半导体制造技术精选(九篇)

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第1篇：半导体制造技术范文

关键词：半导体；分销商；营销策略

半导体是现代科技产业的标志，大规模集成电路（Integrated Circuit，IC）出现大大改变了整个工业发展的进程，半导体器件被誉为现代工业的“血液”。从1958年第一块集成电路在德州仪器（Texas Insmtments，TI）问世以来，半导体产业已经走过了近70年的风风雨雨。

随着中国国民经济的发展和现代化进程的加快，以Ic（集成电路，芯片）为主导的半导体行业市场规模不断扩大，已经成为国民经济的重要支柱行业之一。半导体行业处于电子行业的最上游，是整个行业受经济波动影响最大的一个行业。

1半导体产业及其分销商现状

半导体器件主要是以硅为原料，制造出硅晶片，然后再加工成各种各样集成电路，俗称芯片。现在几乎所有的电子产品都有各种芯片的使用，半导体已经和人们的生活息息相关。大到飞机、航空母舰，小到身份证、交通卡，这些产品都离不开半导体产品的使用。常见的应用产品领域有：手机、PC、家电、医疗器械、电动自行车、照明、汽车电子、工业控制、机器人、新能源、航空航天等。

1.1半导体行业现状

全球半导体市场在2014年9.9%的高速增长后，2015年全球半导体市场出现下滑，根据美国半导体协会（SlA）公布的数据，2015年全球半导体市场销售额3352亿美元，同比下降0.2%。全球半体市场下滑的主要原因是PC销售下降和智能手机增速放缓。受到国内“中国2025制造”、“互联网+”等新世纪发展战略的带动，以及外资企业加大在华投资影响，2015年中国集成电路产业保持高速增长。根据中国半导体行业协会（CSIA）统计，2015年中国集成电路产业销售额为3609.8亿元，同比增长19.7%。对于整个产业来说，中国虽然目前是世界上最大的半导体购买国，但是国产半导体厂商所占的比例还很小，市场上主要还是以欧美、日本、韩国的厂商为主。

市场上欧美系的主要半导体厂商有：Intel（英特尔），Qualcomm（高通），Micron（美光），TI（德州仪器），Infmeon（英飞凌），ST（意法）等。日韩主要有Samsung（三星），SK Hynix（海力士），Toshiba（东芝），kenesas（瑞萨）等。台系的主要有：MediaTek（联发科），WINBOND（华邦半导体），HT（合泰）等。国产的本土供应商主要有：海思，清华紫光展锐，中兴微电子，华大，大唐等。

1.2半导体产业渠道

对于半导体行业，其产业链有很多种分类方法，根据多年从业经验，我认为以下分类是最具代表性和概括性的。半导体产业的一般渠道分类，传统的供应链系统即：

0阶渠道：半导体制造商 -->代工厂或终端客户（电子产品制造商）

1阶渠道：半导体制造商 -->授权分销商 -->代工厂或终端客户

2阶渠道：半导体制造商 -->授权分销商-->IDH-->代工厂或终端客户

非授权渠道：半导体制造商 -->授权分销商-->贸易商-->代工厂或终端客户

1.3半导体分销商简介

普通消费者几乎每天都离不开包含有半导体器件的电子产品，但是普通消费者也几乎不会直接购买任何半导体器件，而是购买电子产品制造商的产品。可以说，半导体产品的直接购买者就是电子产品制造商，其销售的流程是企业对企业（组织对组织）。

作为带给产业最新元器件及半导体技术的忠实伙伴，分销商在促进电子芯片行业的进步上也是功不可没的。正是有了分销商的不懈努力，不断的将芯片厂商的最新产品和技术推向市场，才更进一步的推动了整个电子产业的繁荣，推动了很多产品在市场上的普及。半导体分销商是电子业中的重要一环，分销商连接了半导体厂商和电子产品制造商，充当了剂的角色。由于国际上电子信息产业发展的不平衡，国际上一些半导体厂商在进入中国的时候，为了避免风险，都不约而同的使用的/分销制度。

半导体产业的终端客户为电子产品制造商，终端客户是由规模及采购量与实际营业额贡献来分类，半导体制造商通常会为第一级大型客户提供各项技术支援，投入现场应用工程师（FAE）、销售/业务（sales）、客服人员/助理（CSR）等。

主要半导体分销商的类型如下：

（1）授权分销商，又称授权分销商、分销商、店等，其英文名称为Distributor。针对半导体全球品牌制造商来说，其授权分销商，比较著名的公司有：艾睿（ARROW）、安富利（AVNET）、易络盟（Elementl 4）、富昌（Future）、武汉力源（P&S）、大联大（WPG）、易登（Edom）、全科（Alltek）、科通、北高智等。其中艾睿、安富利都是全球性的分销商（Global Distributor），而易络盟、富昌、武汉力源则是目录分销商（Online Distributor），大联大、易登、全科、科通、北高智则是专注于亚洲的分销商。这些授权分销商组成了世界半导体大厂在中国市场绝大部分的半导体元器件的商业活动及交易。半导体制造商通常以签订合作协议及合同方式建立授权分销商，知名分销商通常也会为多个世界级大厂分销各种产品，以达到投出产出的最大化。

（2）方案公司（IDH，Independent Design Housel，有些又被成为增值服务商（Value Added R.eseller，VAR），其主要为电子产品制造商设计应用方案，方案商主要和半导体制造商或者指定的授权分销商合作，从方案设计至定单、交货、技术支持、售后服务等提供一条龙服务，适合没有自主研发能力的中小客户或者需要外包研发的品牌电子产品制造商。

（3）贸易商。贸易商因规模小且专注于低买高卖从中获取利润，不会投入应用工程师等资源，通常面向的客户多为中小型客户，并专注于通用器件的交易，服务稳定性差，对市场价格以及品牌形象有较大的影响，是半导体制造商不愿合作的对象，所以通常为非授权渠道。

2半导体分销商所面临的新挑战

随着竞争越来越激烈，分销企业内外环境不断出现新的变化，市场利润不断摊薄，分销商自身也要不断研究自身的营销策略。对分销商来具体说，针对中国大陆的电子产品市场营销有诸多挑战。

2.1市场需求有向弱趋势。

受宏观经济影响，2015年全球半导体市场出现增速下滑，比2014年增速同比下降0.2%，全球半导体销售额为3352亿美元。全球不少半导体厂商感到压力。受此影响，2015-2016年业界出现了并购潮。2015年全球半导体并购交易额达到1200亿美元，是2014年的3.2倍。例如著名的德国半导体厂商英飞凌Gnfineon）以30亿美元收购国际整流器公司（IR），高通（Qual-comm）以470亿美元收购恩智浦（NXP）。

2.2产品利润逐年下降。

下游的众多电子厂商，利润微薄，已经处于微利阶段。分销商在竞争激励的市场中，分到的利润越来越微薄。

2.3库存压力越来越大。

电子产品的生命周期越来越短，不断涌现新的创新产品，而且业界有不断压缩供应链长度和灵敏度的趋势，这就要求分销要有更充足、丰富的库存才能满足电子制造商的需求。另外，制造厂商的账期要求也是逐渐加长，分销商的货款压力也是不断加大。

2.4市场变化快。

产业因为创新和消费者偏好变化比较快，而分销市场更是竞争激烈，分销商也在比拼各自适应市场的速度。

2.5获得渠道资源难。

由于原厂不断在并购重组，渠道管理也在跟着进行整合、优化，对分销商来说，获得优质的供应商资源的难度也越来越大。

总之，分销商早已不是简单的中g商。原厂和客户对分销商的技术支持要求也在不断提高，分销需要投入更多的人力、物力资源去建设技术队伍、累积技术经验，才能使适应市场变化。

3半导体分销商的营销对策的优化

本文基于经典的4P营销理论：即产品（producc），价格（price），渠道（place），促销（promotion）营销组合对目前半导体厂商面临的挑战，提出营销对策优化方案。

基于以上理论，和半导体企业面对的新的挑战，笔者提出以下营销对策来应对此挑战。

3.1重构产品线组合。

采取按照市场中的客户群分类的业务分类，加强专业领域的深耕，有针对性的深入开发整体解决方案（solution），最大限度挖掘客户需求潜力和增加客户粘性，以期增加销售额。

根据不同客户群进行分类，可以根据产品应用大类分为消费类市场、工业品市场、汽车电子市场。消费品市场的特点是研发速度快、器件供应量大、对器件的小型化要求高、供应链反应速度快，此市场利润率低但销售额比较大。工业品市场的特点是量相对比较小，研发周期相对比较长，产品生命周期也相对稳定且比较长，对供应链的要求没那么高，此市场是利润率高但销售额相对比较小。汽车电子市场特点是研发周期超长、对产品的质量要求非常高、产品更新换代很慢、要求供应链要有持续的稳定性，此市场主要的特点是销售低但是利润丰厚。

针对这些细分领域，把业务和业务支持部门按照产品应用（Applica-tion）进行划分，打破以前分销商都是按照品牌或者产品线（ProductLine）进行划分的架构。分销商在每个领域形成一个业务组（Team），包含现场应用工程师（FAE）、销售（Sales）、产品经理（Product Marketing）、业务助理（Assistant）、系统应用工程师（AE）。应用工程师针对每个市场研发对应的解决方案（Solution）和参考设计（Reference Design）；产品经理负责协调原厂资源、划定市场及客户范围，并驱使销售来寻找对应客户销售相关产品；业务助理和现场应用工程师负责协助销售对客户进行销售

3.2丰富产品线价格档次。

产业发展迅速，电子产品面临快速降价的压力，为了避免因为价格问题而失去客户，应为客户提供不同价格档次的产品，维持的合理利润空间。

由于不同类型的客户对不同的产品定位不同，对元器件的需求也有所不同。对分销商来说，要提供给客户不同品质、不同价格档次的产品供客户选择。这就要考虑产品的档次搭配，对同一类型的产品考虑不同特色的产品线，以求最大限度满足客户需求，提供给客户价格上的一站式服务。一般来说欧美、日韩半导体产业发达，拥有技术优势，但是其产品定位比较高端，价格比较高。而台系、国产的产品相对来说价格比较优惠，但是其技术不够领先、产品质量可靠性也不是很高。

3.3拓展互联网营销渠道。

近年来，伴随着电子产业的发展，互联网商业也迅猛发展，电子商务已成为企业供应链中的重要一环。为了顺应市场形势变化，半导体分销商也应该发展网络营销手段。例如可以大力发展元器件电商，提供给客户小批量互联网购买渠道，同时以在线技术培训、在线技术研讨会、专业网站宣传等手段广泛选择企业产品，推广产品解决方案。

3.4提升客户服务体验。

由于半导体产品高技术含量产品，客户对芯片的需求，不但有质量、可靠性、功能性等硬件（Harware）方面要求，还要求配合相应的软件的要求，例如开发工具、开发环境、开发软件平台、源代码、算法等。因为快速的市场变化，这就要求电子产品制造商也要相应的提高研发速度、创新速度。半导体分销商要紧跟客户的步伐，提供客户不单单是一个半导体硬件产品，还要提供对应软件服务，以及对创新产品应用的市场敏锐度。

具体来说，半导体分销商一方面要建立强大的软硬件工程师支持团队，随时解决客户客户研发中出现的新问题、新需求；另一方面也要关注新兴市场，透过各种渠道宣传新产品、新应用，及时甚至是超前提出创新产品解决方案。例如汽车电子行业的高级驾驶员辅助系统（ADAS），目前市场的主流的技术通过摄像头、图像拼接技术来实现，未来随着对汽车安全性要求的提高，就需要目前市场上刚刚兴起的毫米波雷达技术来试产。这就需要半导体分销商提前关注这个市场，宣传这种技术，并推出自己特色的软硬件解决方案，这样才能在市场上抢得先机。

第2篇：半导体制造技术范文

SEMI中国自1988年在中国开展业务，一直致力于促进中国泛半导体产业的成长。SEMI每年3月在上海举办的SEMICON China、SOLARCON China 及FPD China联展，也已发展成为全球最大的泛半导体产业交流盛会。正值SEMICON China落户中国25周年，已然成为每一位半导体从业者争相出席的全球最大半导体旗舰展。SEMICON China、SOLARCON China、FPD China旗舰展览享誉全球，日前已得到美国商务部贸易展览会（TFC）认证，这意味着全球对中国这一快速增长的市场的期望及认可。

SEMICON China 2013――中国半导体产业旗舰展览

进一步突破传统半导体设备及制造，打造全产业链，并继续结合中国半导体产业特点和发展趋势，设立主题专区：IC设计、制造及应用专区、二手设备及一站式服务系统专区、LED制造专区、TSV专区和MEMS专区。 同时，打造同期高端论坛，覆盖IC设计制造、先进汽车电子、二手设备及零部件等、MEMS、3DIC等。

SOLARCON China 2013――中国光伏技术第一展，光伏产业风向标

全球光伏产业链中的材料、设备、组件、逆变器、支架、电站项目开发、工程服务等单项技术冠军企业，将齐聚SOLARCON China 2013展会。活动同期将聚集MWT、IBC等最具产业化前景技术的配套设备、材料、技术服务商，以及银浆、EVA、背板等关键附材厂商。同期配套专场技术研讨会，可获得技术升级一站式服务，质量与成本的新平衡点在SOLARCON可以找到！

FPD China 2013――中国平板显示行业标志性活动

全球领先设备材料供应商、主要面板制造商和中国领先终端品牌云集，融合产业热点的OLED专区、持续高增长的触摸屏专区以及引领产业方向的下一代显示专区，三大主题专区覆盖平板显示、触控上中下游全产业链，FPD China 2013是融入中国显示、触控产业的第一站！

第3篇：半导体制造技术范文

关键词：晶圆制造；计算机集成制造；MES；Dispatch

中图分类号：TP278 文献标识码：A 文章编号：1009-2374（2013）17-0068-02

半导体制造有如下三方面特性：一是资金密集，生产设备昂贵；二是工艺技术复杂，良率要求高；三是产品线种类复杂，生产流程差异大，产品交期控制严格。

首先，半导体制造是资金较为密集的制造行业，目前主流的八寸晶圆（200mm）的制造工厂，平均耗资接近10亿美金； 目前的先进制程，十二寸晶圆厂（300mm）的生产线耗资达20亿美元左右。例如Intel在大连正在兴建的十二寸晶圆厂，投资计划即为25亿美元。普通八寸晶圆厂，一般的生产设备，动辄售价两三百万美元以上，最昂贵的光刻机，价格接近1000万美元。 所以，需要通过自动化管理和计算机集成制造，精确规划，最大程度地利用资源，避免任何的产能损失。并且通过分析，不断提高机器的产能。

其次，半导体工艺复杂，早已达到纳米级的生产精度。半导体制造的趋势当中，最突出的一个就是IC的尺寸不断缩小，密度在持续增长。20世纪60年代中期提出的摩尔定律，在此后的40多年里依然准确地指导着整个行业的发展。目前，复杂元器件如CPU、GPU等，制造的线宽已经发展到32纳米左右，包括上海的中芯国际，都已经突破此技术难关。相应的，还有制程资料量的指数级成长，必须仰赖强大的资料处理能力及知识管理系统，进一步萃取及资料分析、建立模式，才能达成精细控制的需求。

最后，半导体产品复杂，为大规模定制的生产特性。除去CPU、DRAM主要被Intel、Samsung垄断外，绝大多数的半导体工厂，产品线都不单纯，涵盖包括“3C”的范畴内，少则数十种、多则上百种的不同制程的产品。3C即为Computer、Communication、Consumer。林林总总的芯片，其技术上又可分为逻辑、模拟、混合等数大类，生产流程上也是大相径庭，生产周期也大不相同，从20天到3个月不等。并且为了抢占市场先机，整个生产周期的要求不仅快速，而且需要精准，并且要面临紧急插单、撤单、加量或者提前交货等状况的发生，背后都需要CIM的支持。

因为如上三大类特性，半导体制造工厂必须达成多、快、准、好、省的经营目标。工厂整合晶圆搬运系统及知识流系统以符合快速变动的业务需求。全厂自动化：整合供应链、计划生产、制造执行系统、派工系统、机台自动化以达成全厂区生产自动化。制造知识整合：整合工程资料分析系统、先进制程控制、制造工程系统与知识管理系统。

整个架构从客户敲入订单开始，首先进行供应链和制造之规划，进入工厂；其次工厂集合制造执行系统、派工系统、传送系统、量测分析系统、制程控制系统、机台自动化系统等循环；最终定期向客户交出合格的产品。

1 具体系统设计

1.1 制造执行系统：MES

从最基本的批量产品的存储、运送以及机台操作开始，首先引入了barcode或者RFID的身份识别系统。RFID的基本应用，即为机器的track in/out功能、电子货架的连线显示功能。

RFID中存储批货标示、下一站应处理区域、应处理功能、优先等级甚至容器需要清洗时间等信息，并在进出机器时实时更新，防止大量在制品的混批和丢失的风险。

机器track in后，不仅自动选择需要处理的程序，避免人为选错的风险，而且可以自动去比对机台状态、污染参数、是否有特定限制等。

1.2 派工系统：Dispatch

首先，根据客户需求的交期、优先等级、质量方面的紧急程度、限制条件等等做最基本的派工。

其次，通过报表系统，半自动地实现工厂状况的诊断和分析。协助实现生产自动化和工程自动化。其中最基本的以区域、产品和机器为不同视角的报表，定量化、自动显示出实际指标与目标值和历史值之间的差异，并向下挖掘到机器、产品的历史资料。

通过对每组机台、每个机台的产量、状态、闲置时间和不可用时间的精确控制， 来量化考核制造部门和设备维护部门的工作绩效。

大致架构如此：ERP（年月）MES（Dispatching）（日/小时） Scheduling（分秒）。

1.3 传送系统：MHS

Automatic/Manual material handling system.MMHS在八寸及以下的晶圆厂中常有应用，而在十二寸的晶圆厂中，因单批次的产品重量为10公斤左右，所以必须借助于AMHS进行传送。一个功能强大且性能稳定的AMHS系统在300mm工厂里扮演了一个非常重要的角色。AMHS系统不仅可以有效地利用宝贵的洁净室的生产空间，并且还可以提高生产设备的利用率，缩短在制品WIP的Cycle Time，所以在很多的300mm的半导体工厂里，AMHS都被视为可以快速提升产能、增加生产效率的尖兵利器。

传送的系统设计又分为两大方面：区域间传送和机台间传送，即所谓Inter bay和Intra bay传送，后者即所谓T to T（tool to tool）。T to T的方式不仅减少了中间存储的空间需求，而且降低了传送时间，缩短了生产周期。系统设计的时候，必须要考虑到Inter bay和Intra bay的整合、工厂布局、搬送车辆和Stocker的选择等多种因素。

稳定性：由于全厂都在大规模地应用AMHS系统进行Wafer的搬送，所以一旦AMHS系统发生故障将导致全厂性的生产设备因没有可供生产的Wafer而停止生产，进而严重影响正常的生产运营。

高效性：与200mm半导体工厂的AMHS系统相比，300mm工厂的AMHS搬送量有了十倍以上的增长。在面对巨大搬送量的时候，如何确保全厂的搬送效率，在更短的时间内完成Wafer的搬送，对于AMHS系统而言是一个巨大的挑战。同时，AMHS系统搬送效率的高低，也将直接影响到生产设备的利用率。

在300mm工厂的生产车间内，洁净室的空间是极其昂贵的。而AMHS系统为了解决生产线上所有在制品WIP的存储保管问题，不得不占用大量的面积和空间。如何在满足存储和搬送要求的前提下，最大化地节省所占用的面积空间，是AMHS系统必须面对的一个难题。

1.4 其他

量测分析系统：EDA Reporting （Engineering data analysis）。制程控制系统：APC（Advanced process control、Feed forward system）； SPC & OCAP （Statistic process control、 out of control action plan）；DSS（dynamic sampling system）。机台自动化：EA （Equipment monitor system、Real time monitor、Constraint system、Preventive Maintenance system）， 因篇幅有限，不做赘述。

2 结语

半导体的生产，仍然处在不断复杂化的进程当中，目前的生产方式仍然面临着很多的挑战：需要兼具快、准且有弹性的客户服务；对机台生产率和整体产能利用率的不断追求；对海量数据的分析、制程数据的变动性降低、机器状况的随时监测等。

计算机集成制造的目标和愿景在于：

拟人化：由CIM的帮助，实现机器自动化，降低人为出错的风险，降低不同人员间生产指标的差异；提高人的生产效率，降低人员负担。

省人化：全自动化，以消除人为干扰，并结合决策支持系统，实现最佳的效率，节省人力。

第4篇：半导体制造技术范文

芯片封测肯定是有技术含量的。芯片即集成电路，集成电路（英语：integratedcircuit，缩写作IC），或称微电路（microcircuit）、微芯片（microchip）、晶片/芯片（chip）在电子学中是一种把电路（主要包括半导体设备，也包括被动组件等）小型化的方式，并时常制造在半导体晶圆表面上。

晶体管发明并大量生产之后，各式固态半导体组件如二极管、晶体管等大量使用，取代了真空管在电路中的功能与角色。到了20世纪中后期半导体制造技术进步，使得集成电路成为可能。相对于手工组装电路使用个别的分立电子组件，集成电路可以把很大数量的微晶体管集成到一个小芯片，是一个巨大的进步。

集成电路的规模生产能力，可靠性，电路设计的模块化方法确保了快速采用标准化集成电路代替了设计使用离散晶体管。集成电路对于离散晶体管有两个主要优势：成本和性能。成本低是由于芯片把所有的组件通过照相平版技术，作为一个单位印刷，而不是在一个时间只制作一个晶体管。性能高是由于组件快速开关，消耗更低能量，因为组件很小且彼此靠近。

（来源：文章屋网 ）

第5篇：半导体制造技术范文

“武汉新芯如被外资收购,这对我国产业将是致命的打击!”这句令人触目惊心的断言总算没有成为现实。

10月29日,中国内地最大的芯片代工企业中芯国际集成电路制造有限公司(0981.HK,以下简称“中芯国际”)和武汉市政府签订合作协议,双方将共同注资武汉新芯集成电路制造有限公司(以下简称“武汉新芯”)。

武汉新芯是我国中部首个12英寸半导体制造项目。该厂一期工程总投资达100亿元,2008年正式投产。此前,它一直由中芯国际代管运营,但今年下半年传出要另谋主人的风声。

中芯国际收购武汉新芯的消息意味着此前试图并购新芯的美国美光梦已破碎。一条极其重要的芯片生产线留在了本土企业手中。

“武汉保卫战”

据武汉新芯的一位高管对《IT时代周刊》透露,在美光之前,台积电已谈过一轮。

该高管声称,年初以来他一直跟武汉市政府互动,由于它是全球半导体代工龙头,不缺资本、技术、订单,而武汉新芯重要客户飞索那时恰恰申请了破产保护,加上原托管方中芯国际运营局面不乐观,因此,武汉新芯确实仔细考虑过与它的合作。

但是,与台积电的合作会遇上政策风险。台湾地区一直严控半导体业西进内地市场,至今未开放12英寸项目。此外,由于台积电与中芯国际之间的纠纷,导致其在内地市场留下霸道印象,业内有多名权威人士反对这一交易。最终,台积电的并购申请没能通过国家发改委审核。

而就在台积电谈判时,美国美光也在活动。美光公司是世界第二大内存芯片厂,是美国500强企业之一。几年来,它一直在寻找外部资源,拓展亚洲市场。之前在与日企争夺与台企的战略合作中没占到便宜,困境中的武汉新芯找到了最好机会。

据称,在谈判期间,美光提出了优厚条件,答应双方成立一家合资公司,以重金与技术入股,期望能控股运营,双方一度接近签约阶段。关键时刻,主管部门也意识到外资入主后的产业风险,最终终止了与美光的谈判。

武汉新芯与美国光美的谈判之所以功亏一篑,是因为近来本土半导体业似乎陷入被外资疯狂抄底的危局,这已经引起国内半导体产业人士的警惕。

10月16日,美国德州仪器宣布将以现金与其他投资形式收购由中芯国际代成都市政府管理的成芯半导体制造公司,首期投资额约2.75亿美元(约合18.3亿元人民币),其在国内第一家生产制造厂将更名为德州仪器半导体制造(成都)有限公司(以下简称“德仪”)。

这对于德州仪器而言显然是项划算的买卖。截至目前,该项目总投资外加固定资产总值大约40亿元人民币,所以成芯内部消息人士说,交易一达成就等于德仪赚钱了。德仪不但获得了生产设备,还得到一间巨大的毛坯厂房,未来将用于扩产之用。这让许多人士质疑过成都方面的“贱卖”举动。

据本刊记者了解,半导体业的高端技术只集中在欧洲、美国、日本等少数几个国家。尤其是美国,对全球半导体行业有着举足轻重的影响。眼下,美资在国内的收购除了是扩充产能的需要外,更是为了消灭潜在的竞争对手,在中国市场迅速建立起产能,满足中国的需要。

作为本土的半导体厂商,中芯国际、宏力、华宏等的自我生存能力一直不妙,不少企业是完全仰赖着政府和银行信贷支撑着。目前,国内的高端半导体产业可以说是外资企业一统天下的格局,如今成芯被已转让给德州仪器,万一武汉新芯也被外资全盘收购,这些代工厂的缺失只会导致国内半导体的基础越发的脆弱。

“《电子信息产业发展与振兴规划》强调了这一产业的自主可控性,‘十二五’规划中,也是重点编制的战略产业之一。”iSuppli半导体产业高级分析师顾文军说,由于美国美光不是代工模式,如果武汉新芯卖给它,那么本土设计业将丧失制造平台。

顾文军解释道,成芯只是8寸厂,并且不是国内唯一的模拟圆晶厂,而武汉新芯则是全新的12寸厂,又是唯一的存储芯片代工厂,如果武汉新芯被收购改编成为一家外资企业的生产线,而不是一家开放的代工厂,那么这对于国内刚刚起步的存储产业来说将是一个致命的打击。此前,国内一些在武汉新芯生产的芯片设计公司已经开始被迫在海外寻找合作伙伴了。

因此,不少忧心中国芯片产业的人士喊出了“武汉保卫战”的口号,许多人为此不停奔走。身兼半导体行业协会理事长、中芯国际董事长的江上舟,以及其他业内人士就曾多次与武汉新芯方面沟通,并向更高主管部门陈情,力主新芯继续由内地经营,中芯国际最后拿出一份能充分照顾武汉政府和武汉厂的方案,终于在最后关头挽回了武汉新芯对中芯国际曾经失去的信任和信心。

“企业代管”模式夭折

最近接连传出德仪收购成芯,美光欲收购武汉新芯的消息,震动和影响了整个中国半导体界,这让“政府出资,企业代管”的中国特色半导体产业发展模式再一次成为行业焦点。

2005年成立的成芯半导体开创了晶圆代工厂“代管模式”,一度备受业界瞩目。成芯公司主体是一条8英寸半导体生产线,成都市政府下属的成都工业投资经营有限责任公司和成都高新区投资有限公司是其主要投资方,中芯国际则负责日常的运营和管理。根据中芯国际与成都政府当初达成的合作协议,中芯国际除了向该工厂输送技术、人才、设备,还承诺在工厂建成后的若干年内优先对公司股权进行回购。2006年注册成立的武汉新芯也沿用了这一模式。

一方面,地方政府欲创造业绩,发展高科技;另一方面,中芯国际欲进行所谓的菱形布局,而苦于缺乏资金,所以双方各有所求,一拍即合。时任中芯国际总裁的张汝京曾沾沾自喜地认为自己在中国创造了一个合作发展半导体的新模式。

但是,这一模式在今天也产生了不少问题。顾文军告诉本刊记者:首先,半导体产业需要规模经济,过多的分散并不利于企业的发展、产业链的构建,而目前地方政府大多求“驻扎在自己的势力范围”。其次,半导体产业需要长期的资金投入,而政府一般是在前期投入一笔资金,而在后期则没有持续性的投入。

另一位中芯国际的内部人员也指出,与几年前地方政府对于半导体的热情相比,它们如今的态度已大幅转变。一则是经过实践发现半导体行业赔多盈少;再有的是,比半导体易入门的新技术产业近期冒出很多,如多晶硅,光伏及LED等,相比投资较少,而获利可能大。

“随着成芯和武汉新芯运营模式的改变,‘企业代管’已经名存实亡。”上述中芯国际内部人士认为。

填不满的资金缺口

武汉新芯续归中芯国际运营,但武汉当地政府仍然有顾虑。因为,过去托管时,对方的管理层对新芯发展缺乏商业规划。2008年投产后,新芯产能仅3000片/月,至今持续亏损。

为了让武汉政府放宽心态,中芯国际现有管理层给了不少新的承诺,双方将改变过去托管合作模式,中芯国际未来将注资新芯,它将正式变为中芯国际武汉厂,并承诺在武汉研发、生产45至90纳米的产品,未来不会只做存储芯片,将增加利润较高的逻辑类产品,且主要服务于内地市场。这等于说,武汉新芯的地位与中芯国际北京、上海两座12英寸工厂平等。此外,武汉新芯方面还得到了包括人才培训、芯片设计、产业链构建等合作。

但实现这样的承诺需要巨大的资金来支撑。依目前局面来看,武汉新芯至少需几亿美元注入。而要让中芯国际立刻掏腰包,几乎不可能。今年春天以来,中芯国际董事长江上舟、总裁王宁国多次对外表示,现金不足,导致无法扩充产能满足订单需求。

“中芯国际根本拿不出钱,政府方面应该会先帮它垫上,让新芯先运转起来,等中芯国际明后两年局面改观以后再注资。”顾文军的意思是,中芯国际和武汉新芯双方先把“结婚证”领了。

即使合资公司走上了正轨,由于新芯运营充满不确定性,一旦其财务报告并人中芯国际上市公司,短期内可能为后者带来风险。不过,武汉新芯总裁王继增对此并不太以为然。他认为,中芯国际将确保新芯厂明年月产能达2万片左右,这一数据基本可以让该厂财务维持在相对健康的水平。

如今,中芯国际已遭遇连续5年整体亏损,预计今年可堪堪达到盈亏平衡。业内人士称,中芯国际明年会提高资本开支届时或需进一步集资。

第6篇：半导体制造技术范文

关键词： 半导体生产； 金属刻蚀； 干法去硅渣； 湿法去硅渣

中图分类号： TN964?34 文献标识码： A 文章编号： 1004?373X（2014）04?0098?03

0 引 言

在半导体生产[1]过程中，金属连线[2]一般使用ALSI或ALSICU时掺0.5%～1%的Si，这样可以防止衬底Si与金属AL接触时产生ALSI互融、损伤器件的结。这是掺入Si的好处，但当ALSI或ALSICU干刻或湿刻成线条时，Si粒会在刻开区残留下来，原因是金属干刻（Dry Etch）或湿刻（Wet Etch）时气体或酸液无法与SI彻底反应，刻开区容易留下硅渣残留。

ALSI[3]或ALSICU刻蚀后的硅渣残留，呈小黑点状，分布在圆片表面，非常难看，虽不影响电参数，但也是表观缺陷，需要加以解决。

1 金属干刻、湿刻后的硅渣状况

（1） 非薄场铝栅的金属干刻。不同半导体产品的ALSI或ALSICU下介质层厚度不同，干刻的过刻量也不同，干刻后的硅渣状况也不一样[7]。比如CMOS、BCD、DMOS 、Schottky、IGBT、厚场铝栅等产品[8]的铝下介质层厚，一般在8 kA以上，金属干刻时可加大过刻量（30%左右），增加氧化层损失量，对硅渣釜底抽薪、可扫除硅渣残留（见图1）。所以非薄场铝栅类的金属干刻后无需去硅渣。

加大干刻过刻量后无硅渣

（2） 薄场铝栅的金属干刻。薄场铝栅因为成本低，光刻层数少，铝下介质层（ILD）是生长栅氧时形成，因此铝下介质层（ILD）很薄、最薄500 A左右，金属干刻时过刻量不能大（10%左右）、氧化层损失控制在300 A左右，这样就有少量的硅渣残留下来。所以薄场铝栅的金属干刻后需要去除少量硅渣。如图2所示。

（3） 金属湿刻。Bipolar，DMOS和IGBT等产品由于线条宽，有时候金属连线是全湿刻的，腐蚀ALSI或ALSICU的酸不与SI反应，所以金属湿刻后留下大量的硅渣（见图3）。所以金属湿刻后，需要去除大量的硅渣。

2 目前常用的去硅渣方式

2.1 湿法去硅渣

薄场铝栅的ALSI或ALSICU的氧化层薄，金属干刻不能过刻太多，会留下少量硅渣残留，此时用反应温和的去硅渣液去除最合适，Si反应速率在200 A/min左右， OX反应速率在15 A/min左右，选择比高达14以上。酸液比例大约HAC 10%（W）：HNO3 2%（W）：H3PO4 71%（W），HBF4 3%（W）室温作业，其对ALSI，ALSICU以及对Si、OX的速率如表1所示。

表1 湿法去硅渣液速率对照表

硝酸先氧化硅渣生成二氧化硅，然后氟硼酸分解的HF与二氧化硅反应，醋酸对PH起缓冲作用。反应式大致为：Si+HNO3+HFH23SiF6+NO+H2O。

湿法去硅渣反应温和，Si/OX选择比高达14，适合要求氧化层损失要求少的去硅渣工艺。与干法去硅渣比，湿法去硅渣的速率小、去硅渣下氧化层的速率更小，不适合湿刻后硅渣多的状况，硅渣特别多时用湿去硅渣液往往去不净。

2.2 干法去硅渣

金属湿刻时，ALSI或ALSICU里的Si不与酸液反应，金属湿刻后会留下大量的硅渣残留。湿法去硅渣液温和，去硅渣效果差；要去净大量硅渣残留，需用干法去硅渣（Plasma Si Removal），干法去硅渣时Si反应速率是湿法的9倍，可迅速去除去硅渣残留，但Si/OX选择比下降（14降到1.5），氧化层损失会多些，因此不适合薄场铝栅产品。干法去硅渣工艺，要点有两个方面：各向同性或近乎各向同性—这样可以去除高台阶底部的硅渣，满足工艺要求；Si∶OX选择比至少大于1.5，硅渣去净了但氧化层损失不会太大。

目前业界常用Gasonics AE2001、以CF4/O2为主刻气体干法去硅渣，速率、选择比如表2所示。AE2001是用微波电离CF4、O2产生Plasma，然后传送到晶片表面，进行Isotropic Etch，反应式大致为：

3 新开发的干法扫去硅渣

AE2001以CF4/O2为主刻气体干法去硅渣，Si/OX选择比1.5左右，全湿法金属湿刻后AE2001扫100 s可去净硅渣，此时Si Loss 2 900 A左右、OX Loss 1 800 A左右。为减少氧化层损失，在Lam590以SF6为主刻气体实施干法扫硅渣，Si/OX选择比提高到3.2左右，50 s可去净硅渣，此时Si Loss 3 428 A左右、OX Loss 1 035 A左右（见图4，表3）。

SF6的化学活性大，与硅渣的反应速率高、近乎各向同性，与氧化层的反应速率一般，反应式大致为：

SF6+Si?> SiF4+S（易挥发）

Lam590与SF6的组合，去除硅渣残留的速率高1倍以上，Si/OX选择比也高1倍以上，去硅渣效果非常好，效果见图4。

表3 Lam590干法去硅渣速率对照表 A/min

4 结 论

（1） ALSI或ALSICU因掺有0.5～1%的Si，金属湿刻或金属干刻后均会或多或少地存在硅渣残留。

（2） 金属湿刻后会留下大量硅渣，需要用干法去硅渣去除。AE2001（CF4）和Lam590（SF6）均可去硅渣，但后者去硅渣速率和Si/OX选择比均优于前者。

（3） 金属干刻后也会留下硅渣残留，如金属下介质层厚（>8 kA）可增加干刻过刻量（>30%）、增加氧化层损失去除硅渣。如金属下介质层薄（

表4 标准化后的去硅渣工艺

5 结 语

本文比较和分析了目前半导体行业几种去硅渣方式的机理和优缺点，并提出了一种新的高效干法去硅渣方式。在分析几种方式的基础上，标准化了去硅渣工艺同时提出硅渣标准化流程。

参考文献

[1] QUIRK Michael， SERDA Julian.半导体制造技术[M].韩郑生，译.北京：电子工业出版社，2009.

[2] 李希有，周卫，张伟，等.Al?Si合金RIE参数选择[J].半导体技术，2004，29（11）：19?21.

[3] 龙芋宏，史铁林，熊良才.准分子激光电化学刻蚀金属的研究[J].半导体技术，2008，34（z1）：227?230.

[4] 许高斌，皇华，展明浩，等.ICP深硅刻蚀工艺研究[J].真空科学与技术学报，2013，33（8）：832?835.

[5] FRANK W E. Approaches for patterning of aluminum[J]. Microelectronic Engineering， 1997， 33（1/4）： 85?100.

第7篇：半导体制造技术范文

关键词 制冷技术；集成电路制造；宽温区；大功率；高精度

中图分类号：TN305.94 文献标识码：A 文章编号：1671-7597（2013）12-0105-02

集成电路制造工艺复杂性与装备精密性对温度控制技术提出宽温区、大功率、超精密等严格要求。如刻蚀工艺设备中，由于不同刻蚀方法要求反应腔内的温度不同，需要冷却系统输出温度范围在-20℃～80℃、精度优于±0.5℃的循环冷却介质。硅片基底进行薄膜化学气相沉积工艺时，反应腔内温度达到300℃～1000℃，对冷却系统的温控精度要求不高，主要目的是带走内部大量热量，制冷功率达到100 kW、甚至更高。纳米级（100 nm）光刻机要求内部投影镜头和关键区域的温度稳定在±0.01℃，随着光刻工艺特征线宽（CD）的不断减小该指标还需不断提高，为此要求冷却系统输出的冷却介质的温度控制精度在±0.01℃。

冷却系统中制冷技术是最为关键的技术，制冷技术的选择恰当直接决定水冷系统的指标实现、方案复杂性与经济性等。

1 冷却系统介绍与制冷技术分析

上述冷却系统是专用提供温度、压力、流量受控的循环冷却介质的设备。它对内部加热、制冷执行器进行控制，实现内部循环冷却介质的温度控制，并与被控设备进行管路连接后，输送循环冷却介质至被控设备进行热交换，最终实现对被控设备的温度控制、热量转移的功能。如图1所示水冷系统主要由加热器、制冷系统、水泵、水箱、传感器、冷却水进出口组成，包含循环冷却介质回路、冷却水回路。制冷系统的主要作用是将循环冷却介质带出的热量通过热交换转移至工厂冷却水，最终带出设备。

制冷技术主要有三种方法，利用物质相变的吸热效应实现制冷；利用气体膨胀产生的冷效应进行制冷；利用半导体的热电效应实现制冷。其中以物质相变原理的蒸汽压缩式制冷最为常见，具有制冷效率高、冷却温度低的特点。压缩式制冷适合温度达到-20℃的低温冷却场合，并且对冷量控制技术的研究目前也有很大进展，如数码蜗旋式变频压缩机控制技术、PWM电子膨胀阀等，能够实现较高的温控精度。

热电制冷技术是利用直流电经过不同导体时发生热量转移的原理，利用热电制冷原理制造出的制冷元器件称为半导体制冷片，可以通过调节它电流的大小实现冷量的调节，具有调节精度高、制冷功率小的特点。此外，制冷片的冷却效率与它冷、热面的温差有很大关系，为保证一定的冷却效率，冷热面的温差需要控制在一定范围内，这限制了热电制冷的制冷温度。虽然光刻机内部投影镜头和关键区域的温度控制精度要求高，但主要用来平衡环境空气的温度波动及传感器、板卡的热量，冷却功率小，并且温度点在20℃左右。因此，热电制冷技术十分适合于光刻工艺设备的超精密温度控制。

此外转移热量也可以通过冷却水与循环冷却介质直接进行热交换器实现，即通过水、水强制对流的方式。该方式的传热系数达到2000 W/（m2·k）～15000W/（m2·k），在热交换两侧温差较大时可以实现很大的热交换功率。硅片基底进行薄膜化学气相沉积工艺中，对温度点没有严格精度要求，主要作用是带出大量热量、冷却反应腔体的温度，水、水热交换的制冷方式比较适合。

2 蒸汽压缩制冷系统

蒸汽压缩制冷系统如图2所示：制冷系统由压缩机、冷凝器、气液分离器、干燥过滤器、示液镜、膨胀阀和蒸发器组成。冷却水回路包括水力调节阀，循环冷却介质回路包括流量调节阀。压缩机制冷系统中的蒸发温度是较为恒定温度点，循环冷却介质温度为-20℃时蒸发温度一般设置略低-20℃，如果循环冷却介质的温度变为80℃将造成蒸发温度过高引起高低报警。为此，在高温工况下通过循环冷却介质回路的流量调节阀在换热前进行分流，避免了压缩机高低压报警。控制系统设计采用逻辑PID控制，运用PID算法分别对电子膨胀阀、流量调节阀和加热器的输出量进行调节，其中电子膨胀阀PID控制旨在监控压缩机吸气温度，避免吸气温度过高引起高、低压报警；流量调节阀PID控制旨在控制混流完成后循环冷却介质的温度，使它略低于设定工况；最终通过加热PID控制实现出水口优于±0.5℃的温度控制。

3 热电制冷技术

半导体制冷片经过直流电经过后会形成冷、热端，利用它的冷端可以进行制冷。如图3所示，将制冷片的冷、热端分别贴在冷端散热器与热端散热器，循环冷却介质经过冷端散热器被冷却，半导体制冷片将热量转移至热端散热器，最终冷却水经过热端散热器将热量带走。半导体制冷片与金属壁间为热传导，冷却水、循环冷却介质在散热器内为对流换热。

设计冷、热端散热器时需进行对流换热分析、热传导分析，还应考虑制冷片的温差与制冷量的关系、循环水的温控范围、冷却水的温度波动范围，以及目标制冷功率与最大电流等。降低半导体制冷片冷、热端的温差可以提高制冷效率。热端散热器的换热系数应设计大于冷端散热器，因为它除了转移循环冷却介质带出的热量外还要带出半导体制冷片自身发热的热量。通过控制半导体制冷片的供电电流大小来实现制冷量的调节，供电电路包括功率控制器、整流桥、保护元件等，功率控制器根据输入的控制信号调节输出三相电压的大小，整流桥将交流电压转换为直流电，供给制冷片。温度控制器根据实际温度与目标温度的差值，经处理器的算法运算，最终向功率控制器输出模拟量的控制信号。

4 水、水热交换制冷

循环冷却介质通过换热器与厂务供应的冷却水进行热交换来实现制冷。如图4所示，循环水回路包括温度传感器、流量调节阀；冷却水回路包括温度传感器、流量传感器、流量调节阀。循环冷却介质温度的调节是通过调节与冷却水发生热交换的支路流量实现，温度传感器、流量调节阀形成温度反馈控制系统。冷却水的温度与流量会影响制冷功率，因此在冷却水回路中增加温度、流量传感器进行监测。热交换器的设计与对流量调节阀控制是该方案的关键。

根据厂务冷却水的技术参数及使用工况确定热交换器的设计输入的参数：循环冷却介质侧的最低进水温度48℃、出水温度33℃、制冷功率100 kW、流量100 L/min；冷却水进水最高温度18℃、出水温度43℃、流量60 L/min；经分析换热系数为4350 W/（m2*K）、换热面积2.3 m2。选用西门子两通阀对流量进行调节，选型时应考虑最小调节量、响应时间。选用欧姆龙PLC作为控制器，根据循环冷却介质的当前温度与设定温度对两通阀的开度进行调节，实现温度控制，选用科宝公司流量传感器、温度传感器对冷却水流量、温度进行监测。该方案主要换热器与流量调节阀，简单、经济性高。

5 结论

集成电路制造工艺设备的温度控制涉及宽温区、大功率、超精密的复杂要求，制冷技术是温控技术的关键。本文分析上述温控特点与制冷技术，对宽温区（-20℃～80℃）场合提出蒸汽压缩式制冷方式，对大功率换热（100 kW）场合提出水、水热交换的制冷方式，对超精密（±0.01℃）场合提出热电制冷方式并对各方案的原理实现、控制技术进行探讨，提出旁通式蒸汽压缩机制冷技术、基于流量调节的温度反馈控制系统、基于半导体制冷片的制冷系统设计等。

参考文献

[1]机械工程师手册编委会.机械工程师手册[M].机械工程出版社，2007.

[2]姚汉民，胡松，刑延文.光学投影曝光微纳加工技术[M].北京工业大学出版社，2006.

第8篇：半导体制造技术范文

一、半导体及相关产业展望

（一）行业概况

经过近两年的供应链能力的缩减、库存消化和压缩成本，估计2003年半导体工业将达到均衡，并恢复增长。但并非所有企业都能从中受益，半导体工业的兼并重组进程将继续。

1.电子系统销售可望增长

尽管整个终端市场需求仍然不旺，但《IC Insights》预测，2003年全球电子系统销售增长5％。PC和通信市场仍不明朗，有可能抑制行业强劲反弹。从长期来看，预计消费类产品市场可能是下一波“杀手级应用”的源泉，包括无线联网、家庭自动化或家庭娱乐等。

2.行业步入复苏的第二阶段

自2001年开始的半导体工业下降与以往不同。除了有生产能力过剩和全球GDP增长下降为因素，其基础更广，并且受到库存过剩的影响。但复苏已经开始。第一阶段是逐步消化过剩库存。第二阶段将依靠终端市场需求的强劲反弹。

3.销量增长，平均售价不涨，但库存降低提供了希望

销量连续数月增长，但价格持续疲软。在库存较低的情况下，终端市场需求兴旺将使半导体平均售价提高。

4.OEM调整重点，半导体供应商面临外包机遇

OEM公司将资源分流到硬件和软件，目前指望半导体供应商提供系统级和软件方案。这有利于提供标准方案和有强大系统级专有技术的公司。

5.一代设计公司被湮没

过去3年，OEM和供应商一级的计划大幅度削减，客户削减R&D预算，集中发展少数关键项目。

6.半导体公司的财务业绩仍很弱，但亏损风险下降

经过2年的成本削减，仍有许多企业在盈亏线下经营。其中许多公司要靠收入反弹以恢复盈利。

（二）漫长而艰难的复苏之路

半导体工业是全球电子产品供应链的一部分。订单通过供应链逐步往下传递。发生在供应链顶层的削减通常越到价值链下部影响越大。

1.原始设备制造（OEM）

（1）通信

通信服务商市场经历了大调整。电信公司将其设备投资削减到最低水平。估计2002年全球电信公司设备投资下降35％～40％，2003年再下降10％～15％。通信工业正处于收缩期，该收缩期以电信公司为起点，并影响到设备供应商和半导体供应商。

（2）个人计算机（PC）

PC市场已经成熟，发达国家的PC渗透率在50％以上。目前，需求的主要动力来自于更新。

（3）消费类电子产品

在数码相机和DVD播放机的引领下，消费类电子产品仍是行业亮点。估计游戏机市场是2003年的另一个增长领域。

2、半导体设备

2002年半导体设备投资与半导体销售明显背离，在IC销售增长1%的同时，半导体设备销售下降32%。这比2001年半导体设备投资下降41%有所好转。半导体设备投资从2000年高峰的480亿美元下跌至2002年的将近200亿美元。

3.印制电路板（PCB）

最近两年印制电路板行业步履维艰，特别是在北美。美国印制电路板制造市场估计继2001年下跌31%后，2002年再下降25%。

4.半导体销售

2003年，大部分市场研究团体估计全球半导体销售呈现正增长。从数量上看，半导体复苏已经开始，但价格仍疲软。在前沿能力偏紧的情况下，终端市场的需求反弹有可能在2003年下半年驱使价格走高。

5.兼并不可避免

半导体行业粥少僧多，过多的R&D在为数不多的“几个锅里争食”，收益很低，许多新企业注定只能“啃骨头”。不少资金实力雄厚的公司对兼并抱有希望。行业淘汰和兼并不可避免。

二、半导体的应用和行业增长动力

（一）半导体应用

自1948年世界上第一枚晶体管和1958年第一块集成电路（IC）问世以来，通过迅速创新，到2002年半导体工业发展成为1400多亿美元的行业。

（二）行业增长的动力：持续创新

最近10年，推动半导体增长的主要动力是通信和网络应用市场的不断创新。

（三）投放市场的时间是关键

半导体产品进入市场的时间至关重要。功能最全的产品不一定能赢得市场份额，迅速进入市场的差异化产品往往能够取胜。

（四）产业高度周期化

半导体工业经历了几个涨落周期，高速增长期后紧接着就是急剧下降。尽管半导体工业受到全球宏观经济形势的影响，但结构驱动因素（如PC普及率提高和全球通信基础设施建设）形成了强大的需求动力。

迄今大幅度下降大部分是由新增供应能力跟进造成的能力过剩引起。增加能力的决策通常是在高速增长期作出，一般都有几家公司同时增加设施。几年后一旦这些新能力建成，供应失衡必然导致利用水平降低和价格压力。

三、半导体制造业的发展趋势

（一）设计和加工

半导体的设计越来越复杂，每块电路的设计工作量不断增加。芯片设计采用自动化工具如CAD程序和EDA（电子设计自动化）。作为一般规律，设计对资本要求不高，但需要大量人才，而制造要求大量资本，但不要太多人才。晶片加工工艺极其复杂，设备和工具投资要几十亿美元。因此进入壁垒很高。

（二）技术发展趋势

随着产品生命周期和收益高峰期的缩短，具有先发优势的企业不仅在市场上的时间更长，而且有更大的能力来影响标准，获得关键的设计地位和合作主动权。

（三）经营模式的调整

1.垂直一体化瓦解

竞争加剧、资本密集度的迅速提高，迫使一体化元器件制造商(IDM)逐步缩小核心业务。

2.独立的纯委托加工厂和无工厂公司兴起

目前的晶片加工厂大概要几十亿美元的投资。能够负担得起这种投资水平的企业不多，所以出现了无工厂半导体公司。无工厂公司利用其知识产权资本，而不需要巨额的制造投资。

3.专业化的IP销售

IP许可业务模式使密集型的R&D，只要很少的资本投资或流动资金就可以产生很大的资金流动。

4.合作

由于巨大的资本要求和技术挑战加剧，企业正在探索新的风险分担方式。许多公司与过去的竞争者展开合作。

四、半导体元器件分类及市场概述

根据半导体工业协会（SIA）的划分，半导体市场的范围很广，从微处理器和存储器，到逻辑和模拟元器件。

五、通信和网络IC市场

（一）狂热的后遗症

历史上，PC工业是半导体需求的主要动力。1999年和2000年基础设施投资过热，服务提供商争相投巨资升级通信基础设施。当泡沫破灭时，行业面临的是需求下降和大量的库存。2002年，通信半导体下降到占市场总额的20%。

（二）网络应用半导体

网络应用半导体包括LAN芯片、接入IC，以及传输和交换IC。

（三）通信处理器和网络处理器

据IDC的数据，2002年通信处理器、网络处理器、协处理器和交换结构/背板半导体市场合计为10.4亿美元，比上年下降9%。预计2002～2006年，该市场将是增长最快的市场之一，增速可达18%，仅次于WLAN芯片组。

六、存储器的应用向网络扩展

存储器市场是资本高度密集型的和周期性的。但始终不变的是：交付的比特单位持续上升、存储器价格持续下跌以及新的应用不断要求更高的存储密度。目前，存储器IC的应用扩大到非PC产品，特别是通信和网络应用。在通信和网络设备中，光靠总线宽度不能解决所有问题，许多功能都要用存储器。随着网络速度的极大提高，存储器的存取速度非常重要。因此，内容可访问存储器（CAM）市场成为存储器和网络半导体供应商日益重要的领域。

七、图形半导体和芯片组

图形芯片的发展超越了摩尔定律，其性能每6个月翻番，而不是18～24个月。目前行业的大部分收入来自成熟的PC工业。2002年，整个PC图形市场估计在35亿～40亿美元。图形半导体发货量增长8%，达到1.88亿个。如果加上整个核心逻辑芯片组市场的收入，目前的市场规模估计为70～80亿美元/年。

（一）图型半导体市场趋势

1.竞争压力加大、利润缩减

2.设计和产品生命周期非常短

3.进入壁垒极高

4.集成图形和核心逻辑芯片组的兴起

5.新市场如移动和手持市场的发展

6.英特尔的参与竞争

（二）图形半导体的应用市场

目前图形半导体市场大部分针对台式机市场。鉴于PC市场的成熟度，半导体厂家更多关注以下新兴市场。

1.笔记本

笔记本市场的增长远高于台式机市场。这种趋势增加了对可靠、低功率图形芯片的需求。

2.工作站

这是一个为CAD/CAM专业人员和数字内容制作行业的专业人员服务的成熟市场，但平均售价和利润率更高。

3.游戏机

根据IDC的数据，2001年视频游戏机半导体市场估计为41亿美元，估计2002年增至45亿美元，市场潜力巨大。

注：（1）根据摩尔定律，半导体性能大约每18个月提高一倍。

第9篇：半导体制造技术范文

风雨飘摇的半导体行业

近期，全球半导体市场并不欣欣向荣。

9月16日，三星宣布要以58.5亿美元收购美国SanDisk公司。9月19日，全球领先的显卡芯片厂商nVIDIA计划裁减360名员工，占该公司全球员工总数的大约6.5%，其中涉及中国公司员工。

这些厂商境况不妙跟美国次贷危机固然有关系，但也跟近年内存市场激烈的竞争有莫大的关系。

DRAMeXchange 9月24日的数据显示，9月下旬主流的DRAM芯片合约价（芯片厂商与PC厂商的协议价，其数量约占DRAM市场的3/4）已经跌至仅1.44美元，而9月上旬时单价还在1.75美元。

分析人士认为，跌价是因为内存芯片厂商为相互竞争兴建了太多工厂，同时对微软Windows Vista带来内存市场增量期望太高，这就导致内存芯片厂商产能的过剩。

高库存和价格战使得内存市场哀鸿遍野。SanDisk在过去两年中，利润暴跌了43%，2007年只有2.18亿美元，股价也由2006年的超过60美元下滑到收购谈判消息泄露前的不足15美元，市值缩水了90亿美元。这就是SanDisk不愿意接受三星58.5亿美元的收购价后被指责“自视过高”的原因。

内存市场的供大于求，以及由此带来的跌价让半导体厂商不得不削减资本投入。早在9月14日，日本半导体设备协会（SEAJ）公布的8月份统计数据显示，8月份日本半导体设备订单金额同比下降了47.7%。SEAJ称，订单下降的主要原因是内存芯片供应过剩，全球芯片生产商都削减了设备支出。9月20日，在中国台北举行的一个投资者论坛上，瑞士信贷（CreditSuisse）也称，在全球金融危机和客户存货水平比较高等因素的影响下，由于需求减少，半导体厂商在2008年将资本开支比2007年减少20%～30%， 2009年将继续减少资本开支。

似乎是要与瑞士信贷的预测相呼应，9月25日全球第二大储存芯片制造商韩国现代半导体表示，公司明年的资本支出将低于2008年的2.6万亿韩元（相当于23亿美元）。 现代半导体表示，由于储存芯片需求疲软，公司面临着DRAM储存芯片存货过多、供过于求的压力。

武汉新芯生不逢时？

被武汉市政府寄予厚望的武汉新芯12英寸芯片项目，是振兴武汉光谷的重点工程。这也是全国各地政府采取“地方政府投资，芯片厂家托管”模式的最新案例。其他上马的项目有苏州创投投资50亿美元的12英寸芯片制造项目和山东济南的12英寸芯片制造项目。据了解，武汉新芯今年4月就已经开始试投产了，预计到2009年第一季度会达到每月将近3万片的出货规模。

记者还了解到，参与武汉新芯托管工作的核心管理人员主要来自中芯国际的上海工厂。这些核心人员很多是中芯国际总裁兼首席执行官张汝京从台积电高薪挖过来的。而武汉新芯的基层员工则主要由当地的电子专科学校提供，“薪水比其他地方要好。”一个刚从武汉一所电子学校毕业的女员工告诉记者。

中芯国际最近的2008年上半年业绩报告显示，今年上半年收入7.05亿美元，相比2007年的7.63亿美元减少了7.6%，净利润亏损2.7亿美元。张汝京接受记者采访时认为，巨亏的主要原因是公司退出了DRAM存储芯片市场，全面战略转向逻辑芯片生产线。目前，中芯国际逻辑芯片的出货量同比去年上半年增长40%，非存储芯片业务收入已经达到6.493亿美元。

显然，中芯国际希望借助Spansion的MirrorBit技术转让，大幅提高65nm MirrorBit Eclipse和Spansion EcoRAM两种产品的产量，从而加强其逻辑芯片生产能力，进一步巩固中芯国际在闪存生产领域的领先地位，从而提升中芯国际在高附加值市场的份额。尽管中芯国际只是武汉新芯的托管方，但张汝京也表示，中芯国际不排除等武汉新芯生产线成熟后对其进行收购的可能。

Spansion首席执行官兼总裁Bertrand Cambou对记者表示， Spansion与中芯国际合作，能以更优越的成本为客户提供差异化的产品，同时“与中芯国际关系的日渐深化有助于扩大我们在中国的影响，因为中国是对闪存产品需求增长速度最快的市场之一”。而业内人士则透露，Spansion的产品原来主要由台湾积体电路制造有限公司（台积电）代工，Spansion加强和中芯国际的合作，有制衡台积电的意图。

当然，由于Spansion专注于集成化的细分闪存市场（手机、消费电子、汽车电子及服务器等市场），比大众化的闪存市场（闪存卡、USB驱动器）有更高的利润，因此中芯国际也能得到更好的代工价格。

由于找到了成本更低的代工厂，因此Spansion计划未来其资本投资集中在加快开发领先的MirrorBit闪存技术、开发高附加值、高利润的解决方案，以及扩大其位于日本会津若松的处于行业领先水平的300mm SP1闪存制造工厂上。

《新时代管理讲堂》隆重启动大师云集对话企业高层

据悉,自2008年10月18日起，大型系列知识讲座《新时代管理讲堂》即将亮相北京。《新时代管理讲堂》以名人大家的思想精髓为“点”、以当前经济生活息息相关的现代管理为话题，辐射企业管理的每个角落，从管理、文化、信息化、个人修养等方面，以名家讲座的方式，遍邀国内大师，让听众现场聆听企业管理和信息化管理极前沿、极权威观点，再辅以系列商务活动，搭建一个商界精英与名流大家面对面交流的高端知识服务平台。

《新时代管理讲堂》由四大块构成：经济管理篇、信息化管理篇、个人成长篇以及实战演绎篇。主讲嘉宾中既有吴澄、范玉顺、柴跃廷、胡鞍钢、韩秀云、孙伟、于丹、彭剑峰等来自清华大学、中国人民大学、北航软件学院、香港中文大学、北京师范大学、国家行政学院在内的知名学府的专家教授、知名学者，还包括大家所熟悉的唐骏、马云、柳传志、温元凯、艾丰、叶茂中、吴文钊等社会知名人士，可谓精英荟萃，大师云集，精彩纷呈。

即将于10月18日开讲的这一期的主题是“信息化引领企业管理新方向”，主讲嘉宾包括清华大学教授、工程院院士吴澄，北京航空航天大学教授、软件学院院长孙伟，工业和信息化部软件服务业司司长赵小凡，企业管理和信息化专家吴文钊等等。其中，吴文钊的演讲主题是《中国企业信息化战略与战术》、刘梦熊的演讲主题是《奥运后的中国经济》、赵小凡的演讲主题是《中国软件服务业政策解读》。还将举行由中央人民广播电台著名主播主持、香港知名评论家刘梦熊等嘉宾参加的《中国企业应如何应对当前经济调整》的热点对话，并将邀请著名经济学家朗咸平在19日做精彩讲演。