半导体发展路径精选(九篇)

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第1篇：半导体发展路径范文

另外，全球最大的半导体设备制造商美国应用材料公司于3月21日宣布，将投资8300万美元在西安建立第一个产品开发中心。应用材料公司CEO Michael Splinter表示：“我们在中国正由简单的销售和服务向技术开发和外包转型。在建设开发中心的第一阶段，公司将投入3300万美元，随后的第二阶段，即未来的两到五年内，公司将再投入5000万美元。

不管如何，这一切都表明中国的产业环境正处在一个极好的发展时期，对于下一步中国半导体业的发展有积极的示范作用。

英特尔项目具有示范作用

全球半导体产业链转移是一个总趋势。但是，之前向中国转移的主要集中在芯片的后序封装测试段，全球10大芯片制造商中几乎都已在中国设有封装基地。如英特尔在上海及成都分别就有三个封装厂，总投资已达13亿美元。至于芯片制造部分，美国一直控制以0.18微米为限，如今除了台湾地区的台积电及和舰在中国设厂之外，只有韩国的海力士与欧洲的意法在无锡合资新建一个存储器芯片制造厂。

根据西方国家对于半导体技术的对华出口限制(瓦圣纳条约)，英特尔在华可以采用小于0.18微米线宽的半导体工艺。这成为英特尔在华建厂的最大障碍，也是整个事件异常低调的原因。

英特尔的主流处理器已经全部转移到65纳米生产工艺，今年下半年将进入45纳米量产阶段。此次英特尔承诺在大连生产的是芯片组，是联系计算机处理器与内存芯片和输入设备等的“纽带”，采用的是上一代的90纳米生产工艺。英特尔芯片组在2006年时营收为80亿美元，英特尔在芯片组市场的主要竞争对手包括Nvidia和ATI，后者已经成为其主要竞争对手AMD的旗下部门。

根据英特尔最近向美国证券交易委员会提交的文件，该公司2006年来自中国内地和台湾的营收超过121亿美元，占其总营收354亿美元中的34％。由于戴尔、Gateway、惠普及苹果等厂商的大多数PC，90％以上的笔记本都由中国内地和台湾公司代工，因此在大连兴建芯片制造工厂，在产业链配套方面具有十分重要的意义。

根据瓦圣纳条约的原则，控制两代以上的技术向中国出口似乎也能自圆其说。因为大连项目要执行22个月，那时已进入2009年，根据英特尔的技术路线图，那时已进入32纳米时期。90纳米完全可解释为两代以上的技术。

无论英特尔，还是海力士都是在中国兴建独资公司，其间并不存在任何技术转让问题，因此美国也不用担心。加上中国在保护IP问题的认识上也逐年提高，所以瓦圣纳条约的精髓，在贸易和控制之间平衡也能得到妥善解决。可以预期，英特尔、应用材料等世界顶级公司在中国的投资活动，将有示范及引导作用。尤其对于台积电松江厂仍紧守O.18微米为限，可能丧失竞争能力。另外，随着第5条12英寸芯片生产线在中国落户，中国12英寸专业人才的竞争将更加激烈。

一切转移都遵循着价值规律，即当芯片制造业开始转移中国时，表明其利润点已不可能再维持很高，而转移者将进入产业链中附加值更高的部分。如IBM，摩托罗拉，NXP，安捷伦等都是如此。IBM是全球掌握IP最多的公司，然而它并不都自己使用，而进行IP贸易，年营收已可达数亿美元。

面对如此良好的契机，中国无疑应积极吸收，以提升自身的竞争能力。归根结底，产业链的转移将永远继续下去，今天到中国，明天很可能又转到印度或者越南。

发展本土半导体工业才是根本

发展工业离不开两条路径，首先积极开放，通过技术引进站在高起点上。但这还不能获得真正的先进技术，需要通过消化，吸收才能使自身实力提高。此外，就是通过自行研发，可能慢一点，困难大点，但这才是中国工业发展的根本路径。

因此，中国半导体工业的发展不可陶醉于英特尔，或者日月光等在中国设多少厂，尤其是独资厂。除了看似中国半导体工业产值能提高，解决部分就业，顶多培养了一批中下级人才。它们都把核心技术牢牢地掌握在自己手中，实质上对于中国半导体业本土化进步，并无多少实质性的帮助，可以比喻为仅交换了一个战场的地点。

英特尔在中国兴建的12英寸，90纳米制程生产线，要到2010年才投产，中间的变数还可能很多。非常有可能是由8英寸升级改造至12英寸的二手设备芯片生产线。虽然英特尔中国区公共事务部总监陆郝安博士对此持否定态度，再三表示“这完全是误解，我们是在新的厂址，建新的工厂。”

最根本的还是“要创新，创新，再创新”。积极培育与壮大本土的半导体制造大厂，如中芯国际，华虹，宏力，华润，先进等。只有中国的芯片制造厂强大，有实力，才能更有效地支持国内设计，封装以及设备，材料，包括配套支持产业均衡地发展。

中国的芯片制造厂不能仅停留在实现盈利这一阶段，而是要创立国际的品牌，有几个在国际上能站得稳的大厂。否则，在日益竞争的环境中，很易被对手挤出市场。当然，企业要盈利是首位，但是中国半导体业必须差异化，也需要有部分企业一定要有抱负，立足于行业的前列。所以中国半导体工业的发展，从策略上要培育多个如中芯国际式的企业，唯此中国半导体业才有真正的希望。最近连台湾地区的厂商也坦陈中国要发展本土化的半导体封装大厂。

第2篇：半导体发展路径范文

1产品简介

为了使半导体芯片功能以方便的形式提供给用户，必须将芯片进行封装。塑料树脂封装形式是目前适合大规模批量生产最通用的方式。引线框架是半导体器件塑料树脂封装所需的支撑元件，其作用一是固定芯片，二是将芯片的功能通过外引线传递出去。

2007年公司自主研制开发了TO-220防水塑封引线框架，他是半导体功率器件塑料封装所必需的重要组件，2007年下半年开始小批量生产并逐步提供用户应用，经国内华润华晶、深圳深爱、吉林华微、宁波明昕等主要客户使用，得到了一致好评。与国内外同类产品相比，大大提高了半导体器件封装强度，改善了半导体器件的密封性能，提高了用户产品的测试良品率，取得了用户的认可，完全可以推广扩产。

TO-220防水塑封引线框架产业化项目已列入“2008～2009年国家火炬计划项目”。

2创新性和先进性

本产品属于结构创新。

TO-220防水塑封引线框架的结构设计采取在产品的基片与散热片相连的颈部设一燕尾状挡水槽，挡水槽延伸至两端后折弯，并延伸至基片背面；同时在基片正面近燕尾侧面的部位，基片背面与燕尾侧面相交的边角部设挡水凹槽。

该项技术在半导体塑封引线框架生产中的应用在国内属于首创。国外同类产品，根据我们的了解，一般也只是使用在局部。就是在产品的基片与散热片相连的颈部设一燕尾状挡水槽，或者是在燕尾侧面相交的边角部设挡水凹槽。二者同时采用的还没有，其效果没有我们产品的明显。

由于产品在结构上作了改进，在半导体器件生产过程的塑料封装工序中，热熔的塑料材料分别填入前述的颈部、正面和背面边角部的三处挡水凹槽，封装后使水汽接触芯片的路径延长了20%，有效阻挡了水汽从所述塑封件与基片的微小间隙进入芯片区域，从而使半导体器件的合格率、稳定性和使用寿命大大提高。同时，又由于所述塑封料填入了所述基片的颈部燕尾状挡水槽和背面边角部挡水凹槽，也大大增强了所述塑封件与所述基片的结合强度，有利于提高半导体器件的抗震性和使用寿命。

该产品核心技术属于企业自主创新，2008年2月6日取得国家知识产权局授予的实用新型专利。

公司目前准备将该项技术逐步扩大到整个半导体分立器件塑封引线框架的生产过程中，争取在行业内有所突破，逐步将延伸并且扩展到集成电路塑封引线框架的生产过程中。

公司高精度塑封引线框架工程（技术）中心重点是研发大规模集成电路（SOP/SSOP/ZIP/LQFP等）系列、功率模块等系列、表面贴装（SOT/SOD等系列用塑封引线框架的设计与生产技术，为半导体封装市场提供高精度塑封引线框架。2008年公司申报市级新产品计划10项，专利申请7项。

3应用和市场

全球著名的半导体公司，纷纷看好中国市场，竟相将封装测试基地转移到中国，如：飞思卡尔、英特尔、英飞凌、瑞萨、意法半导体、飞利浦半导体、中芯国际等。中国台湾的一些著名专业封装企业也在向内地加速转移。

中国内地的封装企业如南通富士通、江苏长电、吉林华微、深圳深爱、深圳赛意法、无锡华润安盛等，生产规模大，并进入量产化，不断开发生产国内外半导体封装企业所需的配套产品，这些给我们引线框架生产厂家的发展带来了前所未有的机遇与挑战，市场前景广阔。

第3篇：半导体发展路径范文

本次FTF China继续以飞思卡尔引以自豪的嵌入式处理技术为核心，进一步推进RF、模拟、传感和软件技术的开发。在技术领域，除了飞思卡尔的优势产品通讯基站和汽车电子市场以外，智能本(smartbook)、LTE方案和电子书阅读器(eReader)等产品和应用方案十分引人注目：而在市场方面则凸显对亚洲市场的重视。

亚洲市场：注重创新　潜力巨大

飞思卡尔半导体董事会主席兼首席执行官Rich Beyer在主题演讲中指出，自上次FTF以后，我们的产业经历了近年来最严峻的考验。空前的全球性经济衰退使全世界所有国家和地区都未能幸免。中国等以出口为导向国家的经济状况受到了严重冲击。根据中国商务部的报告，家电、消费电子产品和汽车零部件的出口出现了一定下滑。如今，经济已经开始逐步从衰退中恢复，中国也已经获得在复苏的过程中的优势位置。世界贸易组织(WTO)认为，中国有望在今年年底替代德国，成为全球最大的商品出口国。许多国家都在制定刺激经济复苏的措施、而中国的刺激方案是最有效的：从信贷数字即可看出，今年第一季度中国银行的贷款已经和2008年全年的总量相当。在中国，汽车产业正在飞速增长，75％的消费者是首次购车者，而其中几乎95％都由自己承担车款。因此，种种迹象表明了中国经济的巨大潜力，飞思卡尔十分看好中国的经济。

飞思卡尔副总裁兼亚太区总经理汪凯博士认为，亚洲的发展十分迅猛、中国市场尤其强劲。中国在短短20年间，从一个发展中国家一跃成为全球经济的动力之一，与全球的强国一起抗击经济危机。今年，虽然金融危机对中国出口造成了负面影响，但中国的促进计划中，网络和无线通信受益不小。因此，对于在相关领域有着很强实力的飞思卡尔而言，今年的业务不但没有受到影响，反而实现了不错的增长。再看亚洲其他各国的情况。印度TATA公司生产的微型轿车受到大家的欢迎，这辆汽车上个月才交付生产、但到现在已经有超过20万人下了订单。在台湾地区、COMPUTEX已成为行业最重要的盛会之一。许多报纸的标题都这样评价：台湾正在引领PC和高智能玩具的创新潮流。纽约时报的评论是：台湾的公司在市场上的垄断地位不在资产方面，而在创新领域，他们能够创造很多高质量、低价格的产品。再来看一下全球排名前三位的手机品牌，有两个来自韩国：同时有意思的是，韩国还拥有全球最高的互联网接人比例，有95％的家庭用户都已接入了高速互联网。而且，中国和印度农村地区的移动用户数量正在增加，有数字指出，将来全球39％的移动基站都会在亚太区。以上这些信息十分清晰和明确：弧洲已成为世界半导体一个非，常重要的组成部分。这不止在消费领域，在制造领域，在创新领域，也是同样的情况。

领先方案续写通信市场传奇

飞思卡尔是无线技术射频领域的头号供应商。全球70％的手机的通话都由飞思卡尔的基站技术完成的。飞思卡尔在通信处理器方面也排名第一，目前的产品出货量超过1.85亿。飞思卡尔CEO Rich Beyer指出，飞思卡尔的核心技术是MCu、MPu和DSP；我们在垂直应用发展方向是网络、工业、消费和汽车四大领域。在网络领域，飞思卡尔会大力发展多核处理器。

飞思卡尔去年的8156 DSP以出色的处理能力和功耗性能受到业界广泛好评，并创造了极高的市场接受度。2009年，飞思卡尔基于StarCore技术的低功耗版4核8154 DSP处理器则为客户增加了更多选择。

飞思卡尔高级副总裁及网络与多媒体部门总经理Lisa su女士表示、在去年的大会上，飞思卡尔了业界首颗45nm工艺的6核DSP处理器8156，其面向3G／4G网络应用，在市场上创造了空前的接受度，并获得《中国电子报》业界最佳LTE器件奖，以及《Electronique Magazine》颁发的Electron D’or年度最佳处理器奖。今天在FTF中国，飞思卡尔最新的8154 DSP处理器将继续飞思卡尔在该领域的成功。4核心低功耗的8154处理器基于StarCore技术，定位于为客户提供更多种价位、功耗，和部署方案的支持。目前，8154已被应用于世界最领先网络的测试，并预计将于本年底量产。

飞思卡尔在FTF还同时了基于QorIQ技术的8核心P4080处理器。P4080多核处理器是飞思卡尔新QorIQ产品线的“标志性成员”，其内置8个增强型Power架构e500mc内核、单个内核主频高达1.5GHz，且都拥有其自己的专用128KB L2后端缓存，并能接入2MB共享前端L3缓存。三级缓存分层、创新的CoreNet片上结构和数据路径加速，可在最大30W的功率电路内提供卓越性能。

完全的处理器独立性(包括启动和重置各单个e500mc内核的能力)是该器件最显著的特征。内核可以作为8个对称多处理(SMP)内核、8个完全不对称多处理(AMP)内核，或者SMP和AMP以不同程度独立性运行的组合。此外，内核还兼容不同操作系统(OS)或在无OS情况下运行，为用户提供了在控制、数据路径和应用处理间进行分区的极大灵活性。

Lisa su女士介绍说，基于45nm工艺技术的QorIQ P4080能够并行处理控制平面、数据平面和应用层的处理任务，非常适合于联网、电信、工业、军事和航天领域的一些应用，如交换机、企业和服务提供商路由器、接入和媒体网关、基站控制器、无线网络控制器(RNC)和通用嵌入式计算系统。

此外，为了加快应用开发，实现多核器件的新可视性水平，飞思卡尔与模拟软件公司Virtutech结成战略伙伴，创造出世界上第一个混合模拟环境。该环境把Virtutech的Simics模拟器的快速功能模式和QorIQ P4080处理器平台的详细性能模式结合起来。在该模拟环境中，排除了现实开发中的硬件限制，开发人员可以对内核和代码进行分区、执行“what if”场景。该环境还允许软件工程师对他们的驱动器、中间件和应用代码进行性能调整，或者部署和运行操作系统，开发、调试和测试软件。

FTF：协作、创新，和灵感的舞台

随着技术的发展，人类创造和接受新事物的速度正以几何级数递增。固定电话从发明到广泛应用经历了半个世纪的时间；而手机的广泛应用只用了8年。在医疗领域，科学家经过15年的时间才把艾滋病病毒排序，然而在2003年，SAPS病毒的排序只用了不到一个月。

第4篇：半导体发展路径范文

在促进高技术产业发展过程中，政府采购作为宏观调控工具之一，可以在以下两方面发挥作用。

（一）通过政府采购扩大高技术产品的需求

政府采购作为政府需求管理政策，可以通过需求的拉动作用，促进全社会对高技术产业的研发投入，同时引导高技术产业发展的速度和方向。具体来说，主要包括以下几个方面：

第一，政府作为高技术产品的主要用户，为高技术产品提供稳定市场。高技术产品的研发具有很大风险，研发费用高，市场预期也不明确。而政府可以通过明确的采购合同为企业提供一个稳定、可预期的市场，从而降低研发的风险。同时，政府可以与高技术企业共同承担研发的风险，与企业进行更加深入的交流沟通，使企业更加明确政府的需求，从而进一步降低研发风险。而且，由于政府的强大购买力，高技术产品的生产很容易达到规模经济，可以降低生产成本，增加企业利润。

第二，政府作为高技术产品的先行用户，可以反馈使用信息，促进高技术产品成熟。政府作为先行用户，为高技术产品创造试验性的市场，在高技术产品的生命周期早期就开始使用该产品，通过在使用过程中对产品使用情况的反馈，使企业在“生产中学习”，不断完善自己的产品，从而达到市场化的要求。为此，政府可以作为高技术产品的首先购买者，通过政府首购，促进私人市场对高技术产品的需求。

第三，政府可以在高技术产品采购过程中，制定产品标准，引导企业自主创新的方向和速度。与企业相比，政府可以利用更多的社会资源，特别是与高技术相关的专家资源。因此，不论作为主要用户，还是作为先行用户，政府都可以利用专业知识，发挥前瞻性，在高技术产品生产的初期，就为其制定详细的产品标准，从而使产品的研发过程能够按照一定的方向和速度进行，最终研制出满足市场需求的产品。

第四，政府和私人开展“合作采购”。政府和私人共同出资购买，政府可以选择高技术产品的采购范围，而私人最终决定高技术产品的购买。这种“合作购买”的形式，比单纯的政府对购买高技术产品的补贴更有针对性。政府作为购买者，不仅可以利用财政资金撬动私人市场对高技术产品的需求，而且可以决定高技术产品的采购范围，并且通过采购合同，决定高技术产品的标准、质量、价格等因素，使其更符合国家的产业政策。

（二）通过增加采购的附加条件，扩大高技术产品的供给

在政府采购过程中，增加一些附加条件，以此来促进高技术产品的供给。通常有以下几种做法：限制购买国外高技术产品，比如购买的高技术产品中，国内生产的产品必须达到一定的比例以上；限制购买国内传统产业产品，比如在购买国内产品时，高技术产品应该达到一定比例以上；对高技术产品实行价格优惠政策，允许国内高技术产品与国外高技术产品或国内传统产业产品的价格有一定的差异，这个差额是政府为了支持高技术产业的发展额外支付的资金；通过购买合同的附加条款，间接促进高技术产业发展，比如要求国外中标的高技术企业必须在国内建立生产线，通过技术外溢，促进国内相关技术的发展。这样既能保护国内高技术产业的市场份额，也能提高高技术企业自身的竞争力，有利于高技术企业通过参与激烈市场竞争不断增强自身实力，实现优胜劣汰，从而从整体上提升我国高技术产业的竞争力。

以上几种做法是相互联系、相互补充的。在实践中，政府采购政策往往会同时包含几种政策功能。而且，政府采购在实现充分就业、环境保护等政策目标的同时，也可能会间接促进高技术产业的发展。所以应该充分发挥政府采购的政策功能，促进高技术产业发展。

二、国外政府利用政府采购促进高技术产业发展的实践

（一）美国的政府采购政策实践

美国是最早运用政府采购促进高技术产业发展的国家。早在1761年，美国就出台世界上第一部政府采购法《联邦采购法》，其中，专门提出对技术创新成果采购的内容。1933年美国通过《购买美国产品法》，该法规定联邦各政府机构除了几种特殊情况，比如联邦机构负责人认为此合同仅采购本国产品不符合公众利益、本国无法以合理价格充足地供应该产品之外，必须购买本国产品，工程和服务必须由国内供应商提供。同时规定，在政府采购项目的国外报价中，只要本国供应商的报价不超过外国供应商报价的6%，则优先交由本国供应商采购。1953年美国通过了《小企业法》，要求行政机构将一定比例的政府采购合同给予小型企业和社会弱势群体拥有的企业。《购买美国产品法》虽然适用于所有企业，但是对高技术产业的保护作用更加明显。而且由于很大一部分高技术企业都是随新技术的出现而成立的新兴企业，自身规模比较小，所以他们又都是《小企业法》的直接受益者。此外，美国还通过“提高技术标准”、“增加检验项目”和“技术法规变化”等技术壁垒，提高外国高技术产品的进入门槛，保护国内高技术产品市场。

在美国高技术产业的发展过程中，政府采购特别是用于军事目的的国防采购，起了决定性作用，而最具代表性的就是半导体产业的发展。美国国防部和美国航天局的政府采购包括采购研发服务和产品。在采购研发服务时，政府与研发企业共同承担风险，企业即使研发失败，也能得到一定的补偿，从而大大降低了研发的风险。由于半导体技术的复杂性，涵盖化学、机械、冶金等许多领域，导致半导体技术的发展路径不唯一，且有很大不确定性，没有一个公司能够研究半导体技术所涵盖的所有领域，所以，政府在与企业签订研发合同时，都要求企业必须将研发成果共享，这简化了研发过程，提高研发的成功率。同时，由于不同政府机构对于半导体产品的需求不同，比如国防部要求半导体产品的高稳定性，而航天局要求半导体产品体积小，集成度高，所以使半导体技术能够向多维度发展，而这些技术又相互影响，相互促进，最终推动了半导体行业整体的发展。

在采购产品时，政府一方面作为先行用户，为半导体产品提供试验市场，使半导体产品制造企业能够在“生产中学习”，逐渐降低其制造成本。另一方面，国防部和航天局采取购买小企业或者新企业产品的办法，保持半导体行业的竞争性，避免了大型企业由于垄断市场而产生惰性，从而影响产业发展速度的情况。20世纪50年代，像GE、 Western Electric等大型公司在半导体产品市场的份额只有三分之一。除了半导体产业，美国电脑产业、互联网产业和航空航天产业在发展初期也遵循了和半导体产业同样的发展路径。即通过任务导向的国防采购促进相关领域的技术进步，通过国防采购的稳定市场完善产品性能和降低产品价格，最终实现从军用到民用的转变。很多著名的高技术公司在其发展过程中都受益于政府采购。

（二）欧盟的创新性采购

在实践中，欧盟既承认“技术推动”的作用，也承认“需求拉动”的作用，并且把公共需求作为刺激创新的主要政策，提出“创新性政府采购”的概念。具体到政府采购过程中有以下创新方式：

1、产品的全过程采购

以德国汉堡采购节能灯为例，采购机构将产品从购买到维护整个周期的成本进行考虑，将节约的能源作为收益，从而避开了节能产品初始费用高的问题。政府通过购买节能灯，产生了很好的示范效应，促进了私人对节能产品的购买。同时，由于有为政府提供节能灯的成功经验，该企业获得了在欧盟范围内参与竞标的资格，从而大大提高了该企业的竞争力。

2、政府作为先行用户进行采购

德国政府希望将传统电话网络和新的IP电话网络整合。虽然这项技术还没有在实践中使用过，但政府愿意作为先行用户，而企业也希望通过这个项目展示技术实力，在该领域取得突破。最终该项目的成功提高了企业整合复杂电话网络的能力，企业通过该项目获得的技术经验帮助企业在其他项目中获得成功。

3、择优采购企业技术后采购产品

在英国采购高速公路电子显示屏系统的例子中，政府并没有对显示屏的标准提出明确的要求，而是从企业的各种设计中择优。这样保证了设计的多样性，也保证政府能够获得最好的产品。并且政府给所有参与投标的企业一定的资金补偿，降低了设计成本。最终中标企业将其技术不断发展，使英国高速公路电子显示屏技术处于世界领先地位。

三、对我国的启示与借鉴

（一）政府采购规模是实现产业调控功能的基础

国际上政府采购支出一般占年度GDP的10%以上，欧盟2004年的政府采购支出就达到GDP的16%，而我国2009年政府采购规模仅占当年GDP的2%。在这些政府采购资金中，大部分资金是用于一般性政府采购，难以实现政策调控功能。从具体的采购内容看，虽然《政府采购法》实施以来，政府采购的范围已由原来单纯的货物类采购扩大到工程和服务类采购，并且工程采购的比重呈现上升趋势。但货物类和服务类采购所占比重都比较小，对政府采购政策功能的发挥也是一个较大的制约。

借鉴国际经验，我国可通过以下途径扩大政府采购规模。一是扩大政府采购范围。一方面，应该在《政府采购法》的基础上，制定《政府采购实施细则》，进一步明确政府采购的适用范围，对《政府采购法》中所规定的货物、服务、工程采购的内涵进一步细化，对采购范围做具体的界定。另一方面，应该将满足公共需要的政府支出都纳入政府采购的范围。可以将行政机关、事业单位和社会团体的日常办公采购纳入采购范围；将教育、卫生、医疗、科研系统中的技术含量高、专业性强的重大项目纳入政府采购范围；将大型国有企业的重大项目纳入采购范围；将具有公共产品性质的工程、基础设施通过政府采购手段购买和实施；将公共企业的采购纳入政府采购范围。二是扩大政府采购政策支出的规模，如要求各部委从支持高技术研发资金中按照一定比例直接拨给政府采购负责部门，以保证各部委制定的政府采购支持高技术产业的政策能够得到有效的落实。

（二）法律的保障和强有力的执行是履行政策性政府采购的关键

欧美发达国家的政府采购行为都是以法律为保障的，而为了保障法律的执行，又制定了诸多的实施细则法规，而且也有相应的监督机制。2002年我国正式颁布《政府采购法》，其中第九条明确指出，“政府采购应当有助于实现国家的经济和社会发展政策目标，包括保护环境，扶持不发达地区和少数民族地区，促进中小企业发展等。”但是，这只是一个宏观的、方向性的要求，没有具体的实施细则加以配套。此外，很多国务院及相关部委的文件中也都提到了政府采购促进高技术及相关产业发展的内容。但是，它们只是以文件形式体现，缺乏法律效力，强制功能弱，制约了政府采购政策功能的发挥。虽然各级财政部门根据《政府采购法》和其他法律法规制定了各自的《政府采购实施细则》，但是国家还没有正式出台统一的实施细则，因此，在实际操作过程中，还会遇到一些制度和法律不明晰导致的法律执行力弱等问题。而且，我国政府采购缺乏有力的监督。政府采购工作中缺乏监督、检查、惩处办法，缺乏监督主体、监督内容等政策依据，这些问题直接制约了我国政府采购政策功能的实现。因此，一方面应该加快《政府采购实施条例》等一系列与《政府采购法》配套的全国性法律法规的出台，使政府采购过程有法可依，有章可循。国务院及各部委也应该根据《政府采购实施条例》，出台针对不同产业的政府采购方案，使各种产业政策既能做到有针对性，也能够保持统一性。另一方面，还应该加强政府采购的监管工作，强化监督约束机制。明确政府采购监督管理部门的职责并认真履行，真正做到有法可依，有法必依，违法必究。

（三）政府采购要与明确的产业发展目标相结合

在发达国家利用政府采购促进高技术产业发展的实践中，很重要的一点就是有明确的政府采购扶植目标。一是要明确支持哪些高技术行业。虽然从国际范围看，很多产业都属于高技术产业，但是具体到一个国家来说，还是要站在实现国家最高利益的角度，明确具体支持的重点行业和领域。二是要明确在该行业中，优先扶植哪些企业。同一个行业中高技术企业很多，但是它们自身的经济实力、科研能力、生产能力不同，也就是说，能够真正实现高技术产业发展的潜力不同，因此应该在政策上区别对待。而我国目前的情况是多头管理，在国家制定的高技术产业中，各部委均按照各自职权范围确定重点扶植的产业。而在具体实施中，各级地方政府又按照各自的标准选择需要扶持的企业。结果造成财政资金对高技术产业和企业的扶植缺乏重点，效果不明显。

建议由国务院联合各相关职能部门，结合我国实情，对于最有发展潜力，最能够提高我国科技竞争力的高技术产业重点支持，为其制定专门的支持政策，使政府采购能够与该产业发展的特点相结合，充分发挥政府采购的作用。同时在重点行业内部，应该明确重点扶植项目，确保从事该项目的企业能够得到稳定、持续的政府支持，促进企业自身对项目的投入，同时也提高项目成功的概率。这样可以确保财政资金形成集中力量，避免由于资金的分散造成财政资金使用效益低。

（四）在政府采购过程中引入风险补偿机制

我国目前的政府采购政策中，还没有引入风险补偿机制，高技术企业如果研发失败，不能从政府得到一定补偿，降低了风险的承受力。借鉴国际经验，可以设立风险补偿基金。在政府采购的各项经费中按采购的性质和金额大小，按一定比例拨出资金存入风险补偿基金账户。当高技术企业研发失败时，按照采购合同约定，通过风险补偿基金弥补企业的损失。这样可以降低企业的研发风险，从而使企业愿意承担规模更大、难度更高的研发项目，有利于高技术产业技术水平的提高。

（五）逐步开放国内市场，积极促进国内高技术产业内部竞争

第5篇：半导体发展路径范文

Introductionto Quantum Mechanics

Schrodinger Equation and Path Integral，

2nd Edition

2012，950 p

Hardcover

ISBN9789814397735

Harald J W MüllerKirsten著

薛定谔在1926年建立了以他的名字命名的方程，开创了量子力学进入严格的和近似定量计算的新局面，促进量子力学迅速扩展了应用能力和范围。20年之后费曼提出了量子力学的路径积分形式，并证明了与薛定谔方程的等价性。它不仅能够解决量子力学中的一般的定量计算问题，而且在随后几十年的量子场论和规范场论的发展过程中起了不可替代的重要作用。这两种定量处理方法各有优劣，薛定谔方程对于量子力学问题的处理无疑具有极大的优点，其图像清晰而且在数学上有许多为物理学家熟悉的成熟处理方法，受到物理学家的普遍欢迎。相比之下，路径积分方法的使用要麻烦得多。但近年来，人们越来越发现路径积分方法在很多应用中有着独特的优越性。对于这两种方法，已经有许多优秀的量子力学教科书以及专著分别给出了非常详细的讨论。但是将两种方法对同一问题的解决办法进行相互对照与比较，从而对于各自的优点和特定的应用范畴有更深刻的理解的著作还十分罕见，本书填补了这一空白。

这是一部量子力学的教科书，它涵盖了作为导论性课程所有的主要内容，不但详述了各种位势下薛定谔方程的微扰解，介绍并算出了对应的路径积分的解，而且还详细地考虑了微扰展开的高阶行为，这在其他类似的书籍中很少见到。本书的另一特点是没有提供习题，而是结合课文的内容选用了大量例题，给出了非常详细的计算细节，对于读者的学习十分有利。

本书的第1版出版于2006年。第2版中，添加了许多重要的应用和很多实例。特别是关于Coulomb势的一章被扩充到包含了化学键的介绍，而周期势的一章补充了关于金属和半导体能带论的一节，而在高阶行为的一章添加了关于渐进展开中成功地计算收敛因子的例证。

全书共分成29章：1.导言；2.哈密顿量子力学； 3.量子力学的数学基础；4.狄拉克的右矢和左矢形式体系； 5.Schrdinger方程和Liouville定理；6.谐振子的量子力学； 7.Green函数；8.时间无关微扰论； 9.密度矩阵和极化现象； 10.量子理论：一般形式体系； 11.Coulomb 相互作用； 12.量子力学穿透；13.线性势； 14.经典极限和WKB法； 15.幂次势； 16.屏蔽Coulomb势； 17.周期势； 18.非简谐振子势； 19.奇异势；20.微扰展开的高阶行为；21.路径积分形式； 22.经典场组态； 23.路径积分和瞬子； 24.路径积分与沿一条线上的弹跳； 25.周期性的经典组态； 26.路径积分和周期性的经典组态；27.约束系统量子化；28.量子-经典跨接作为相变；29.结束语。

本书对物理系的大学生和研究生以及数学和粒子物理的研究人员非常适用。对希望扩大自己量子力学技巧的理论物理学家和想要更进一步钻研量子力学的其他专业的研究生以及所有对微扰方法、路径积分及其在经典场伦中的应用感兴趣的读者都具参考价值。

丁亦兵，教授

（中国科学院大学）

第6篇：半导体发展路径范文

【关键词】集成电路 设计方法 IP技术

基于CMOS工艺发展背景下，CMOS集成电路得到了广泛应用，即到目前为止，仍有95%集成电路融入了CMOS工艺技术，但基于64kb动态存储器的发展，集成电路微小化设计逐渐引起了人们关注。因而在此基础上，为了迎合集成电路时代的发展，应注重在当前集成电路设计过程中从微电路、芯片等角度入手，对集成电路进行改善与优化，且突出小型化设计优势。以下就是对集成电路设计与IP设计技术的详细阐述，望其能为当前集成电路设计领域的发展提供参考。

1 当前集成电路设计方法

1.1 全定制设计方法

集成电路，即通过光刻、扩散、氧化等作业方法，将半导体、电阻、电容、电感等元器件集中于一块小硅片，置入管壳内，应用于网络通信、计算机、电子技术等领域中。而在集成电路设计过程中，为了营造良好的电路设计空间，应注重强调对全定制设计方法的应用，即在集成电路实践设计环节开展过程中通过版图编辑工具，对半导体元器件图形、尺寸、连线、位置等各个设计环节进行把控，最终通过版图布局、布线等，达到元器件组合、优化目的。同时，在元器件电路参数优化过程中，为了满足小型化集成电路应用需求，应遵从“自由格式”版图设计原则，且以紧凑的设计方法，对每个元器件所连导线进行布局，就此将芯片尺寸控制到最小状态下。例如，随机逻辑网络在设计过程中，为了提高网络运行速度，即采取全定制集成电路设计方法，满足了网络平台运行需求。但由于全定制设计方法在实施过程中，设计周期较长，为此，应注重对其的合理化应用。

1.2 半定制设计方法

半定制设计方法在应用过程中需借助原有的单元电路，同时注重在集成电路优化过程中，从单元库内选取适宜的电压或压焊块，以自动化方式对集成电路进行布局、布线，且获取掩膜版图。例如，专用集成电路ASIC在设计过程中为了减少成本投入量，即采用了半定制设计方法，同时注重在半定制设计方式应用过程中融入门阵列设计理念，即将若干个器件进行排序，且排列为门阵列形式，继而通过导线连接形式形成统一的电路单元，并保障各单元间的一致性。而在半定制集成电路设计过程中，亦可采取标准单元设计方式，即要求相关技术人员在集成电路设计过程中应运用版图编辑工具对集成电路进行操控，同时结合电路单元版图，连接、布局集成电路运作环境，达到布通率100%的集成电路设计状态。从以上的分析中即可看出，在小型化集成电路设计过程中，强调对半定制设计方法的应用，有助于缩短设计周期，为此，应提高对其的重视程度。

1.3 基于IP的设计方法

基于0.35μmCMOS工艺的推动下，传统的集成电路设计方式已经无法满足计算机、网络通讯等领域集成电路应用需求，因而在此基础上，为了推动各领域产业的进一步发展，应注重融入IP设计方法，即在集成电路设计过程中将“设计复用与软硬件协同”作为导向，开发单一模块，并集成、复用IP，就此将集成电路工作量控制到原有1/10，而工作效益提升10倍。但基于IP视角下，在集成电路设计过程中，要求相关工作人员应注重通过专业IP公司、Foundry积累、EDA厂商等路径获取IP核，且基于IP核支撑资源获取的基础上，完善检索系统、开发库管理系统、IP核库等，最终对1700多个IP核资源进行系统化整理，并通过VSIA标准评估方式，对IP核集成电路运行环境的安全性、动态性进行质量检测、评估，规避集成电路故障问题的凸显，且达到最佳的集成电路设计状态。另外，在IP集成电路设计过程中，亦应注重增设HDL代码等检测功能，从而满足集成电路设计要求，达到最佳的设计状态，且更好的应用于计算机、网络通讯等领域中。

2 集成电路设计中IP设计技术分析

基于IP的设计技术，主要分为软核、硬核、固核三种设计方式，同时在IP系统规划过程中，需完善32位处理器，同时融入微处理器、DSP等，继而应用于Internet、USB接口、微处理器核、UART等运作环境下。而IP设计技术在应用过程中对测试平台支撑条件提出了更高的要求，因而在IP设计环节开展过程中，应注重选用适宜的接口，寄存I/O，且以独立性IP模块设计方式，对芯片布局布线进行操控，简化集成电路整体设计过程。此外，在IP设计技术应用过程中，必须突出全面性特点，即从特性概述、框图、工作描述、版图信息、软模型/HDL模型等角度入手，推进IP文件化，最终实现对集成电路设计信息的全方位反馈。另外，就当前的现状来看，IP设计技术涵盖了ASIC测试、系统仿真、ASIC模拟、IP继承等设计环节，且制定了IP战略，因而有助于减少IP集成电路开发风险，为此，在当前集成电路设计工作开展过程中应融入IP设计技术，并建构AMBA总线等，打造良好的集成电路运行环境，强化整体电路集成度，达到最佳的电路布局、规划状态。

3 结论

综上可知，集成电路被广泛应用于计算机等产业发展领域，推进了社会的进步。为此，为了降低集成电路设计风险，减少开发经费，缩短开发时间，要求相关技术人员在集成电路设计工作开展过程中应注重强调对基于IP的设计方法、半定制设计方法、全定制设计方法等的应用，同时注重引入IP设计技术理念，完善ASIC模拟、系统测试等集成电路设计功能，最终就此规避电路开发中故障问题的凸显，达到最佳的集成电路开发、设计状态。

参考文献

[1]肖春花.集成电路设计方法及IP重用设计技术研究[J].电子技术与软件工程，2014，12（06）：190-191.

[2]李群，樊丽春.基于IP技术的模拟集成电路设计研究[J].科技创新导报，2013，12（08）：56-57.

[3]中国半导体行业协会关于举办“中国集成电路设计业2014年会暨中国内地与香港集成电路产业协作发展高峰论坛”的通知[J].中国集成电路，2014，20（10）：90-92.

第7篇：半导体发展路径范文

趋势一：软件定义的仪器系统成为主流

现在的电子产品(像iPhone和Wii等)已越来越依重于软件去定义产品的功能。同样，在产品设计和客户需求日益复杂的今天，用于测试测量的仪器系统也朝着以软件为核心的模块化方向发展，通过整合通用的模块化硬件和自定义的软件处理，使得用户能够更快更灵活地配置测试系统，并满足不断改变的测试需求。

通过软件定义模块化硬件的功能，用户可以快速实现不同的测试功能，并应用定制数据分析算法和创建自定义的用户界面。相比于传统仪器固定的功能限制和只是“测试结果”的呈现，以软件为核心的模块化仪器系统能够赋予用户更多的主动权，甚至将自主的知识产权(IP)应用到测试系统中。

在业界，被认为是最保守的客户之一的美国国防部在2002年向国会提交的报告中指出下一代测试系统(NxTest)必须是基于现成可用商业技术(COTS)的模块化的硬件，并同时强调了软件的能动作用。最新的合成仪器(Synthetic Instrumentation)的概念也无非是经过重新包装的虚拟仪器技术，将软件的开放性和硬件的模块化重新结合在了一起。

如今，数以千计的公司正采用以软件为核心的模块化的系统架构为标准(见图1)构建仪器系统。根据PXI系统联盟(PXISA)的统计，到2009年末，将有超过100000台PXI系统应用于各大项目；预计到2014年，PXI在测量与自动化领域的赢利将有望保持每年17.6％的复合增长率(CAGR)。

趋势二：多核／并行测试带来机遇和挑战

多核时代的来临已成为不可避免的发展趋势，双核乃至八核的商用PC现在已随处可见。得益于软件定义的仪器系统，用户可以在第一时间享受到多核处理器为自动化测试应用带来的巨大性能提升。

要充分发挥多核的性能优势，就必须创建多线程的应用程序，例如，我们可以将自动化测试程序的数据采集、数据分析、数据记录乃至用户界面部分创建不同的线程，从而分配到不同的核上并行的运行。不过，这样并行的开发理念使得习惯于传统串行开发方式的工程师难以适应，尤其是当核的数目越来越多时。

挑战和机遇往往是并存的，作为图形化语言的代表，LabVIEW在设计当初就考虑到了并行处理的需求，从LabVIEW 5.0开始支持多线程到现在已有10多年的历史。可以毫不夸张地说，天生并行的LabVIEW就是这样一种驰骋多核技术时代的编程语言，通过自动的程序多线程化，开发人员无须考虑底层的实现机制，就可以高效地享用多核技术所带来的益处。

无论是欧南天文台极大望远镜高达2700万次乘加运算的镜面控制，到Tokamak核聚变装置的实时处理运算，还是NASA的飞机安全性测试和TORC汽车控制快速原型设计，LabVIEW多核技术都为这些应用带来了巨大的性能和吞吐量的提升，随着多核技术的进一步发展，提升的幅度将更为可观。

趋势三：基于FPGA的自定义仪器将更为流行

随着设计和测试的融合越来越紧密，人们对于测试的确定性、实时性和灵活性的要求也越来越高，FPGA(现场可编程门阵列)技术正逐渐被引入到最新的模块化仪器系统中，这也就是我们所说的基于FPGA的自定义仪器。

FPGA的高性能和可重复配置特性一直是硬件设计工程师们的最爱，而对于测试工程师而言，又何尝不想拥有硬件级的确定性和并行性呢。像诸如实时系统仿真、高速内存测试等应用都需要用到FPGA来确保响应的实时性和高速的数据流入和流出，FPGA的IP核更是可以为工程师植入自主知识产权的算法提供契机。然而，苦于对硬件设计知识的缺乏和对VHDL或Verilog语言编程的恐惧，许多测试工程师对于FPGA技术望而却步。

现在，NI提供的R系列数据采集卡和FlexRIO产品家族将高性能的FPGA集成到现成可用的I／O板卡上，供用户根据应用进行定制和重复配置，同时配合LabVIEW FPGA直观方便的图形化编程，用户能够在无须编写底层VHDL代码的情况下，快速地配置和编程FPGA的功能，用于自动化测试和控制应用。

前不久，欧洲核子研究中心(CERN)为世界最强大的粒子加速度器――大型强子对撞机(LHC)配备了超过120套带有可重复配置I／O模块的NI PXI系统，用于控制准直仪的运动轨迹和监测其实时位置，从而确保粒子在既定的路径中运作。为了保证极高的可靠性和精确性，FPGA成为其必备的测试和控制技术。

趋势四：无线标准测试的爆炸性增长

近年来无线通信标准的发展可谓是日新月异，从2000年前只有四五种无线标准到现在众多新标准如雨后春笋般涌现。越来越多的消费电子产品和工业产品都或多或少地集成了无线通信的功能，像苹果公司最新的3G版iPhone手机，更是同时集成了UMTS、HSDPA、GSM、EDGE、Wi-Fi、GPS和蓝牙等多种最新的无线标准。这些都给无线技术的开发和测试带来了巨大的挑战，测试技术如何跟上无线技术的发展成为工程师面临的最大难题。通常传统射频仪器的购买周期是5～7年，而新标准和新技术的推出周期却是每两年一轮，购买的射频测试设备由于其固件和功能的限定通常难以跟上新标准的发展速度。

面对这样的挑战，一种以软件为核心的无线测试方案正崭露头角。信号的上下变频和数字化由模块化的射频硬件完成，而编解码和调制解调的过程全部通过软件实现。这样，在统一的模块化硬件平台上，只需修改软件就可以满足不同无线标准的测试需求，使得工程师有能力在第一时间测试最新的标准，加快产品的上市时间。

NI LabVIEW和PXI RF平台就是这样一个软件无线电的测试平台，多年来已经成为工程师和科学家们开发无线标准和测试无线应用的必备工具。德州大学奥斯汀分校的师生基于NI的软件无线电平台，在短短6周时间内开发出MIMO-OFDM 4G的系统原型；成都华日通信公司(国内无线电频谱管理设备主要供应商)利用NI PXI矢量信号分析仪和LabVIEW开发了带有自主产权的HR-100宽带无线电接收机和监测系统，已广泛应用于国内的频谱监测和信号定向领域。聚星仪器(NI大陆地区系统联盟商)也开发出了全球首个支持CIG2 RFID标准全部指令的测试设备，并实现了与RFID标签微秒级的实时通信。

趋势五：协议感知(Protoool-Aware)ATE将影响半导体的测试

如今的半导体器件变得愈加的复杂，高级的片上系统(SoC)和系统级封装(SiP)相比典型的基于矢量的器件测试而言，需要更为复杂的系统级的功能测试。现在器件的功能也不再是通过简单的并行数字接口实现，而是更多的依赖于高速串行总线和无线协议进行输出，这就要求测试设备和器件之间能够在指定的时钟周期内完成高速的激励和响应测试。

第8篇：半导体发展路径范文

【关键词】激光；隐身技术；材料隐身技术

0 引言

军事激光技术在战场上的广应用，对战场目标的生存构成了严重威胁。随着激光技术的发展，激光探测、制导器材的性能必定会越来越高，这就给激光隐身技术提出了越来越高的要求。激光隐身技术已成为现代隐身技术的重要方面，是军事目标隐身领域的战略，战术与战斗的迫切需要。

1 激光隐身原理

激光具有高的方向性、单色性和相干性。因此，激光雷达、测距机、制导系统和指示器常用向目标发射一定波长的激光，通过接受其反射回波来探知目标的距离。激光器探测方程为[1]：

PT是发射的激光功率；PR是接收的激光回波功率；ΩT是发射波束的立体角；Ωr是目标散射波束立体角；Ar是目标面积；Ac是接收机有效孔径面积；ρ是目标反射率；τ是单向传输路径透过率；R是激光雷达作用距离。

由（1）式知实现激光隐身主要措施是最大限度的降低目标对激光的反射率ρ，减小目标面积Ar，增大目标散射波束立体角Ωr，以有效地降低激光雷达、激光测距机、激光制导武器的作用距离。激光隐身的主要途径就是采用外形技术和材料技术。

2 材料隐身技术

2.1 光学干涉隐身[2]

利用光学干涉原理来设计和研究光谱吸收涂料也是一种重要手段。若在折射率为no的入射介质（若为空气no=1）和折射率为n1的基底介质之间涂上一层厚度为d，折射率为n的薄层材料，当光垂直入射且薄层的光学厚度为nd=（2k+1） （k=0，1，2…） （no

因此只要适当选择具有合适折射率的隐身涂料，并严格控制薄层的厚度，就可以制备在某一特定波长反射率很小的涂料，达到特定波长激光隐身的目的。但在实际涂敷时，用于涂层的厚度不易精确掌握，而且吸收波段窄，因此，该方法的实际应用具有一定的技术难度。

2.2 掺杂半导体材料隐身[3-4]

根据半导体连续光谱理论，可见红外波段光波在半导体中的传播特性与所谓等离子ωρ密切相关[5]。等离子频率及相应的等离子波长由下式表示：

其中的m为电子的有效质量，ε0为真空介电常数，N为载流子浓渡，e 为电子电荷，c为真空光速。当入射光的频率ω>ωρ时，半导体具有电介质的特性，有很高的透过率，很低的反射率和吸收率，当入射光的频率ω

2.3 光致变色材料隐身

光致变色技术是利用某些介质的物理或化学特征，使入射激光波穿透或反射后变成另一种波的光波。

以无机化合物为例。研究表明[6]，很多掺稀土和过渡金属离子的晶体，能使入射激光穿透或反射后变成另一波长的光波。其光致变色的物理机制是利用物质受激发射斯托克斯荧光来实现的，物质的荧光是较高能级对较低能级的自发跃迁辐射，发射荧光的波长大于激发光的波长。它有两种情况[7]：一种是原子吸收光子被激发后，从激发态通过发射荧光返回到比基态稍高的某个能级上，如图1所示。激发态是单高能级3，而低能级为1、2，如果激发光使电子发生13跃迁，而荧光跃迁发生在32能级之间，依据爱因斯坦原子吸收与辐射理论，介质原子吸收激发光子的频率为： ，介质原子自发跃迁发射荧光光子的频率为：

另一种情况是所谓碰撞辅助发射，碰撞辅助是指两个很靠近的能级存在有效的碰撞混合，通过碰撞，被激发到高能级后的原子过渡到比激发态稍低的某个能级上，再从这个能级向下跃迁发射荧光，如图2所示。高能级是3、4，低级是1、2，如果激发光频率为 的光子被介质电子吸收从低能级1跃 迁到高能级4后，电子经过碰撞无辐跃迁到能级3，然后由能级3跃迁到低能级2，并发射荧光光子，光子频率为。

图1 斯托克斯荧光三能级图 图2 斯托克斯荧光四能级图

由此可见，为要实现光致变色隐身所选择的材料必须具有如图1、图2所示的两种能级结构，并且对其入射激光具有强的选择吸收。某些晶体材料由于强弱振子介电耦合原因能够在某一波长，如1.06μm处有强吸收性能[8]。

因此，用合适的光致变色材料制成隐身涂料，就有可能实现激光隐身。

2.4 强吸收材料隐身[9]

采用低反射高吸收的物质对目标进行激光隐身。这类材料的吸收可以分为线性吸收、非线性吸收以及选择性吸收等。线性吸收型主要有金属氧化物、金属有机配合物。比如有些稀土氧化物由于能级丰富在1.06μm波长附近出现了特征吸收峰。有些金属配合物在近红外和中远红外出现吸收带。

非线性吸收的物质，比如具有反饱和吸收和双光子吸收的物质，如C60、酞菁染料等，Kμmar.G.A等[10]人研究LaPc、Nd Pc、Eu Pc时发现他们具有反饱和吸收特性。由于反饱和和双光子非线性吸收物质的激光能量阈值比较大，限制了其在激光隐身材料方面的应用。最近有人报道铁的超细粉具有强烈的红外吸收性能，可以见这类物质将在激光隐身材料中具有重要的价值。当波长的能量大于半导体禁带宽度时，对应的激光将被强烈的吸收，由于目前大量装备的激光制导武器都采用1.06μm的激光波长，所以采用合适能带宽度的半导体能有效实现激光隐身。

2.5 漫反射涂层

如果材料是有高大角度激光反射率，就有可能降低目标的激光可视性，实现对激光探测方式的隐身。研究表明[11]，当表面具有一定的粗糙度时，表面无序引起的散射关系发生了变化，入射电磁波和表面电磁模式的耦合成为可能。而且，入射电磁波转换成表面电磁模式以后在沿表面传播过程中，由于表面粗糙无序性形成的随机散射势，使表面电磁模式形成所谓Arderson局域而被表面吸收，比辐射率、镜反射率和漫反射率都很低，从而以实现激光隐身。

2.6 采用高透和导光材料隐身

由于探测用的激光能量比较小，对于一般的设备不产生大的伤害，可以采用对激光波长具有高透射性能的材料，把激光能量导入到介质中然后通过改变激光的出射途径或者在目标内部把激光吸收掉，比如可以把保护层设计成夹层状，夹层里充入对激光吸收能力很强的物质以实现激光隐身。

3 结束语

激光隐身的实现与理论的突破密切相关。目前，激光隐身还存在着大量的理论与技术难题，这方面的工作有待进一步深入。同时，随着多波段探测和制导技术的不断发展，多波段复合隐身技术是隐身技术的发展方向。因此，探索新技术、新方法、积极开展新的隐身机理和新型多功能隐身材料的研究，特别是新型涂敷型多功能，多频谱兼容的隐身材料是新的研究热点和难点。

【参考文献】

[1]马超杰，吴丹，王科伟.激光隐身技术的现状及发展[J].光电技术应用，2005，20（3）：36-40.

[2]李洪.激光隐身涂料的初步研究.隐身技术[J].1993（2）：59.

[3]吴伶芳，谢国华，吴瑞彬，等.激光红外隐身兼容涂料及前景分析[J].宇航材料工艺，2001（2）：1-3.

[4]于斌，齐鲁.多功能隐身材料的研究与应用现状[J].红外技术，2003（3）：63-66.

[5]Bach W et. al. Materialien Eur Multispectralen Tarnung Lmvisuellen， IR-and Micro/Millimeierwellen Bereich. 1987， De3600691[Z].

[6]干福熹，邓佩珍.激光材料[M].上海：上海科学技术出版社，1996.

[7]陆同兴，路轶群.激光光谱技术原理及应用[M].合肥：中国科学技术大学出版社，1999.

[8]戴松涛，张光寅，张存洲.强弱振子介电耦合引起的光谱挖孔现象[J].隐身技术，1993（3）：1-6.

[9]崔运国，陆春华，许仲梓.激光威肋与对策[J].激光与红外，2005，35（5）：315-318.

第9篇：半导体发展路径范文

[关键词]集成电路布图设计，法律保护，知识产权

一、引言：保护的意义

集成电路，按照《简明大不列颠百科全书》的解释，是指利用不同的加工工艺，在一块连续不断的衬底材料上同时做出大量的晶体管、电阻和二极管等电路元件，并将它们进行互联。[1]1958年，世界上第一块集成电路诞生，引发出一场新的工业革命。集成电路的发明和发展，导致了现代电子信息技术的兴起。在当代世界新科技革命发展进程中，以集成电路为基础、以计算机和通讯技术为主体的电子信息是最活跃的先导技术，同时又是一种崭新的具有巨大潜力的生产力。而从生产的规模和市场的效应来看，2000年世界上集成电路的销售额约为2000亿美元，目前世界集成电路的人均消费量大约为20-30块。[2]中国的集成电路产业起步于60年代，虽然在发展速度上滞后于发达国家，但也已经初具规模并在不断壮大之中。有人认为，“集成电路工业不仅是现代国际技术经济竞争的制高点，而且是影响各国未来‘球籍’的基本因素。如果把石油比作近现代工业的血液的话，那么完全可以把小小的芯片（集成电路）比作先导和超现代工业和生活的某种‘母体’，它是一个国家高附加值收益的富源，也是其综合国力的基石。”[3]因此，从国家的产业政策导向来看，我们需要为集成电路工业的发展提供制度上的激励，而最根本的促进措施就是在集成电路的最初开发完成（形成布图设计）的时候赋予开发者一定的权利，使相关保护可以延及于其后的生产过程。

而从动态的市场交易层面来考察，我们也可以发现对集成电路布图设计进行保护的意义。依照科斯定理，技术发展与创新的背后是巨大而复杂的创造性劳动投入与资本投入，这需要仰仗市场来收回成本与获取收益，而一个重要的前提是解决市场交易双方的产权问题。[4]这一点不仅对含有集成电路的最终产品是重要的，对作为中间产品的集成电路布图设计同样重要。因为在社会化大生产的条件下，专业的分工越来越细致，交易不只是在产品最终完成之后才发生，而是与生产的过程相交织。例如一个手机的生产厂商可能只进行各个部件的组装，而核心的芯片以及其他的外壳等可能都是由别的开发商完成的。因此在这里明确集成电路布图设计的知识产权就是非常重要的，实际上这也是任何涉及基础性技术的生产领域必然要首先解决的问题。

对集成电路布图设计进行保护的另一个基本考虑是维护投资者的利益。这也是当代知识产权立法的一个渐变的趋势，在数据库保护和药品专利授予等方面也有所体现。集成电路布图设计的创造是一个以大量资金为依托、以相当的智力投入为主导、以丰富的相关技术来支撑，并仍然有失败风险的研发过程。[5]而新产品一旦上市，不法厂商利用先进的设备和技术，对该芯片进行解剖、显微拍照、逐层腐蚀和分析，或者利用激光技术逐层扫描、拍照，将芯片的布图设计复制出来，很快就能仿制出该芯片并大量生产，并以较低的价格占领原开发者的市场。[6]在这种情况下，知识产权法应当为付出大量投资和智力劳动并最早生产出有益的集成电路产品的主体提供恰当的保护。

对集成电路布图设计进行法律保护的意义还在于通过国际贸易学习和研究国外先进的集成电路技术，减少我国产业发展的成本。如何在落后的高新技术领域实现突破，真正利用好后发优势，是每一个发展中国家都必须审慎考虑的问题。笔者个人以为，在集成电路技术领域我们可以采用“欲擒故纵”的策略。首先明确我们保护集成电路布图设计知识产权的立场，然后利用“反向工程”进行我们自己的创新。当然，这种创新的实行以及其后对创新产品的布图设计保护还需要我们的企业加强法律意识投资，与外国厂商合作时签订明确的合同，避免不必要的利益纠纷。在这方面，国家专用集成电路系统工程研究中心的实践已经提供了较好的可资借鉴的经验。[7