IEEE Transactions on Device and Materials Reliability
国际简称:IEEE T DEVICE MAT RE
按杂志级别划分: 中科院1区 中科院2区 中科院3区 中科院4区
Ieee Transactions On Device And Materials Reliability是由Institute of Electrical and Electronics Engineers Inc.出版商主办的工程技术领域的专业学术期刊,自2001年创刊以来,一直以高质量的内容赢得业界的尊重。该期刊拥有正式的刊号(ISSN:1530-4388,E-ISSN:1558-2574),出版周期Quarterly,其出版地区设在UNITED STATES。该期刊的核心使命旨在推动工程技术专业及ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC学科界的教育研究与实践经验的交流,发表同行有创见的学术论文,提倡学术争鸣,激发学术创新,开展国际间学术交流,为工程技术领域的发展注入活力。
该期刊文章自引率0.05,开源内容占比0.057,出版撤稿占比0,OA被引用占比0,读者群体主要包括工程技术的专业人员,研究生、本科生以及工程技术领域爱好者,这些读者群体来自全球各地,具有广泛的学术背景和兴趣。Ieee Transactions On Device And Materials Reliability已被国际权威学术数据库“ SCIE(Science Citation Index Expanded) ”收录,方便全球范围内的学者和研究人员检索和引用,有助于推动ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC领域的研究进展和创新发展。
学科类别 | 分区 | 排名 | 百分位 |
大类:Engineering 小类:Safety, Risk, Reliability and Quality | Q2 | 65 / 207 |
68% |
大类:Engineering 小类:Electrical and Electronic Engineering | Q2 | 274 / 797 |
65% |
大类:Engineering 小类:Electronic, Optical and Magnetic Materials | Q2 | 103 / 284 |
63% |
CiteScore: 这一创新指标力求提供更为全面且精确的期刊评估,打破了过去仅依赖单一指标如影响因子的局限。它通过综合广泛的引用数据,跨越多个学科领域,从而确保了更高的透明度和开放性。作为Scopus中一系列期刊指标的重要组成部分,包括SNIP(源文档标准化影响)、SJR(SCImago杂志排名)、引用文档计数以及引用百分比。Scopus整合以上指标,帮助研究者深入了解超过22,220种论著的引用情况。您可在Scopus Joumal Metrics website了解各个指标的详细信息。
大类学科 | 分区 | 小类学科 | 分区 | Top期刊 | 综述期刊 |
工程技术 | 3区 | ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程:电子与电气 PHYSICS, APPLIED 物理:应用 | 3区 3区 | 否 | 否 |
大类学科 | 分区 | 小类学科 | 分区 | Top期刊 | 综述期刊 |
工程技术 | 3区 | ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程:电子与电气 PHYSICS, APPLIED 物理:应用 | 3区 3区 | 否 | 否 |
大类学科 | 分区 | 小类学科 | 分区 | Top期刊 | 综述期刊 |
工程技术 | 3区 | ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程:电子与电气 PHYSICS, APPLIED 物理:应用 | 3区 3区 | 否 | 否 |
大类学科 | 分区 | 小类学科 | 分区 | Top期刊 | 综述期刊 |
工程技术 | 4区 | ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程:电子与电气 PHYSICS, APPLIED 物理:应用 | 4区 4区 | 否 | 否 |
大类学科 | 分区 | 小类学科 | 分区 | Top期刊 | 综述期刊 |
工程技术 | 3区 | ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程:电子与电气 PHYSICS, APPLIED 物理:应用 | 3区 3区 | 否 | 否 |
大类学科 | 分区 | 小类学科 | 分区 | Top期刊 | 综述期刊 |
工程技术 | 3区 | PHYSICS, APPLIED 物理:应用 ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程:电子与电气 | 3区 4区 | 否 | 否 |
按JIF指标学科分区 | 收录子集 | 分区 | 排名 | 百分位 |
学科:ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC | SCIE | Q2 | 165 / 352 |
53.3% |
学科:PHYSICS, APPLIED | SCIE | Q2 | 87 / 179 |
51.7% |
按JCI指标学科分区 | 收录子集 | 分区 | 排名 | 百分位 |
学科:ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC | SCIE | Q3 | 186 / 354 |
47.6% |
学科:PHYSICS, APPLIED | SCIE | Q3 | 99 / 179 |
44.97% |
JCR(Journal Citation Reports)分区,也被称为JCR期刊分区,是由汤森路透公司(现在属于科睿唯安公司)制定的一种国际通用和公认的期刊分区标准。JCR分区基于SCI数据库,按照期刊的影响因子进行排序,按照类似等分的方式将期刊划分为四个区:Q1、Q2、Q3和Q4。需要注意的是,JCR分区的标准与中科院JCR期刊分区(又称分区表、分区数据)存在不同之处。例如,两者的分区数量不同,JCR分为四个区,而中科院分区则分为176个学科,每个学科又按照影响因子高低分为四个区。此外,两者的影响因子取值范围也存在差异。
年份 | 年发文量 |
2014 | 147 |
2015 | 81 |
2016 | 89 |
2017 | 98 |
2018 | 79 |
2019 | 101 |
2020 | 92 |
2021 | 80 |
2022 | 56 |
2023 | 72 |
被他刊引用情况 | |
期刊名称 | 引用次数 |
IEEE T ELECTRON DEV | 127 |
IEEE T DEVICE MAT RE | 93 |
MICROELECTRON RELIAB | 88 |
IEEE ACCESS | 47 |
IEEE T NUCL SCI | 37 |
IEEE ELECTR DEVICE L | 36 |
IEICE ELECTRON EXPR | 35 |
IEEE T POWER ELECTR | 31 |
J MATER SCI-MATER EL | 31 |
ELECTRONICS-SWITZ | 30 |
引用他刊情况 | |
期刊名称 | 引用次数 |
IEEE T ELECTRON DEV | 167 |
IEEE T NUCL SCI | 116 |
MICROELECTRON RELIAB | 100 |
IEEE T DEVICE MAT RE | 93 |
IEEE ELECTR DEVICE L | 69 |
APPL PHYS LETT | 59 |
J APPL PHYS | 44 |
IEEE T COMP PACK MAN | 24 |
IEEE J SOLID-ST CIRC | 23 |
IEEE T POWER ELECTR | 23 |