半导体市场业绩将持续向上攀升,销售规模有望达到3500亿美元,较2014年增长7.5%。

但是,随着半导体工艺尺寸逐步逼近硅工艺物理极限,摩尔定律的重要性正逐步减弱。2015年,半导体产业面临最大的挑战来自于先进制程不断攀升的成本投入,并可能长期影响整体产业的成长动能。因此,2015年虽然预计仍会有规模的成长,但如何能增加研发动能,以较低成本突破关键技术节点,将是2015年半导体产业最大的重点。

我国产业规模快速增长,技术水平不断提升

在宏观经济持续复苏,全球半导体市场保持增长大背景下,我国集成电路产业仍保持较快的增长速度。2014年前三季度,全行业实现销售额2125.9亿元,同比增长17.2%,高于全球同期增长水平7.2个百分点,产业规模进一步扩大。其中,设计业继续保持快速增长态势,销售额为746.5亿元,同比增长30%;制造业销售额486.1亿元,同比增长7.9%;封装测试业销售额893.3亿元,同比增长13.2%。芯片设计业占全行业比重达35.1%,较2013年提高了3.4个百分点,设计环节快速增长为我国下游芯片制造和封测环节带来更多订单,有效降低这两个环节对外依存度过高带来的产业发展风险。我国集成电路产业结构逐步优化。预计2014年集成电路产业销售额达到3000亿元,同比增长11.4%。

技术方面,IC设计业先进设计技术水平提升至16nm,2014年9月华为海思与台积电合作推出首款16nm FinFET 64手机位芯片。IC设计业的主流设计技术推进到40/28nm水平。IC制造业,2014年1月,中芯国际宣布可以向客户提供28nm多晶硅(Ploy SiON)和28nm高k介质金属栅极(HKMG)的多项目晶圆(MPW)代工服务,正式进入28nm工艺时代。部分关键装备和材料实现从无到有,部分被国内外生产线采用,离子注入机、刻蚀机、溅射靶材等进入8英寸或12英寸生产线。

展望2015年,在国家对信息安全建设重视程度进一步加大,《国家集成电路产业发展推进纲要》和产业投资基金的逐步运作,以及移动互联网、物联网市场进一步发展的推动下,我国集成电路芯片需求有望持续释放,从而带动全行业规模进一步增长。只要保持2014年目前平稳快速的增长趋势,到2015年就可以完成《国家集成电路产业发展推进纲要》制定的3500亿元的发展目标。

预计,我国IC设计业将成为销售规模超过1300亿元的第一大行业,芯片制造业销售规模将超过1000亿元,封装测试业销售规模超过1200亿元。与此同时,集成电路产业的主流技术将推进到28/20nm,先进技术将导入到16nm领域。我国集成电路产业为迎接“十三五”发展构建了坚实的基础。

企业跨国合作频繁,中国资本开启海外并购

我国目前拥有全球最大、增长最快的集成电路市场,占全球市场份额达到50%左右,成为全球集成电路巨头鏖战的主战场。

越来越多的海外巨头谋求与国内企业合作。2014年7月,美国高通公司宣布将部分骁龙处理器代工订单交由中芯国际代工,高通表示将携手中芯国际,将28nm技术应用于骁龙处理器,借此利用市场换技术、市场换订单的机会,有望成为长电科技等国内相关公司的成长动力。9月,全球芯片龙头企业英特尔公司向紫光集团注资90亿元,并达成合作协议,联合开发基于英特尔架构和通信技术的手机解决方案,在中国和全球市场扩展英特尔架构移动设备的产品和应用。在加深与海外巨头合作的同时,国内的龙头企业也逐步开启了海外并购的步伐。2013年年末至2014年三季度期间,中国集成电路行业共发生4宗海外并购,涉及金额超过50亿美元。

展望2015年,伴随着国家集成电路产业投资基金的落地以及我国半导体行业的不断内生发展,还将有更多的中国半导体企业开展相应海外的兼并收购。不断的“走出去,引进来”获得先进的技术、专利或其他知识产权,包括技术人员,提高自主创新能力。

目前长电科技正在酝酿收购球第四大半导体封测企业新加坡星科金朋,如果此次并购成功,长电科技未来将在CSP、WLCSP、SiP、3D TSV等先进封装技术的竞争中取得更大的市场份额。同时,也有望进入全球封测行业第一阵营,营收规模甚至能超过全球第三大的矽品(SPIL)。

政策细则逐步实施,产业发展环境日趋向好

为确保国家信息安全,提高我国集成电路产业核心竞争力,2014年6月,出台《国家集成电路产业发展推进纲要》,其内容与《鼓励软件产业和集成电路产业发展的若干政策》(国发[2000]18号)和《进一步鼓励软件产业与集成电路产业发展的若干政策》(国发[2011]4号)一脉相承,但增加了三个亮点:一是加强组织领导,成立国家集成电路产业发展领导小组。二是设立国家集成电路产业发展投资基金。三是将加大金融支持力度将集成电路产业发展提升到了国家战略的高度。9月,国家集成电路产业投资基金正式设立。该基金将采取股权投资等多种形式,重点投资集成电路芯片制造业,兼顾芯片设计、封装测试、设备和材料等产业,推动企业提升产能水平和实行兼并重组,为我国集成电路产业突破投资瓶颈,提供有力保障。

展望2015年,在《推进纲要》的引导和推动下,各地方的集成电路产业扶持政策将密集出台,产业投资基金模式将成为首选,以协同配合国家基金的运作。我国集成电路产业发展的政策体系将得到进一步完善。但也需注意,密集的政策也容易导致执行者无所适从,难以充分理解和贯彻政策精神,同时也有可能导致政府对行业的过度干预,影响市场在资源配置中的绝对作用。

需要关注的几个问题

制造业发展将面临诸多压力

当前全球集成电路产业竞争格局,正逐渐由寡头垄断转变为寡头联盟,联盟之外的企业难以进入,而专利共享、技术共享也营造了各种小圈子,在这种情况下,中国企业想要凭一己之力占有一席之地,越来越困难。2014年10月,IBM以负盈利15亿美元方式,将旗下的芯片制造业务出售给了芯片代工厂商格罗方德。同时,IBM未来五年将投入30亿美元研发基础半导体技术,研究成果同步转移给格罗方德,格罗方德未来可能成为全球拥有最先进半导体技术的晶片代工厂。从目前全球芯片代工格局来看,台积电一家独大,市场占有率接近50%。格罗方德、联电、三星属于第二梯队,分列第二到四位,市场占有率分别为9%左右。格罗方德和IBM的此次交易,必将引起全球芯片代工竞争格局的变化。

未来,各家企业将会投入更多资源用于新技术的研发,以确保自身的技术竞争优势。中芯国际目前营收全球排名第五,市场占有率5%左右,28nm的高端制程落后于国外两代。虽然产业投资基金已经明确指出将重点支持集成电路制造业,但是从资金投入到真正实现产出效应,还需要一段较长的周期。因此,我国集成电路制造业在全球新一轮竞争中将面临更大挑战。

4G设备加速替代过程仍面临专利隐患

核心技术与知识产权的缺失,仍是制约我国集成电路产业发展的重要因素。自2013年11月至今,国家发改委对美国高通公司垄断调查事件已持续了一年之久,目前已经进入了最后处罚阶段。处罚将会涉及罚金以及调整专利费等几个方面。其中罚金或将超过10亿美元,但这对于年收入超过200亿美元的高通而言,影响相对较小。虽然调整专利授权费可能会一定程度影响高通的业绩,并可借此缓解我国手机芯片产业的发展压力。但是在4G技术方面,高通仍然具有强大的LTE技术优势,其专利总量远远超过3G。

2015年,随着国内4G设备对3G设备的加速替代,高通的众多LTE知识产权将陆续“变现”。届时,不但会对终端企业造成巨大的成本压力,其相互嵌套的专利布局也极易使国内芯片企业陷入专利陷阱。因此,如果核心技术创新能力不能跟上世界高端脚步,单单依靠反垄断手段来保护国内产业,那么,未来高端芯片对外依存度较高的局面仍不会较大改善,对我国集成电路产业发展而言也不是长久之计。

产业投资基金的落实面临挑战

集成电路产业发展投资基金已于2014年9月正式成立,下一步将面临基金如何投放使用的问题。一是如何在“发展产业”和“资本回报”之间找到平衡,如何在“短期利益”和“长期利益”中找到折中。二是如何在“重点支持”和“兼顾多方”中做出抉择,如何在“有竞争力的企业”和“有影响力的企业”中做出取舍。三是作为并购来说,国际上可并购的标的数量较少,而且相关国家和地区还对中国的收购加大限制,持抵制和反对态度,更加减少了并购标的的选择;并且产业投资基金的目的性和针对性过于明显,导致相关收购标的的价格便“居高不下”,所以如何兼顾产业发展的时间点和收购的时间点是一个非常重要的问题。四是国内相关领域具有可整合国际企业的本土企业管理团队非常少。

因此,在成功并购了国外企业之后,如何实施有效的管理,如何通过并购使国内企业和产业通过消化吸收做大做强,又成为一个亟待解决的问题。不能为了并购而并购,在补“全”还是补“强”我国集成电路产业的问题上,还是要从国内产业发展需求出发,根据相关企业的发展目标而实施。

此外,千亿元的投资基金看似庞大,实际细算下来可能仍然有所不足。从目前来看,这1200亿元资金将分5年投入,因此每年相当于不过200多亿元,加之还要分配到产业链的几个环节之上使用。这个数字与国际IC巨头每年投入相比仍有差距。集成电路产业有大者恒大的特点,目前我国企业虽然经过多年追赶实力有所提高,但总体上是落后的,再想追赶先进水平需要付出更大的努力。

应采取的对策建议

借力产业投资基金机遇,做大做强半导体制造业

一是加大投资,支持先进芯片生产线建设。伴随着《国家集成电路产业发展推进纲要》的落地以及1200亿产业发展投资基金的成立,芯片制造业迎来新一轮发展机遇。

应继续加大对集成电路制造龙头企业扶持力度,一方面支持32/28nm芯片生产线建设,形成与芯片设计业相适应的规模生产能力,另一方面加快立体工艺开发,推动22/20nm、16/14nm芯片生产线建设。二是鼓励芯片制造与设计厂商结盟,缩短研发周期。未来处理器芯片陆续将实现本土化生产,扶植以芯片制造为核心的产业链各环节的龙头企业,积极探索上下游环节虚拟一体化模式,共同推进处理器产品的设计服务、光罩制作、芯片生产、测试、封装以及故障、问题分析等工作,缩短产品上市周期。依托公共技术和服务平台,开展联合技术创新和品牌推广,实现上下游良性互动。三是推进企业兼并重组,提高竞争力。芯片制造业是典型的资金和技术密集型产业,其规模效应十分显著,因而要在强调自主创新的同时,做大产业规模。要鼓励芯片制造企业兼并重组,扩大规模,在知识产权、技术、设备、采购、人力资源、市场条件等方面形成优势,达到规模经济效益。鼓励集成电路制造企业通过资产联营、兼并、收购、参股、控股等手段增加企业融资渠道,优化产业资源配置,实现优势企业的强强联合,做大做优做强骨干企业,培育若干具有国际竞争力的集成电路制造企业。

加强处理器芯片核心技术研发,实现自主知识产权体系

一是加强自主芯片技术的专利布局。在使用专利交叉授权的基础上,加强处理器芯片的自主核心技术研发,组织芯片知识产权核开发,建设国家级知识产权核库,提高知识产权产品的可复用性,加快产品研发。在充分研究国内外市场的前提下,准确把握芯片技术的知识产权壁垒及自由操作领域,布局海外专利市场。二是建立芯片知识产权核标准。强化处理器芯片知识产权核测评与认证系统,根据国际上芯片知识产权核心标准的制定情况,建立与国内集成电路设计水平相适应,科学完善的知识产权核心技术标准体系,为国内企业知识产权和产品的质量和信誉提供证明,建设统一的市场竞争环境。三是完善芯片知识产权和保护体系。建设适合国内知识产权商业模式的交易体系和保护体系,对芯片技术成果采用专利权、商业秘密以及集成电路布图设计进行多角度保护。建立国内处理器芯片知识产权联盟,加强企业在知识产权方面的合作,交互授权,建立企业共享的知识产权池,从而快速增强国内芯片知识产权实力。

进一步完善融资体系,创新资源利用方式

第5篇:集成电路布图设计范文

关键词:全球价值链 产业集群 集成电路(IC)产业 产业优化升级

全球价值链下的产业升级理论回顾

随着科技的发展,全球化进程加快,跨国公司越来越注重分解生产链,并在全球范围内分配生产链,综合合理利用全球资源,寻求比较优势,从而达到减低成本的目的。在跨国公司的这一生产取向下,全球产业链现象越来越明显,并在此基础上产生产品价值来源的重新组合,即形成全球价值链。

全球价值链理论根源于20世纪80年代国际商业研究者提出和发展起来的价值链理论。从全球价值链角度出发,Kaplinsky(2002)认为存在四种不同层次的产业升级模式,从低到高、迭次推进的工艺流程升级、产品升级、产业功能升级和链条升级四种方式。

不同层次产业升级所要求的技术水平不同,创新人员涉及的综合素质要求不同,要求其为实现该层次创新的投入不同,面临的风险系数也不同,因此,升级的空间和带来的附加价值差别也十分巨大。工艺流程升级可以通过员工的短期技术培训、更换新设备、提高各工厂车间的生产配合等简单方式(也可以通过技术创新,如福特的汽车流水线)来实现,因此带来的附加价值最少;产品升级对技术的要求稍高,它需要研发更新的、更便利的、更实用的、更加高档的产品,获得的附加价值要高于产品工艺流程升级所带来的附加价值;功能升级要改变自身在价值链中的位置,从附加价值低的部分向附加价值高的部分转移,从而获得更高的附加价值;价值链条升级要求离开原来的价值链,寻求新的价值链。

上海IC产业现状分析

集成电路产业,即IC产业,已成为引导世界经济发展的中坚,该产业是否景气会引起世界范围内的经济波动。目前世界各主要国家和地区将IC产业作为战略性产业,并作为重点产业进行扶持和培养。IC产业是信息产业发展的基础和前提,也是信息产业的重要组成部分,IC产业的发展状况直接决定了该地区在产业链中的地位和位势。IC产业链主要由设计、制造、测试封装三个板块组成,相应地,企业也大致分为设计企业、IC制造企业、封装测试企业。

20世纪90年代末以来,在中央以及上海市政府的大力支持下,上海IC产业抓住世界集成电路产业结构调整以及产业转移的机遇,大力推进外资(特别是台资)集成电路产业向上海进行技术转移。随着中芯国际、宏力、泰隆、英特尔和IBM等制造、封装、测试项目以及威盛、智原、扬智、旭上、芯成等IC设计企业相继在上海落户,一条囊括设计、光罩、制造、封装测试以及设备、材料等支持服务在内的集成电路产业链初步形成,上海集成电路产业的整体水平大大提升。

2005年,上海市的集成电路设计业通过重点建设国家集成电路设计上海产业化基地和国家集成电路设计生产力促进中心,已在全国范围内“开创了基地式集群发展的先河”,综合发展能力开始在全国领先。至2005年11月,上海集成电路设计公司的数量已经从2000年初的17家发展到145家,数量占全国总量的25%;上海集成电路设计企业和个人获得国家集成电路布图设计登记,数量连续五年保持全国第一;上海设计企业标准工艺自主设计能力已从2000年的0.6微米跃升至2005年的0.13微米;上海集成电路设计业产值已从2000年的2亿多元发展到2004年的11.1亿元,年增长率达70%;上海集成电路设计企业凝聚了集成电路设计专业人才4000多人。

可见,自20世纪90年代以来,上海集成电路产业取得了长足进步。一个涵盖设计、封装、测试等上下游相关产业的集成电路产业链框架已形成。

由上可知,上海信息产业获得了较快的发展,但在世界信息产业链上的地位不高。按照附加价值高低可以将全球价值链分成四部分:第一部分为美国及部分欧洲国家所处的产业价值链的高端,他们拥有品牌,负责标准制定和产品研发以及系统集成,控制着核心产品和新产品的生产;第二部分为日本所处的次高端,日本是世界电子信息产业的第二大国,是世界消费电子产品的霸主,在微电子、光电子产品以及计算机方面仅次于美国,并具备较强的研发能力,尤其拥有精湛的生产工艺;第三部分为韩国、新加坡以及中国台湾地区等新兴国家和地区,他们处于产业价值链的中端,经过积累,他们已具备较好的生产技术,正发展成为集成电路等部分关键元器件的生产基地,并生产部分高端产品和新产品;而上海地区仍然处于产业价值链的低端,主要从事一般元器件的生产以及整机的加工和组装。

价值链在全球化的同时,本身的构成也发生着变化,使得价值链低端附加值低的部分更加边缘化,进一步降低该部分的附加值,相应地,高端部分附加值进一步提高,价值链弧度收缩,导致国际国内收入差距进一步扩大。国际上,随着跨国公司外包低价值链附加值部分,发达国家获取的收益越来越高,发展中国家的利益越来越少。

从国内来看,掌握大量资本和先进技术的群体可以从全球搜索利润,而劳动者由于低端产业转移面临就业困境。这就使得上海信息产业的进一步发展面临严峻的挑战。

上海IC产业发展存在的问题

从上海市近年来IC产业的发展状况来看,上海市已经成为我国IC产业的支柱之一;然而,从上海IC产业产值的分布来看,其产业结构不尽合理,发展面临众多挑战。

(一)缺乏技术创新能力且对外依赖度高

上海IC产业区技术提升的主要来源并不是大规模的自主研究和开发创新,FDI和众多跨国企业成为上海IC产业的主要资金供应渠道和技术创新源泉,上海IC产业因尚未掌握核心技术,而在国际技术标准上受制于人。信息产业技术处于主导地位的发达国家,为了保护自己对技术的垄断地位和国际竞争力,对出口技术和设备都严格控制。

例如上海集成电路产业是通过引进中国台湾的技术和资金建立起来的,一方面使上海集成电路产业在相对短时间内形成规模,并使中国大陆集成电路制造水平缩短了与国际先进技术的差距;另一方面使上海以集成电路为核心的信息技术产业进一步发展有赖于引进更多的台湾技术,形成技术发展过程中明显的“路径依赖”。

在技术的自主创新方面,上海研究开发费用R&D占GDP对信息产业增加值的关联度不够,对信息产业增加值的拉动作用不大。要维持信息产业的持续高速增长,上海在R&D经费的投入量、密集度、分配比例、人均研究经费、投入结构等方面要重点加强研究。上海地区IC产业的进一步发展要突破技术的瓶颈,仍然要充分利用国际技术扩散机制吸收、学习和积累技术,并提高自身的技术创新能力,逐步缩小甚至消除技术差距。

(二)产业结构不合理

上海ic产业结构不尽合理,自主创新能力弱,产品档次及增值含量低,而且大都集中在中低档次的消费类电子应用领域,大多局限于进口代替的仿制产品类,同时缺乏个性技术及产品,满足不了也跟不上应用市场的需求。

(三)缺乏吸引高素质人才的机制

上海ic产业对高素质人才的吸纳力度仍然欠缺。产业发展不仅取决于本地高校和在校生的多寡,更重要的如何能够吸引并留住人才。黄维德、陈万思(2005)关于上海信息产业人才流动的调查显示,信息产业人才供给的增长速度滞后于产业的发展速度,复合型技术管理人才极为短缺。在高强度的工作压力下,信息人才所享受的薪酬吸引力不够,获得的培训机会不多,工作满意度不高。企业缺乏对人力资本投资的足够重视,使人才高度流动难以长期沉淀和集聚。

(四)产业发展融资方式不足

作为知识经济的核心,ic产业发展过程中需要巨额资本投入,特别是对r&d的投资,但目前上海ic产业由于资本短缺、融资困难,许多新技术、新产品因缺少资本支持而不能投入生产、经营和产业化,错失市场机会。

促进上海ic产业升级的对策

综上所述,ic产业价值链上附加价值最高的部分是研发过程和市场营销过程。国际上也普遍认为电子信息产业及其价值链发展不可或缺的基础和保障条件是ic产业的发展。为促进上海ic产业快速发展,并提高其产品国际竞争力,本文提出以下对策:

(一)提升产品附加价值以提高其国际竞争力

从上海ic产业在世界产业链中的地位及产业升级层次来看,上海ic产业在价值链上实现了工艺流程升级和部分的产品升级,取得了一定的成功,带动了全国ic产业的发展。随着价值链构成的变化,工艺流程升级和产品升级附加价值提升空间缩小,升级难度系数也不断增大,只有转向功能升级和价值链条升级,才能进一步提升附加价值,提高在全球产业链中的地位和位势,提高ic产品国际竞争力,加快国家信息产业的发展。

(二)加强政府扶持力度

第6篇:集成电路布图设计范文

EDA是电子设计自动化(ElectronicDesignAutomation)的缩写,是从CAD(计算机辅助设计)、CAM(计算机辅助制造)、CAT(计算机辅助测试)和CAE(计算机辅助工程)的概念发展而来的。EDA技术是以计算机为工具,集数据库、图形学、图论与拓扑逻辑、计算数学、优化理论等多学科最新理论于一体,是计算机信息技术、微电子技术、电路理论、信息分析与信号处理的结晶。

2EDA技术的发展过程

EDA技术的发展过程反映了近代电子产品设计技术的一段历史进程,大致分为3个时期。

1)初级阶段:早期阶段即是CAD(ComputerAssistDesign)阶段,大致在20世纪70年代,当时中小规模集成电路已经出现,传统的手工制图设计印刷电路板和集成电路的方法效率低、花费大、制造周期长。

人们开始借助于计算机完成印制电路板一PCB设计,将产品设计过程中高重复性的繁杂劳动如布图布线工作用二维平面图形编辑与分析的CAD工具代替,主要功能是交互图形编辑,设计规则检查,解决晶体管级版图设计、PCB布局布线、门级电路模拟和测试。

2)发展阶段:20世纪80年代是EDA技术的发展和完善阶段,即进入到CAE(ComputerAssistEngineeringDesign)阶段。由于集成电路规模的逐步扩大和电子系统的日趋复杂,人们进一步开发设计软件,将各个CAD工具集成为系统,从而加强了电路功能设计和结构设计,该时期的EDA技术已经延伸到半导体芯片的设计,生产出可编程半导体芯片。

3)成熟阶段:20世纪90年代以后微电子技术突飞猛进,一个芯片上可以集成几百万、几千万乃至上亿个晶体管,这给EDA技术提出了更高的要求,也促进了EDA技术的大发展。各公司相继开发出了大规模的EDA软件系统,这时出现了以高级语言描述、系统级仿真和综合技术为特征的EDA技术。

3EDA技术的特点

EDA技术代表了当今电子设计技术的最新发展方向,它的基本特征是采用高级语言描述,即硬件描述语言HDL(HardwareDescriptionLanguage),就是可以描述硬件电路的功能。信号连接关系及定时关系的语言。它比电原理图更有效地表示硬件电路的特性,同时具有系统仿真和综合能力,具体归纳为以下几点:

1)现代化EDA技术大多采用“自顶向下(Top-Down)”的设计程序,从而确保设计方案整体的合理和优化,避免“自底向上(Bottom-up)”设计过程使局部优化,整体结构较差的缺陷。

2)HDL给设计带来很多优点:①语言公开可利用;②语言描述范围宽广;③使设计与工艺无关;④可以系统编程和现场编程,使设计便于交流、保存、修改和重复使用,能够实现在线升级。

3)自动化程度高,设计过程中随时可以进行各级的仿真、纠错和调试,使设计者能早期发现结构设计上的错误,避免设计工作的浪费,同时设计人员可以抛开一些具体细节问题,从而把主要精力集中在系统的开发上,保证设计的高效率、低成本,且产品开发周期短、循环快。

4)可以并行操作,现代EDA技术建立了并行工程框架结构的工作环境。从而保证和支持多人同时并行地进行电子系统的设计和开发。

4EDA技术的作用

EDA技术在电子工程设计中发挥着不可替代的作用,主要表现在以下几个方面:

4.1验证电路设计方案的正确性

设计方案确定之后,首先采用系统仿真或结构模拟的方法验证设计方案的可行性,这只要确定系统各个环节的传递函数(数学模型)便可实现。这种系统仿真技术可推广应用于非电专业的系统设计,或某种新理论、新构思的设计方案。仿真之后对构成系统的各电路结构进行模拟分析,以判断电路结构设计的正确性及性能指标的可实现性。这种量化分析方法对于提高工程设计水平和产品质量,具有重要的指导意义。

4.2电路特性的优化设计

元器件的容差和工作环境温度将对电路的稳定性产生影响。传统的设计方法很难对这种影响进行全面的分析,也就很难实现整体的优化设计。EDA技术中的温度分析和统计分析功能可以分析各种温度条件下的电路特性,便于确定最佳元件参数、最佳电路结构以及适当的系统稳定裕度,真正做到优化设计。

4.3实现电路特性的模拟测试

电子电路设计过程中,大量的工作是数据测试和特性分析。但是受测试手段和仪器精度所限,测试问题很多。采用EDA技术后,可以方便地实现全功能测试。

5EDA技术的软件

目前EDA技术的软件很多,如EWB、PROTELL等。

1)EWB(ElectronicsWorkbench)软件。EWB是基于PC平台的电子设计软件,由加拿大InteractiveImageTechnologiesLtd.公司研制开发,该软件具有以下特点:①集成化工具:一体化设计环境可将原理图编辑、SPICE仿真和波形分析、仿真电路的在线修改、选用虚拟仪器、借助14种分析工具输出结果等操作在一个集成系统中完成。②仿真器:交互式32位SPICE强化支持自然方式的模拟、数字和数/模混合元件。自动插入信号转换界面,支持多级层次化元件的嵌套,对电路的大小和复杂没有限制。只有提供原理图网络表和输入信号,打开仿真开关就会在一定的时间内将仿真结果输出。③原理图输入:鼠标点击一拖动界面,点一点自动连线。分层的工作环境,手工调整元器件时自动重排线路,自动分配元器件的参考编号,对元器件尺寸大小没有限制。④分析:虚拟测试设备能提供快捷、简单的分析。主要包括直流工作点、瞬态、交流频率扫描、付立叶、噪声、失真度、参数扫描、零极点、传递函数、直流灵敏度、最差情况、蒙特卡洛法等14种分析工具,可以在线显示图形并具有很大的灵活性。⑤设计文件夹:同时储存所有的设计电路信息,包括电路结构、SHCE参数、所有使用模型的设置和拷贝。全部存放在一个设计文件中,便于设计数据共享以及丢失或损坏的数据恢复。⑥接口:标准的SPICE网表,既可以输入其他CAD生成的SHCE网络连接表并行成原理图供EWB使用,也可以将原理图输出到其他PCS工具中直接制作线路板。

2)PROTEL软件。广泛应用的Protel99主要分为两大部分:用于电路原理图的设计原理图设计系统(AdvancedSchematic)和用于印刷电路板设计的印刷电路板设计系统(AdvancedPCB)。

第7篇:集成电路布图设计范文

关键词:无人机;AC/DC电源;电源小型化设计;PCB

中图分类号:TN710 文献标识码:B 文章编号:1004-373X(2008)02-079-02

The Minimize Designing for AC/DC Converter of UAV

LIU Changliang,LI Chunjun,CHENG Jian

(UAV Mechano-electrical Teaching Room,Wuhan Mechanical Technology Academy,Wuhan,430075,China)オ

Abstract:The requirements of development of AC/DC converter in UAV is introduced.In this paper,the difficulty of minimize design for this converter is analyzed.Using the system optimization design method to research the components of converter,by components replacing,structure rebuilding,circuits integrating,AC/DC converter is minimized and kept the cost low.Making it more effective and more flexible is vital for promoting the capability of UAV.

Keywords:UAV;AC/DC converter;electric power;minimize design;PCBオ

1 引 言

无人机机载AC/DC电源输入发电机产生的交流电,经整流、滤波后得到满足仪器要求的直流电。无人机系统功能的不断增强对其AC/DC电源也提出了向轻、小、薄、低噪声、高可靠、抗干扰发展的要求,而在该电源系统中,体积相对较大的滤波电容器是必不可少的,同时因遇到安全标准(如UL,CCEE等)及EMC指令的限制(如IEC,FCC,CSA),交流输入侧必须加EMC滤波及使用符合安全标准的元件,这样就更加限制了电源体积的小型化。

另外,由于内部的高频、高压、大电流开关动作,使得解决EMC电磁兼容问题难度加大,同时电源的工作消耗增大,也限制了AC/DC变换器模块化的进程,必须采用系统优化设计方法才能满足小型化的实际需要。

2 设计的主要目标分析

电源功效必须尽可能的高 虽然在实际应用中最耗能的是微处理器,但是技术的进步仍然要求电源进一步提高功效。功效越高所需的散热片就越小,才能节省系统空间。

电源成本必须尽可能的低 无论是原材料成本还是制造复杂性方面。考虑功能的简单设计是重要因素。控制和报警信号、和同类设备的均流以及在各种交流输入情况下保持稳定性能等都是非常重要的。

由图1所示的AC/DC电源电路结构框图可以看出,要在保证性能和功能的前提下将电源的大小和成本最小化至少应从以下几个方面入手。

2.1 使用两阶式输入滤波器

使用一个两阶式滤波器可以使电源外形最小化,并实现高共模和微分降噪。如果垂直堆叠组件,则可以节省板空间,同时改进了冷却。

2.2 在功率因数校正电路(PFC)中考虑采用碳化硅二极管

由于碳化硅二极管的成本有所下降,可以将其作为降低成本和电源大小的一个途径。碳化硅二极管的反向电流特性使系统可以不需要缓冲电路,因此可以节省5~6个组件。同时由于碳化硅二极管的应用,功效可提高1%。若使用阶梯感应器,则可在高输入线时提供高感应,在低输入线时支持最可能大的流量密度。在输入范围中使用连续感应模式(CCM)操作,可以保持最小的峰值转换电流和输入滤波器要求。

2.3 在主变流器中采用新型材料建构谐振拓扑

在该电路中使用谐振拓扑可以基本消除开关损耗。在功率晶体管中以陶瓷基片代替金属基片可以减少噪音,并因此简化滤波过程。这是因为散热片没有与开关MOSFETS的损耗相耦合的电容。这样不仅提高电源效率,而且使电源可以使用更小的散热片。另外,使用陶瓷散热片时的爬电距离比金属散热片所需的距离要短,这就进一步节省PCB板的空间。

2.4 使用开关式MOSFETS代替传统的输出整流器

开关式MOSFETS同步整流可以极大地降低功耗,从而提高功效。比如,一个正向电压为0.5 V的二极管在20 A时的功耗为10 W。而如果使用一个开启时电阻为14 MΩ的MOSFET,功耗最大只有5.6 W,与二极管的功耗相比小44%。这里也可以用陶瓷陶瓷基片来代替传统的散热片。

2.5 采用集成化的控制电路

集成化控制电路可以减少组件数量、降低制造成本并节省PCB板空间,因此,即使集成电路本身比离散组件更昂贵,从衡量电源的体积大小以及整体性能上来考虑,运用集成电路也是合理的。例如IR1150这种PFC芯片作为单循环控制(OCC)设备使用,就可以在保持电源系统性能的同时大大减少元组件数量。

同样,可以通过特殊应用芯片来进行主转换器电压控制、过电流保护、过电压保护和过温度保护,并控制输出整流器转换。另外,还可以通过同步单启动分源、借助逻辑控制关闭电源的抑制电路、“电源状态良好”信号、备用转换器控制功能等控制渠道来提高应用的灵活性。当交流电源存在时,备用转换器可以单独提供5 V的输出。

3 优化PCB板的设计与制作

根据从原理图到PCB板的设计制定科学流程,如图2所示。

需要注意如下事项:

(1) 滤波电容、电源开关或整流器、电感或变压器应彼此相邻地进行放置,调整元件位置使他们之间的电流路径尽可能短。

(2) 建立开关电源布局应按照如下的流程:放置变压器、设计电源开关电流回路、设计输出整流器电流回路、连接到交流电源电路的控制电路、设计输入电流源回路和输入滤波器、设计输出负载回路和输出滤波器。

(3) 根据电路的功能单元,对电路的全部元器件进行布局要考虑PCB尺寸大小,放置器件时要考虑焊接;以每个功能电路的核心元件为中心进行布局。

(4) 元器件均匀、整齐、紧凑地排列在PCB上,尽量减少和缩短各元器件之间的引线和连接,去耦电容尽量靠近器件的VCC。在高频下工作的电路,要考虑元器件之间的分布参数。一般电路应尽可能地使元器件平行排列,美观且易焊装。

(5) 按照电路的流程安排各个功能电路单元的位置,使布局便于信号流通,并且使信号尽可能保持方向一致。布局的首要原则是保证布线的布通率,移动器件时注意飞线的连接,把有连线关系的器件放在一起。尽可能地减小环路面积以抑制开关电源的辐射干扰。

(6) 复查PCB的内容包括设计规则、层定义、线宽、间距、焊盘、过孔设置,还要重点复查器件布局的合理性,电源、地线网络的走线,高速时钟网络的走线与屏蔽,去耦电容的摆放和连接等。

通过上述系统层面上的分析,立足于现有技术,在最大可能的程度上缩小了AC/DC电源的体积,同时保持了电源的制造成本。如要继续取得突破,则须在基础电子元件的研发上下功夫。

参 考 文 献

[1]Jiayuan Fang,Jin Zhao.The Power of Planes - Low Impedance Power Delivery over Broad Frequencies[J].Printed Circuit Design & Manufacturing Magazine,2003.

[2]顾海州,马双武.PCB电磁兼容技术[CD2]设计实践[M].北京:清华大学出版社,2004.

第8篇:集成电路布图设计范文

    黑龙江省为鼓励企业获取知识产权推出新举措,《哈尔滨开发区企业知识产权奖励暂行办法》近日出台,据此,开发区企业申请专利最高可获奖金1万元。

    该办法规定:2003年1月1日~2005年12月31日期间,开发区企业申请发明专利、实用新型专利、外观设计专利、集成电路布图设计、国内外商标、计算机软件著作权或产品登记的均有不同额度的奖金。

    据介绍,设立开发区知识产权专项奖励资金,目的是提升开发区企业创新能力和综合竞争能力,扶持和保护开发区具有自主知识产权的高新技术产业的发展。

第9篇:集成电路布图设计范文

企业简介

福州瑞芯微电子有限公司系国家认定的高新技术企业和集成电路设计企业,专业从事数字音视频、移动多媒体SoC芯片设计。公司产品主要用于个人移动信息终端MID、平板电脑、手机、电子书、信息机和PMP等。2006年至2008年,连续三年获得由信息产业部颁发的中国半导体设计领域的最高荣誉“中国芯”评选的最佳市场表现奖。2009年获“中国芯”评选的最佳设计企业奖。

芯片概述

瑞芯RK2818方案采用了ARM(微处理器)+DSP(数字信号处理器)+GPU(图形处理器)的芯片架构,65纳米生产工艺,支持流行的Android 2.1R2(Eclair)版本操作系统,并将在后期提供更新的2.2版本升级支持;RK2818方案选用DDRII内存,可支持128MB-5 12MB容量,软件运行流畅度显著提升,并支持24bitECC MLC闪存(2G-32GB容量)。瑞芯RK2818支持800×480,800×600,1024×600分辨率触摸屏,支持YouTube与其它在线视频、兼容720P高清播放,并支持HTML5视频播放、高速网页浏览与下载功能,满足用户对于Web2.0网络应用的需求;在扩展方面,RK2818支持Wi-Fi/3G模块(TD-SCDMA,WCDMA,CDMA2000IXEV-DO),覆盖各类无线网络模式,同时兼容2.0OTG与1.1HOST,并支持拍照和摄像功能,适应市场的差异化需要。

芯片封装形式:BGA 324pin

生产工艺:65纳米生产工艺

主要功能和技术指标

架构:RK2818(ARM+DSP+GPU)660MHz:

操作系统:Android 2.1R2(Eclair);

GMAP:支持(google);

GOOGLE MARKET:支持(google);

IM(Gtalk):支持(google)

Gmail:支持(google)

浏览:支持高速浏览器上网和下载功能;

3G:支持内置和外置3G模块(TD,WCDMA,EVDO);

在线视频:支持土豆,优酷的视频在线播放,支持HTML5视频播放,如live.省略;

全系列音频格式:包括MP3/WMA/APE/FLAC/AAC/OGG/AC3/WAV;

视频格式支持:Max.1280*720 MKV(H.264HP)AVI RM/RMVB FLV WMV9 MP4;

图片格式支持:Max.8000x8000 JPEG BMPGIFPNG;

第三方软件支持:QQ,MSN,IREAD,OFFICE,GAME等大量第三方软件支持;

升级功能:支持工具及在线升级等;

支持wifi通话:可以借助第三方软件,也可以自行构建协议和服务器实现;

USB:兼容2.0 OTG与1.1HOST。

本产品所获得的专利

已受理专利3项

二、硅谷数模半导体(北京)有限公司――超低功耗HDM 11.3发送芯片 ANX7150

企业简介

硅谷数模半导体于2002年成立,公司研发中心位于北京中关村,目前拥有员工100余人,80%以上具有硕士以上学历,研发工程师大多来自清华大学、北京大学、中科院等高等院校。硅谷数模成立至今,得到了海内外诸多风险投资的支持,并以此为依托获得了迅猛、巨大的发展速度。

硅谷数模主要为通信、PC、消费电子类厂商,提供高速接口芯片,从而克服其原有系统在带宽和成本上的瓶颈,极大限度地提高系统性能。迄今为止,硅谷数模的产品线已经覆盖面向数字电视等的高清多媒体接口HDMI,面向PC等设备的下一代显示接口DisplayPort,面向背板及系统问的高速互联的6.25Gbps SerDes,面向以太网的长距离传输的长距离以太网PHY和IP解决方案。

芯片概述

硅谷数模半导体(Analogix Semiconductor)针对便携式媒体设备推出超低功耗HDM11.3传输器芯片――ANX7150。ANX7150基于Analogix的CircuitDesign专利技术,将功耗降到了同类型芯片的10%以下,该芯片输出480p的视频时只有1roW,而在输出720p/1080i的视频时功耗也同样仅为2mW。ANX7150将HDMI接口芯片的功耗大大降低,使HDMI接口得以运用于便携式电子产品中。

动辄几百毫瓦的功耗问题一直是便携式产品在引用HDMI接口的主要技术瓶颈,该技术回收HDMI链路中一般会浪费掉的电力,并重新利用,使得芯片无需从设备电池中吸取能量,不耗损电池寿命,延迟设备续航时间。

芯片封装形式:48 pin QFN,80 pin LQFP,81baliBGA

生产工艺:TSMC 0.18μm工艺

主要功能和技术指标

NX7150在拥有极低的功耗和极强的兼容性的同时,支持HDM11.3和HDCP1.2标准,性能优越足以支持便携类电子的要求,其主要特性如下:

1.支持1080p,支持像素时钟高达165Mpixel/s;

2.24位数字视频输入模式,支持24-bit RGB/YCbCr4:4:4,16/20/24-bit YCbCr 4:2:2,8/10/12-bitYC Mux(ITU.601and 656)等多种模式;

3.支持多种先进的数字音频,包括S/PDIF(PCM,Dolby Digital,DTS),8声道12S(DolbyDigital和DVD―Audio),6声道1-bit音频;

4.每链路7.5 Gbps带宽

5.向后兼容DV11.1标准;

6.支持HDCP1.2内容保护;

7.软件可调的电源管理;

8.内建的自测试功能;

9.可编程的信号输出幅度调节和预加重功能:

10.支持1.8V和3.3V电压;

11.封装规格为:48-pin QFN(6*6mm),80-pinTQFP(14*14mm),和81-pin BGA(4.2*4.2mm):

本产品获奖情况

曾荣获第四届(2009年度)中国半导体创新产品和技术奖集成电路产品和技术奖项。

三、北京君正集成电路有限公司――应用处理器JZ4760

企业简介

北京君正集成电路股份有限公司于2005年在北京市中关村科技园区成立,自成立以来始终致力于国产创新CPU技术和处理器芯片的研制和产业化,目前已发展成为国内外领先的32位嵌入式处理器芯片及其相关解决方案提供商。2009年,君正被中国半导体协会评为“中国最具成长性集成电路设计企业”;同年,JZ4740获得第四届“中国芯”最佳

市场表现奖。

北京君正拥有全球领先的32位CPU技术和低功耗技术。针对手持应用和移动多媒体应用,北京君正创造性地推出了其独特的32位XBurst CPU技术。XBurst的主频、面积和功耗均领先于工业界现有的32位RISC微处理器内核。在同样工艺下,XBurst主频是同类产品的1.5倍,面积是同类产品的1/2,功耗是同类产品的1/4。

芯片概述

JZ4760是大陆本土首颗面向智能手机、平板电脑等移动设备的双核CPU应用处理器芯片,采用君正自主创新的XBurst双核CPU微体系架构,是国产CPU首次进人智能手机和平板电脑领域。JZ4760芯片CPU主频达600MHz,支持720P高清解码和图形处理功能,与同类芯片相比具有最优的性价比和最低的运行功耗,支持Android、Linux、RTOS等操作系统,适用于智能手机、平板电脑、移动互联网电视等移动互联网终端产品。

JZ4760凭借优异的性价比和低功耗优势,自2010年4月样片测试OK后,在Android智能手机、平板电脑、电子书等领域均有国内顶级客户选用JZ4760芯片开案。其中,上海展英通采用JZ4760芯片设计的智能手机进入量产阶段,这是全球首款采用国内AP芯片量产的Android智能手机,领先于MTK、瑞芯微、海思等国内处理器厂商的进度。

在芯片推出仅2个多月的时间里,JZ4760智能手机方案和平板电脑方案相继量产,JZ4760芯片出货量超过6万颗,销售收入达到365.9万元。面对国内AP市场每年超过一百亿元的市场空间,JZ4760市场前景广阔。

对国产CPU来说,产业化瓶颈已经打破,但应用领域基本集中在PMP、教育电子、指纹识别等细分市场并获得市场领先地位。如果国产CPU能够成功进入智能手机、平板电脑等主流市场,将是国产CPU继产业化成功后的又一重大突破。JZ4760芯片在移动互联设备的成功将是实现这一突破的关键。

芯片封装形式:BGA345

生产工艺:0.13um

主要功能和技术指标

JZ4760是一款高性能、高集成度、超低功耗的应用处理器芯片,内置强大的多媒体处理器、图形处理器和GPS基带接收器,支持DDR2 SDRAM和24位ECC校验,超低功耗,适用于智能手机、平板电脑、GPS导航仪等移动设备。

JZ4760基于君正创新的XBurst双核CPU微体系架构,CPU主频达到600MHz,支持多媒体指令集XBurst SIMD2,内置高效灵活的视频引擎支持多格式高清解码,H.264、ReM、MPEG4解码能力可达720P分辨率。内置音频CODEC和TV Encoder,集成了丰富的通用外设接口,同时集成多个SPI、SDIO接口用于功能扩展。

本产品所获得的专利

已受理专利2项

四、盛科网络(苏州)有限公司――高端以太网交换芯片CTC6048-Humber

企业简介

盛科网络(苏州)有限公司是由有多年高端芯片研发经验的归国留学生,以及来自华为、中兴等国内外知名公司的市场、管理和工程人员共同创办一家高科技创新型企业。2005年1月成立,注册资本988.9万美元。主要从事“自主IP/以太网路由交换核心芯片组及定制化系统解决方案的研发和产业化”,总部位于苏州工业园区。

经过近五年的技术积累,盛科在数据通信领域的技术已经处于中国领先,世界先进水平,拥有自主世界级竞争力的核心技术。到目前为止,盛科已成功开发3款具有国际先进水平的核心芯片,和3个系列成熟的定制化解决方案。

芯片概述

CTC-6048(Humber)是盛科自主研发的,具备完全自主知识产权的以太网核心路由交换芯片。该芯片性能和功能达到了国际领先水平,也是国内唯一的高性能以太网核心芯片。

该芯片是一款绿色节能的高性能、支持多业务(语音、数据、视频)融合、功能强大的IP包处理芯片。采用65nm工艺,工作主频575MHz,CPU接口位宽32位,数据位宽达到256比特,内部交换容量达到100Gbps。芯片内部包含多个MAC接口、数据入口处理引擎(IPE)、数据出口处理引擎(EPE)、报文数据通路控制(BSR)及交换网接口,网络侧提供48个10/100/1000M以太网接口或8个万兆以太网接口,上联口提供16根高速SerDes,可以与交换矩阵互联,或提供4个万兆以太网接口。每条SerDes功耗小于100毫瓦,设计技术和制造工艺均达到国际一流水平。

芯片提供了二层,三层,MPLS,城域以太网等多种先进的协议和技术。可广泛应用于城域以太网,PTN,三网融合,无线回传,工业控制等多个领域。

芯片封装形式:FC-PBGA1520

生产工艺:65nm工艺

主要功能和技术指标

强大的处理能力

出色的交换能力

先进的工艺设计

硬件集成多种先进功能

完全支持IPv4和IPv6双栈处理

强大的QoS功能

领先的以太网OAM&APS

丰富的安全功能

方便的统计功能

标准规格

本产品所获得的专利

已受理专利24项;已获取专利1项。五、北京华大信安科技有限公司――基于ECC的客户端安全芯片IS32U256A

企业简介

北京华大信安科技有限公司(简称“华大信安”)成立于2005年3月,注册资本为1670万元,公司的前身海南信安数据系统有限公司(简称“海南信安”)创建于2000年5月,是以椭圆曲线密码(ECC)算法理论及应用技术研究为主的信息安全企业。

公司的主营业务如下:

信息安全芯片开发与销售、信息安全IP核设计与销售;

信息安全芯片设计服务、信息安全应用技术服务;

基于安全芯片的应用产品开发与市场推广。

华大信安已经成为信息安全领域中拥有自主知识产权密码和算法核心技术的集成电路设计企业,获得了《高新技术企业批准证书》和《集成电路设计企业认定证书》。公司自成立至今一直是商用密码生产定点企业和销售许可企业,具有设计开发、生产和销售商用密码产品的合法资格。

芯片概述

ECC是一种主流的公钥密码算法,可以广泛应用于需要信息加密和认证的各种领域中。由于ECC相对于目前主要应用的公钥密码算法一RSA具有全方面的技术优势(更强的安全性、更高的实现效率、更省的实现代价),已经被诸多国际和国家标准组织采纳为下一代的公钥密码算法标准(IEEE P1363、ANSI X9、FIPS、ISO/IEC和IETF等),逐步取代RSA的趋势日趋明显。

华大信安作为第一完成单位,参与了ECC国家标准算法(sM2)的制定,为SM2算法贡献了具有自主知识产权的核心技术成果。SM2将在我国电子

政务、电子商务、网络银行、数字电视条件接收系统(CAS)、数字版权保护(DRM)、可信计算、移动通讯安全等领域得到广泛应用。

芯片封装形式:LQFP48、LQFP44、SOP24、SSOP20、模块封装

生产工艺:HJTC 0.18um PFLASH

主要功能和技术指标

产品执行国家标准密码算法:SM1、SM2、SM3、SM4和SSF33。

产品执行国际标准密码算法:IEEE P1363、FIPS186-2、ANSI X9.62。

本产品所获得的专利

已受理专利5项;已获取专利4项。六、北京中电华大电子设计有限责任公司――802.11n全集成射频心芯片

HED09W06RN

企业简介

北京中电华大电子设计有限责任公司(以下简称华大电子)成立于2002年6月,其前身为中国大陆第一家集成电路设计机构一中国华大集成电路设计中心。2009年9月,华大电子成为香港上市公司中国电子集团控股有限公司(00085.HKSE)的全资子公司。

华大电子是专业从事集成电路设计开发销售以及提供解决方案的集成电路设计企业,产品主要应用在智能卡以及无线通信领域。我们经常使用的第二代居民身份证、社保卡、加油卡、电信卡、购电卡、交通卡、无线网络设备等,无不嵌入华大电子的芯片产品。

型号:HED09W06RN

芯片概述

HED09W05SNA是一款高集成度,高性价比,支持802.11n 1T1R的WLAN网络接口控制器,内部集成了USB 2.0接口、PCI接口、MAC、BB、ADC、DAC,符合GB15629.11-2006、IEEE802.11a/b/g/e/i/n draft4.0/wapi 2.0标准。本款芯片采用双总线结构,分别用于寄存器控制和数据传输,有效提高芯片的性能,降低芯片的设计难度。

这款芯片集成了USB 2.0和PCI两种主机接口,分别对应LQFP-80和LQFP-144两种封装形式,能够满足客户不同主机接口下的应用要求。包括USB 2.0,PCI,Mini-PCI,Cardbus等。

HED09W05SNA作为可以支持802.11b/g/n的芯片,它支持DSSS(直接序列扩频)以及OFDM(正交频分复用)调制方式,具备良好的数据解忧能力,支持多种不同的数据传输速率。支持normalguard interval和short guard intmval。最高的物理层速率为150Mbps。

HED09W05SNA在芯片安全方面,在b/g/n模式F,支持WEP64、WEP128、TKIP、CCMP、WAPI加密。对于11n物理层速率下的发送帧,采用WEP64、WEP128、TKIP方式的加密帧,不支持A-MPDU聚合。CCMP、WAPI两种加密方式下数据传输性能和开放模式下传输性能基本相当。

HED09W05SNA芯片具有机制,在USB接口下将PCI模块节能,在PCI接口下将USB接口节能。在两种主机接口下,都可以软件控制本芯片进行节能和控制片外RF进行节能。其次还可以自适应的根据工作模式进行时钟管理,以最大限度的节省站点系统的能耗。此外,它还支持国际标准限定的省电模式:BSS中的PS-POLL节能机制,802.11eU-APSD节能机制,WiFi WMM-PS节能机制,从而使整个系统实现低功耗。

HED09W05SNA芯片支持软AP功能,可以实现同时组建5个SSID网络,实现5个独立AP的功能。支持建立多组播网络功能。可以实现作为STA加入别的网络的同时,自己又作为AP建立BSS网络的功能。

HED09W05SNA支持PIN Code WPS方式,从而让用户采用“傻瓜式”式操作即可以实现加密的完全网络,保证信息的安全性。

HED09W05SNA在USB接口形式下,其固件可以来自片内ROM,也可以来自使用12C或者SPI访问的片外EEPROM,提供的方式灵活,方便用户做更为特殊的开发。来自12C或者SPI的固件加载支持CRC检测,CRC检测不通过将进行最多3次的重复加载,保证了固件加载的可靠性。

本产品是国内首款支持802.11n标准的芯片产品,占据了国内领先地位,在国际业界达到了中游产品水品,对Atheros、Marvell、Ralink等知名WLAN芯片提供上在国内市场构成巨大竞争。推进了WAPI国家标准的产业化进程,加快了我国自主设计开发的WLAN核心芯片组的产业化,推动自主的无线局域网产业顺利发展。

芯片封装形式:LQFP80

生产工艺:130nm

主要功能和技术指标

OFrequency range:2.4~2.5GHz(14通道)

PLL/VCO累积噪声:0.5degree integration PN-(40dBc)

OPLIJVCO调整步长:80Hz/step

OPLL/VCO switch时间:

Low Pass Filter:7~22MHz(支持40MHz模式)

RX/Tx EVM:RX < -33dB;TX < -28dB

@13dBm Balun output )

PA Power: > 13dBm @ 54Mbps

RX/TX gain control range:RX: 100dB

-10dB - 90dB ) ;TX: 25dB ( -15dB - 10dB )

RF input range: -65dBm ~-5dBm@28dB SNR

NF: - 5 dB

RX BB output: Rx BB output: Vrms> 300mV

Vpp: 848mV )

Tx BB input:Tx BB input: Vrms> 100mV

Vpp: 283mV )

Crvstal tolerance : About +/- 2ppm

LO frequency stability: +/- 1KHz

Rx gain switch time : < 200ns

RXIN ( ADC common volt. ) :0.6V, 0.9V, 1.25Vthree mode

TXIN ( DAC common volt. ) :Support all cases( =0.7V bypass Mode )

Tx switch time : About 600ns

Power Consumption: 1RX - 70mA ( 126row );1TX~500mW

七、美新半导体(无锡)有限公司――新型磁传感器MMC214 MMC3140

企业简介

美新半导体(无锡)有限公司是一家成立于1999年由海归高端人才赵阳博士创办的企业,是全球首家将微电子系统和混合信号处理电路集成于单一芯片的惯性传感器公司,其电子微机电、微加工集成技术目前居全球领先水平。美新公司2007年在美国纳斯达克上市。

美新共有员工205人,其中研发人员46人,公司有博士5人,硕士15人。集中研发各类MEMS传感器、应用方案及系统解决方案;随着物联网在国内的兴起,公司正在积极开发国际先进的无线传感网系统解决方案,为物联网在国内的顺利发展提供核心技术及器件。公司目前申请发明专利共59项,拥有发明专利22项、实用新型专利10项。

芯片概述

新型MEMS磁传感器广泛用于移动消费类电子产品(如手机)与汽车电子、工业应用等高端传感器件。目前市场容量超过10亿美元,普通磁传感器由于存在体积大、功耗高、检测分辨率低、第三轴磁性传感灵敏度差等缺点已不能满足高端市场需求。本项目采用MEMS技术和CMOS大规模标准集成电路工艺,制备出体积小、重量轻、低成本、可批量生产的新型磁传感器,可以和Ic实现系统集成,并能扩展集成其它MEMS传感器。公司开发的新型MEMS磁传感器技术性能指标达到国际先进水平,填补国内空白。项目的实施对于支持江苏省整个MEMS产业发展,以及相应汽车与消费电子配套产业发展都将起到积极作用。

随着CMOS技术和MEMS技术的发展,微电子机械系统(MEMS)制造技术为磁传感器的小型化、微型化奠定了可靠的基础。它实现了直接将磁传感器件与CMOS电路集成到同一封装体中,降低了器件成本,同时具有非接触测量、高可靠、坚固耐用、测量灵敏度高等特点,能够完成许多常规尺寸磁传感器不能完成任务,是磁传感器件发展必然趋势。

新型磁传感器将消费类电子和汽车电子作为目标市场,技术发展方向为:

1)采用标准CMOS大规模制造工艺制备磁数模混合信号处理电路,从而有效降低生产成本;

2)优化芯片设计,有效降低芯片功耗和芯片尺寸,使其适用于各类低功耗要求的手持式设备;

3)开发设计与MEMS磁传感器相匹配的嵌入软件,采用软件自动校准传感器,同时可以动态地补偿磁干扰引起的误差,能够更有效为用户提供精确与便捷的应用解决方案。

目前,仅有国外PNI、HoneyWell、Aichi等跨国大公司能够生产新型MEMS磁传感器,国内还没有一家厂家能生产出类似的磁传感器。国外公司在磁传感器方面已申请多项专利,形成对我国MEMS磁传感器发展的专利壁垒。

美新公司开发的新型MEMS磁性传感器,性能达到并部分超过国际先进水平,打破了国际跨国大公司的技术壁垒,填补国内空白。同时项目的实施将大大提高我国MEMS技术发展,增加电子信息产品国际竞争力。

芯片封装形式:采用柔性基板进行z轴折弯封装

生产工艺:塑封结构

主要功能和技术指标

实现芯片低功耗设计,使MEMS磁传感器的降低工作电流20%;

磁传感器尺寸进一步缩小为3mm×3mm×1.0mm;

开发出磁传感器的新型校准算法,实现自动校准传感器,动态补偿磁干扰引起的误差。

实现磁传感器和加速度计的在同一封装内系统集成;

设计出两种传感器集成系统的智能算法,提供系统模块应用软件。

本产品所获得的专利

已受理专利15项;已获取专利3项。

八、华芯半导体有限公司――2Gb大容量动态存储器芯片

企业简介

山东华芯半导体有限公司成立于2008年5月,注册资本3亿元,是山东省政府确定的集成电路龙头企业。公司总部位于济南,并设立西安华芯半导体有限公司(存储器研发中心),在硅谷、慕尼黑和香港设立合作研发中心。

2009年5月,华芯成功收购德国奇梦达科技中国研发中心,跨越式拥有了世界先进水平的存储器设计团队,获得了先进的软硬件设计平台和高水平的分析测试实验室,一举成为中国领先的半导体存储器集成电路设计研发企业。

公司拥有近百人的国际化研发团队,其中外籍员工7人,归国高层次人才8人,国内知名院校硕士学位以上毕业生占85%。

芯片概述

华芯DRAM芯片是中国自主品牌的高端DRAM产品,在功耗与性能上有明显优势。目前广泛应用于服务器、计算机、笔记本电脑、高清电视、机顶盒、上网本、平板电脑(PAD)、移动信息终端(MID)等产品。

华芯DRAM芯片采用业内领先的BWL(埋藏字线)技术进行设计,在相同工艺水平下,可以提供更优异的性能和更低的功耗。从晶圆到颗粒全面的品质管控,通过严格的测试流程进行筛选,确保产品的稳定性和可靠性。

芯片封装形式:TFBGA60和TFBGA84

生产工艺:12英寸65nm掩埋字线工艺

主要功能和技术指标

产品完全满足JEDEC DDR2标准

主要性能指标:

芯片尺寸:9.668mm×10.384mm

芯片容量:2Gbid片

数据率:800Mhz-1066Mhz

标称工作电压:1.8V,可选低电压1.5V工作模式

静态功耗均值5.0mA

最大动态功耗均值125mA

本产品所获得的专利

已受理专利5项;已获取专利1项。

本产品获奖情况

(Ic CHINA)最佳优秀展品奖九、天津市晶奇微电子有限公司――视频监控用大动态范围低照度CMOS图像

传感器BG10365

企业简介

天津市晶奇微电子有限公司由留学归国博士发起,致力于设计开发世界一流水准和完全自主知识产权的高端CMOS图像传感器芯片和相应相机产品,以安全监控、机器视觉、数字医疗照相等中高端市场为主要目标,打破日美公司对于国内中高端图像传感器芯片市场的完全垄断;依靠具有完全自主知识产权的设计技术和不断提升的生产工艺,开发出达到并超过CCD性能指标的高品质CMOS图像传感器,带动国内数字照相产业的发展。

自公司成立以来,已经研发成功5款具有国内一流水平的CMOS图像传感器芯片,其中两款属国内创新,国际先进。先后申请中国发明专利4项,已经获批一项;获得集成电路设计布图保护5项。先后承担国家级、省部级科研项目多项。

芯片概述

BG10365是晶奇完全自主开发的视频监控用大动态范围低照度CMOS图像传感器。在动态范围、暗光特性以及噪声控制方面采用了多项专利技术,使其达到了目前占据国内监控市场主流的Sony同类产品性能指标,成本和售价明显降低;同时通过开放功能接口,保证后端相机系统厂商具有独立开发的可能。这对于打破进口产品的技术垄断和开发依赖具有重要意义。

与市场同类产品相比,BG10365具有的主要特点包括:

(1)全并行组合滚筒曝光方式,保证在获得无

失真的运动图像同时具有优秀的暗光特性。通过采用世界首创的5T/4T像素兼容专利技术,对于运动物体的拍摄采用全并行曝光,而在黑暗环境下自动切换到滚筒式曝光模式;使得BG10350同时可以适应各类应用场合;

(2)BG10365内部采用了多项专利的噪声消除技术,暗光特性优异;

(3)高达120fps的拍摄帧频组合全并行曝光使其可以用于机器视觉、汽车电子等方面的使用。

(4)丰富的接口控制保证相机开发商针对应用特点进行图像处理软件软件开发。

芯片封装形式:CLCC/PLCC 48 Pin

生产工艺:0.18um CIS Process

主要功能和技术指标

1、D1分辨率720*576

2、高品质0.18um CIS工艺

3、5T像素结构,全并行曝光;

4、兼容4T工作模式,滚筒式曝光;

5、全分辨率最高帧频120fps,子窗口采样最高750fps;

6、彩色/黑白输出;

7、全分辨率功耗

8、片上lo-bit ADC;数字/PAL/NTSC输出;

9、宽动态范围控制;

10、兼容12C的SCCB控制接口。

本产品所获得的专利

已受理专利4项;已获取专利1项。

十、北京东方联星科技有限公司――多系统兼容卫星导航芯片OTragk-32

企业简介

北京东方联星科技有限公司(简称“东方联星”)是注册于北京市海淀区的高新技术企业,公司由具有多年美国硅谷公司工作经验的归国人员创办,专业从事自主知识产权的卫星导航核心技术产品的设计、开发、生产和销售。

东方联星植根我国自主卫星导航产业链的最上游,2008年即批量生产北斗多模卫星导航芯片,引领了中国卫星导航产业界的进步,我国自此拥有了卫星导航最核心的技术。目前公司已批量生产的主要产品包括:北斗多模卫星导航芯片、商性能北斗多模接收机、卫星导航与惯性导航组合导航系统、抗干扰卫星导航系统、卫星导航多星座模拟器、开发实验设备等6类40余款定型产品。各型产品已在我国航空、航天、航海、测量、通信、电力、气象、车载、手机等领域上广泛应用。

北京东方联星科技有限公司致力于高端北斗多模卫星导航应用系统的设计、生产和销售。我们以高新的技术,优秀的团队,完善的管理,努力为国内外用户提供更高性能的产品、更为优质的服务。

芯片概述

OTrack-32是国内首款成熟商用的多模兼容高性能卫星导航芯片,采用高速信号处理引擎技术,满足高性能应用各项指标要求,可同时接收北斗二号、GPS、GLONASS卫星信号,实现多系统联合导航精确定位、测速和授时。

OTrack-32芯片实现了当今世界上最快速的1秒热启动、35秒冷启动,稳定的1秒重捕获;高达每秒20次的真值定位;0.5米差分定位精度;5米单点定位精度;高性能架构双32通道;宽温工作能力;高定位更新率;单一芯片内集成了北斗二号、GPS、GLONASS三系统导航定位功能;高可靠、抗干扰;适应恶劣环境,在严格的地面测试和多种载体动态试验中表现出了优异的性能。

OTrack-32为东方联星公司基于自主技术研发,具有完全独立的知识产权,与国际同类型产品相比,用户的使用安全和服务支持得到更强有力的保证。该芯片已大批量生产,解决了GNSS芯片的大规模供货问题。在专业导航、测量、授时等专业导航领域受到用户欢迎。

芯片封装形式:QFNS8

生产工艺:0.18微米(μm)cMOS

主要功能和技术指标

接收频率:GPS L1/GLONASS L1/BD2 B1B2

通道数:并行32通道

重捕获时间:

热启动时间:1秒

温启动时间:30秒

冷启动时间:35秒

单点定位精度:5米(CEP95)

差分定位精度:0.5米

测速精度:0.1米/秒

1PPS:±100纳秒

定位更新率:1Hz、5Hz、10Hz、20Hz

供电:1.8VDC内核,1.8~3.3VDCI/O

功耗:90毫瓦(50mA@1.8VDC)

尺寸:10.0×10.0×0.8毫米

重量:0.25克

工作温度:-40℃-+85℃

行业技术标准

ICD-GPS-200C;BD-ICD-01-2.0

本产品所获得的专利

已受理专利3项;已获取专利2项。