半导体科技
国际简称：SEMICOND SCI TECH
Semiconductor Science And Technology杂志简介
Semiconductor Science And Technology是由IOP Publishing Ltd.出版商主办的工程技术领域的专业学术期刊，自1986年创刊以来，一直以高质量的内容赢得业界的尊重。该期刊拥有正式的刊号（ISSN：0268-1242，E-ISSN：1361-6641），出版周期Monthly，其出版地区设在ENGLAND。该期刊的核心使命旨在推动工程技术专业及ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC学科界的教育研究与实践经验的交流，发表同行有创见的学术论文，提倡学术争鸣，激发学术创新，开展国际间学术交流，为工程技术领域的发展注入活力。
该期刊文章自引率0.0526...，开源内容占比0.0715，出版撤稿占比0，OA被引用占比0.0493...，读者群体主要包括工程技术的专业人员，研究生、本科生以及工程技术领域爱好者，这些读者群体来自全球各地，具有广泛的学术背景和兴趣。Semiconductor Science And Technology已被国际权威学术数据库“ SCIE（Science Citation Index Expanded） ”收录，方便全球范围内的学者和研究人员检索和引用，有助于推动ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC领域的研究进展和创新发展。
收录信息
CiteScore（2024年最新版）
- CiteScore：4.3
- SJR：0.411
- SNIP：0.741
| 学科类别 | 分区 | 排名 | 百分位 |
| 大类：Engineering 小类：Electrical and Electronic Engineering | Q2 | 305 / 797 |
61% |
| 大类：Engineering 小类：Condensed Matter Physics | Q2 | 167 / 434 |
61% |
| 大类：Engineering 小类：Materials Chemistry | Q2 | 137 / 317 |
56% |
| 大类：Engineering 小类：Electronic, Optical and Magnetic Materials | Q2 | 126 / 284 |
55% |
CiteScore: 这一创新指标力求提供更为全面且精确的期刊评估，打破了过去仅依赖单一指标如影响因子的局限。它通过综合广泛的引用数据，跨越多个学科领域，从而确保了更高的透明度和开放性。作为Scopus中一系列期刊指标的重要组成部分，包括SNIP（源文档标准化影响）、SJR（SCImago杂志排名）、引用文档计数以及引用百分比。Scopus整合以上指标，帮助研究者深入了解超过22,220种论著的引用情况。您可在Scopus Joumal Metrics website了解各个指标的详细信息。
CiteScore分区值与影响因子值数据对比
Semiconductor Science And Technology中科院分区表
中科院分区 2023年12月升级版
| 大类学科 | 分区 | 小类学科 | 分区 | Top期刊 | 综述期刊 |
| 工程技术 | 4区 | ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程：电子与电气 MATERIALS SCIENCE, MULTIDISCIPLINARY 材料科学：综合 PHYSICS, CONDENSED MATTER 物理：凝聚态物理 | 4区 4区 4区 | 否 | 否 |
中科院分区 2022年12月升级版
| 大类学科 | 分区 | 小类学科 | 分区 | Top期刊 | 综述期刊 |
| 工程技术 | 4区 | ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程：电子与电气 MATERIALS SCIENCE, MULTIDISCIPLINARY 材料科学：综合 PHYSICS, CONDENSED MATTER 物理：凝聚态物理 | 4区 4区 4区 | 否 | 否 |
中科院分区 2021年12月旧的升级版
| 大类学科 | 分区 | 小类学科 | 分区 | Top期刊 | 综述期刊 |
| 工程技术 | 4区 | ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程：电子与电气 MATERIALS SCIENCE, MULTIDISCIPLINARY 材料科学：综合 PHYSICS, CONDENSED MATTER 物理：凝聚态物理 | 4区 4区 4区 | 否 | 否 |
中科院分区 2021年12月基础版
| 大类学科 | 分区 | 小类学科 | 分区 | Top期刊 | 综述期刊 |
| 工程技术 | 3区 | ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程：电子与电气 MATERIALS SCIENCE, MULTIDISCIPLINARY 材料科学：综合 PHYSICS, CONDENSED MATTER 物理：凝聚态物理 | 4区 4区 4区 | 否 | 否 |
中科院分区 2021年12月升级版
| 大类学科 | 分区 | 小类学科 | 分区 | Top期刊 | 综述期刊 |
| 工程技术 | 4区 | ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程：电子与电气 MATERIALS SCIENCE, MULTIDISCIPLINARY 材料科学：综合 PHYSICS, CONDENSED MATTER 物理：凝聚态物理 | 4区 4区 4区 | 否 | 否 |
中科院分区 2020年12月旧的升级版
| 大类学科 | 分区 | 小类学科 | 分区 | Top期刊 | 综述期刊 |
| 工程技术 | 3区 | PHYSICS, CONDENSED MATTER 物理：凝聚态物理 ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程：电子与电气 MATERIALS SCIENCE, MULTIDISCIPLINARY 材料科学：综合 | 3区 4区 4区 | 否 | 否 |
中科院分区表历年分布趋势图
WOS期刊JCR分区（2023-2024年最新版）
| 按JIF指标学科分区 | 收录子集 | 分区 | 排名 | 百分位 |
| 学科：ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC | SCIE | Q3 | 211 / 352 |
40.2% |
| 学科：MATERIALS SCIENCE, MULTIDISCIPLINARY | SCIE | Q3 | 301 / 438 |
31.4% |
| 学科：PHYSICS, CONDENSED MATTER | SCIE | Q3 | 50 / 79 |
37.3% |
| 按JCI指标学科分区 | 收录子集 | 分区 | 排名 | 百分位 |
| 学科：ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC | SCIE | Q3 | 238 / 354 |
32.91% |
| 学科：MATERIALS SCIENCE, MULTIDISCIPLINARY | SCIE | Q3 | 293 / 438 |
33.22% |
| 学科：PHYSICS, CONDENSED MATTER | SCIE | Q3 | 51 / 79 |
36.08% |
JCR（Journal Citation Reports）分区，也被称为JCR期刊分区，是由汤森路透公司（现在属于科睿唯安公司）制定的一种国际通用和公认的期刊分区标准。JCR分区基于SCI数据库，按照期刊的影响因子进行排序，按照类似等分的方式将期刊划分为四个区：Q1、Q2、Q3和Q4。需要注意的是，JCR分区的标准与中科院JCR期刊分区（又称分区表、分区数据）存在不同之处。例如，两者的分区数量不同，JCR分为四个区，而中科院分区则分为176个学科，每个学科又按照影响因子高低分为四个区。此外，两者的影响因子取值范围也存在差异。
历年发文数据
| 年份 | 年发文量 |
| 2014 | 239 |
| 2015 | 283 |
| 2016 | 274 |
| 2017 | 295 |
| 2018 | 293 |
| 2019 | 338 |
| 2020 | 392 |
| 2021 | 326 |
| 2022 | 260 |
| 2023 | 193 |
期刊互引关系
| 被他刊引用情况 | |
| 期刊名称 | 引用次数 |
| J APPL PHYS | 337 |
| SEMICOND SCI TECH | 276 |
| PHYS REV B | 205 |
| MATER RES EXPRESS | 191 |
| APPL PHYS LETT | 185 |
| JPN J APPL PHYS | 169 |
| IEEE T ELECTRON DEV | 145 |
| SCI REP-UK | 134 |
| APPL SURF SCI | 118 |
| J MATER SCI-MATER EL | 118 |
| 引用他刊情况 | |
| 期刊名称 | 引用次数 |
| APPL PHYS LETT | 1311 |
| J APPL PHYS | 761 |
| PHYS REV B | 700 |
| IEEE T ELECTRON DEV | 412 |
| PHYS REV LETT | 332 |
| IEEE ELECTR DEVICE L | 277 |
| SEMICOND SCI TECH | 276 |
| NANO LETT | 236 |
| THIN SOLID FILMS | 162 |
| J CRYST GROWTH | 150 |
